SIC
close

Дискратн -пропрововододнико -пройкт (3563)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Дип Napraheneee - пик в На Иппедс (mmaks) (zzt)
ZPD3B9 Diotec Semiconductor Zpd3b9 0,0225
RFQ
 ECAD 3499 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpd3b9tr 8541.10.0000 10000 3,9 В. 80 ОМ
3EZ6.8 Diotec Semiconductor 3EZ6.8 0,0995
RFQ
 ECAD 9159 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 3 Вт Do15/do204ac СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-3EZ6.8tr 8541.10.0000 4000 1 мка @ 2 6,8 В. 1 О
ZY47 Diotec Semiconductor ZY47 0,0986
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 2 Вт DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zy47tr 8541.10.0000 5000 1 мка 4 24 47 В 24
ZPY11 Diotec Semiconductor Zpy11 0,0986
RFQ
 ECAD 4919 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy11tr 8541.10.0000 5000 1 мка При 5в 11 4 О
GBI25B Diotec Semiconductor GBI25B 0,8946
RFQ
 ECAD 1411 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBI Станода GBI СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBI25B 8541.10.0000 500 1,1 В @ 12,5 А 5 мк -4 100 4,2 а ОДИНАНАНА 100
P2500W Diotec Semiconductor P2500W 1.2943
RFQ
 ECAD 2437 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru P600, OSEVOй P2500 Лавина P600 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-P2500WTR 8541.10.0000 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1600 v 1.1 V @ 25 A 1,5 мкс 10 мк @ 1600 -55 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
KYZ25A6 Diotec Semiconductor KYZ25A6 1.9946
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен Чereз dыru DO-208AA Станода DO-208 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-KZ25A6 8541.10.0000 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 25 A 1,5 мкс 100 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
MUR440L Diotec Semiconductor Mur440l 0,1211
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-MUR440LTR 8541.10.0000 1700 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,35 - @ 4 a 60 млн 10 мка 400 -50 ° C ~ 150 ° C. 4 а -
KYZ35K2 Diotec Semiconductor KYZ35K2 18521
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен Прет DO-208AA Станода DO-208 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-KZ35K2 8541.10.0000 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 35 A 1,5 мкс 100 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 35A -
DB25-06 Diotec Semiconductor DB25-06 4.3940
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 5 Квадратн, DB-35 Станода DB-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-DB25-06 8541.10.0000 50 1,05 Е @ 12,5 А 10 мк. 25 а Трип 600
KYW25K1 Diotec Semiconductor KYW25K1 1.9078
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен Чereз dыru DO-208AA Станода DO-208 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-KW25K1 8541.10.0000 500 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1.1 V @ 25 A 1,5 мкс 100 мк -пки 100 -50 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
ZY6.8 Diotec Semiconductor ZY6.8 0,0986
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 2 Вт DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zy6.8tr 8541.10.0000 5000 1 мка @ 2 6,8 В. 1 О
B80R Diotec Semiconductor B80R 0,4400
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-й цirkuol, Wog Станода Вон СКАХАТА Neprigodnnый Neprigodnnый Продан Ear99 8541.10.0000 1000 1 V @ 1 A 5 мка @ 160 2 а ОДИНАНАНА 160
ZPD27B Diotec Semiconductor Zpd27b 0,0225
RFQ
 ECAD 5307 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpd27btr 8541.10.0000 10000 100 na @ 20 v 27 30 ОМ
B380D Diotec Semiconductor B380d 0,2309
RFQ
 ECAD 317 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-e-edip (0,300 ", 7,62 ММ) Станода DFM СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-B380D 8541.10.0000 50 1.1 V @ 1 a 5 мк -400 1 а ОДИНАНАНА 800 В
GBU8K-T Diotec Semiconductor GBU8K-T 0,4087
RFQ
 ECAD 7927 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU Станода GBU СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBU8K-T 8541.10.0000 1000 1 V @ 8 A 5 мк -400 5,6 а ОДИНАНАНА 800 В
GBU4G-T Diotec Semiconductor GBU4G-T 0,3087
RFQ
 ECAD 3850 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU Станода GBU СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBU4G-T 8541.10.0000 1000 1 V @ 4 A 5 мка 400 2,8 а ОДИНАНАНА 400
ZPD10 Diotec Semiconductor Zpd10 0,0211
RFQ
 ECAD 305 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpd10tr 8541.10.0000 10000 100 na @ 7,5 10 5,2 ОМ
SB1240-3G Diotec Semiconductor SB1240-3G 0,4347
RFQ
 ECAD 5545 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB1240-3GTR 8541.10.0000 1700 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 550 м. @ 12 A 500 мка 40, -50 ° C ~ 150 ° C. 12A -
ZPY110 Diotec Semiconductor ZPY110 0,0986
RFQ
 ECAD 8855 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy110tr 8541.10.0000 5000 1 мка При 50 В 110 80 ОМ
RA252 Diotec Semiconductor RA252 0,3717
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер RaStwOr Станода RaStwOr СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-RA252TR 8541.10.0000 10000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 80 A 1,5 мкс 5 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
ZY5.6 Diotec Semiconductor ZY5.6 0,0986
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 2 Вт DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-ze5.6tr 8541.10.0000 5000 3 мк 5,6 В. 1 О
KBPC10/15/2501WP Diotec Semiconductor KBPC10/15/2501WP 2.5227
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4 Квадрата, KBPC WP Станода KBPC WP СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-KBPC10/15/2501WP 8541.10.0000 160 1,2 - @ 12,5 А 10 мк -пки 100 25 а ОДИНАНАНА 100
SB830 Diotec Semiconductor SB830 0,3306
RFQ
 ECAD 8661 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB830TR 8541.10.0000 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 30 550 мВ @ 8 a 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 8. -
BY1800 Diotec Semiconductor С 1800 года 0,2499
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BY1800TR 8541.10.0000 1700 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1800 v 1.1 V @ 3 a 1,5 мкс 5 мка @ 1800 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
DB35-10 Diotec Semiconductor DB35-10 4.3940
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 5 Квадратн, DB-35 Станода DB-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-DB35-10 8541.10.0000 50 1,05 - @ 17,5 А 10 мк. 35 а Трип 1 к
30CTQ200 Diotec Semiconductor 30CTQ200 1.1320
RFQ
 ECAD 6968 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 30ctq ШOTKIй ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-30CTQ200 8541.10.0000 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 200 15A 860 мВ @ 15 A 50 мк. -50 ° C ~ 175 ° C.
1N5406K Diotec Semiconductor 1N5406K 0,0846
RFQ
 ECAD 8861 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода DO-15 (DO-204AC) СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-1N5406Ktr 8541.10.0000 4000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 10 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 3A -
ZPD36 Diotec Semiconductor ZPD36 0,0211
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 500 м DO-35 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-ZPD36TR 8541.10.0000 10000 100 Na @ 26 V 36 40 ОМ
UF5405 Diotec Semiconductor UF5405 0,1295
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-UF5405TR 8541.10.0000 1700 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 500 1,7 - @ 3 a 75 м 5 мк -при 500 -50 ° C ~ 175 ° C. 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть