SIC
close

Дискратн -пропрововододнико -пройкт (3563)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Епако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Htsus Станодадж Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
BZT52C20GW Diotec Semiconductor BZT52C20GW 0,0244
RFQ
 ECAD 9421 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% Пефер 350 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2796-BZT52C20GWTR 8541.10.0000 3000 20 55 ОМ
SZ3C8.2 Diotec Semiconductor SZ3C8.2 0,1504
RFQ
 ECAD 2277 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF 3 Вт Melf do-213ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SZ3C8.2TR 8541.10.0000 5000 1 мка 3,5 8,2 В. 1 О
S4000MC Diotec Semiconductor S4000MC 0,6000
RFQ
 ECAD 5947 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Станода DO-214AB (SMC) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2796-S4000MCTR 8541.10.0000 3000 4000 2A
SM5406 Diotec Semiconductor SM5406 0,1171
RFQ
 ECAD 5260 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF Станода Melf do-213ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SM5406TR 8541.10.0000 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,2 V @ 3 a 1,5 мкс 5 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 3A -
MMFTN20 Diotec Semiconductor Mmftn20 0,0602
RFQ
 ECAD 7066 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-MMFTN20TR 8541.21.0000 3000 N-канал 50 100 май (таблица) 2,5 В, 10 В. 15OM @ 100MA, 10 В 1,8 В @ 1MA ± 20 В. 15 PF @ 10 V - 300 мт (таблица)
MM3BZ27GW Diotec Semiconductor MM3BZ27GW 0,0379
RFQ
 ECAD 2813 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% Пефер 200 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2796-MM3BZ27GWTR 8541.10.0000 3000 27 0 омер
LL101C Diotec Semiconductor LL101C 0,0715
RFQ
 ECAD 150 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 ШOTKIй SOD-80C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2796-LL101CTR 8541.10.0000 2500 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 40 900 мВ @ 15 мая 1 млн 200 na @ 40 v -55 ° C ~ 200 ° C. 15 май 2.2pf @ 0V, 1 мгест
PX1500B Diotec Semiconductor PX1500B 0,5905
RFQ
 ECAD 3996 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru P600, OSEVOй Станода P600 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-PX1500BTR 8541.10.0000 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1 V @ 15 A 1,5 мкс 10 мк -пки 100 -50 ° C ~ 175 ° C. 15A -
BAT54AW Diotec Semiconductor BAT54AW 0,3718
RFQ
 ECAD 7610 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 BAT54 ШOTKIй SOT-323 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-bat54awtr 8541.10.0000 750 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 пар 30 200 май 1 V @ 100 май 5 млн 3 мка 30 30 -55 ° C ~ 150 ° С.
SK115-AQ Diotec Semiconductor SK115-AQ 0,1442
RFQ
 ECAD 5230 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA ШOTKIй DO-214AC, SMA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SK115-AQTR 8541.10.0000 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 150 850 мВ @ 1 a 20 мк -при 150 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
BZT52C8V2 Diotec Semiconductor BZT52C8V2 0,0304
RFQ
 ECAD 42 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-BZT52C8V2TR 8541.10.0000 3000 500 NA @ 5 V 8,2 В. 30 ОМ
MM3Z16B-AQ Diotec Semiconductor MM3Z16B-AQ 0,0374
RFQ
 ECAD 9621 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F 300 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-MM3Z16B-AQTR 8541.10.0000 3000 100 na @ 12 v 16 40 ОМ
FT2000AD Diotec Semiconductor FT2000AD -
RFQ
 ECAD 5105 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru ДО-220-2 Станода ДО-220AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-ft2000ad 8541.10.0000 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 960 мВ @ 20 a 200 млн 5 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 20 часов -
FE3D Diotec Semiconductor Fe3d 0,2417
RFQ
 ECAD 8706 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-FE3DTR 8541.10.0000 1700 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 980mw @ 3 a 50 млн 5 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 3A -
P1200G Diotec Semiconductor P1200G 0,4856
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru P600, OSEVOй Станода P600 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-P1200GTR 8541.10.0000 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 950 мВ @ 12 a 10 мка 400 -50 ° C ~ 150 ° C. 12A -
S5G Diotec Semiconductor S5G 0,1664
RFQ
 ECAD 1794 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-S5Gtr 8541.10.0000 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 5 A 1,5 мкс 10 мк -прри 50 -50 ° C ~ 150 ° C. 5A -
BZT52C5V6-AQ Diotec Semiconductor BZT52C5V6-AQ 0,0333
RFQ
 ECAD 4984 0,00000000 DIOTEC Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOD-123F 500 м SOD-123F СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан 2796-BZT52C5V6-AQTR 8541.10.0000 3000 1 мка 4,5 5,6 В. 80 ОМ
BY253-CT Diotec Semiconductor By253-ct 0,5970
RFQ
 ECAD 382 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Полески Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй By253 Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-BY253-CT 8541.10.0000 25 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 3 a 1,5 мкс 5 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
PX1500M Diotec Semiconductor PX1500M 0,6520
RFQ
 ECAD 1576 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru P600, OSEVOй Станода P600 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-PX1500MTR 8541.10.0000 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1 V @ 15 A 1,5 мкс 10 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 15A -
AL1M-CT Diotec Semiconductor Al1m-ct 0,4700
RFQ
 ECAD 1882 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Полески Актифен Пефер DO-213AA Лавина DO-213AA, мини-серрид СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-al1m-ct 8541.10.0000 30 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1000 1,3 V @ 1 a 1,5 мкс 3 мка @ 1 В -50 ° C ~ 175 ° C. 1A -
Z2SMB68 Diotec Semiconductor Z2SMB68 0,2149
RFQ
 ECAD 4970 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 2 Вт SMB (DO-214AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Z2SMB68TR 8541.10.0000 3000 1 мка @ 34 68 В 25 ОМ
BCP56-6 Diotec Semiconductor BCP56-6 0,5342
RFQ
 ECAD 7840 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Полески Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA 2 Вт SOT-223 СКАХАТА Rohs3 2721-BCP56-6 10 80 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 100 мг
GL1J-CT Diotec Semiconductor Gl1j-ct 0,3955
RFQ
 ECAD 1929 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Полески Актифен Пефер DO-213AA Станода DO-213AA, мини-серрид СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-GL1J-CT 8541.10.0000 30 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1,3 V @ 1 a 1,5 мкс 5 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 1A -
BY398 Diotec Semiconductor By398 0,0951
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-by398tr 8541.10.0000 1700 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,2 V @ 3 a 500 млн 5 мка 400 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
ZMD30B Diotec Semiconductor Zmd30b 0,1011
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AA 1 Вт DO-213AA, мини-серрид СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Zmd30btr 8541.10.0000 2500 500 NA @ 20 V 30 35 ОМ
S3W Diotec Semiconductor S3W 0,3203
RFQ
 ECAD 156 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AB, SMC Станода SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-S3WTR 8541.10.0000 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1.15 V @ 3 a 1,5 мкс 5 мка @ 1600 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
SKL18 Diotec Semiconductor SKL18 0,0615
RFQ
 ECAD 2673 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F ШOTKIй SOD-123F (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SKL18TR 8541.10.0000 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 80 850 мВ @ 1 a 200 мка пр. 80 В -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
1N5385B Diotec Semiconductor 1n5385b 0,2073
RFQ
 ECAD 7898 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй 5 Вт ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2796-1N5385btr 8541.10.0000 1700 500 NA @ 129 V 170 380 ОМ
ZPD16B Diotec Semiconductor Zpd16b 0,0225
RFQ
 ECAD 8823 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpd16btr 8541.10.0000 10000 100 na @ 12 v 16 13 О
DI048N04PT-AQ Diotec Semiconductor DI048N04PT-AQ 0,5621
RFQ
 ECAD 9623 0,00000000 DIOTEC Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DI048N04 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-qfn (3x3) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан 2796-DI048N04PT-AQTR 8541.21.0000 5000 N-канал 40 48a (TC) 4,5 В, 10. 7,6mohm @ 12a, 10v 2,5 -50 мк 48,5 NC @ 10 V ± 20 В. 2268 PF @ 25 V - 31W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть