SIC
close

Дискратн -пропрововододнико -пройкт (3563)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
BA157 Diotec Semiconductor BA157 0,0314
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй Станода DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BA157TR 8541.10.0000 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,3 V @ 1 a 300 млн 5 мка 400 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
PPS560 Diotec Semiconductor PPS560 0,3770
RFQ
 ECAD 4787 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn ШOTKIй Дол 277-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-pps560tr 8541.10.0000 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 680 мВ @ 5 a 300 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 5A -
BYP60A3 Diotec Semiconductor Byp60a3 1.2263
RFQ
 ECAD 8718 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-208AA Станода DO-208 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BYP60A3TR 8541.10.0000 12 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 300 1.1 V @ 60 A 1,5 мкс 100 мк @ 300 -50 ° C ~ 200 ° C. 60A -
BC557B Diotec Semiconductor BC557B 0,0241
RFQ
 ECAD 444 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2796-BC557btr 8541.21.0000 4000 45 100 май 15NA Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 150 мг
MMDT5212W Diotec Semiconductor MMDT5212W 0,0266
RFQ
 ECAD 7784 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 MMDT5212 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-MMDT5212WTR 8541.21.0000 3000 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen - 60 @ 10ma, 5 В 250 мг 22 Kohms 22 Kohms
BAT54WS-AQ Diotec Semiconductor BAT54WS-AQ 0,0306
RFQ
 ECAD 2823 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-90, SOD-323F BAT54 ШOTKIй SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-BAT54WS-AQTR 8541.10.0000 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 30 800 мВ @ 100 мая 6 м 2 мка 4 25 -55 ° C ~ 150 ° С. 200 май 10pf @ 1V, 1 мгха
SBX2040-3G Diotec Semiconductor SBX2040-3G 0,5127
RFQ
 ECAD 8623 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Оос ШOTKIй Оос СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SBX2040-3GTR 8541.10.0000 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 590 мВ @ 20 a 500 мка 40, -50 ° C ~ 150 ° C. 20 часов -
SGL2-40-3G Diotec Semiconductor SGL2-40-3G 0,0856
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AA ШOTKIй DO-213AA, мини-серрид СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SGL2-40-3GTR 8541.10.0000 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 40 530 мВ @ 2 a 40 мка 40, -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
SGL34-50 Diotec Semiconductor SGL34-50 0,0794
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AA ШOTKIй DO-213AA, мини-серрид СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SGL34-50TR 8541.10.0000 2500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 50 600 мВ @ 500 мая 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 500 май -
DI065N06PT Diotec Semiconductor Di065n06pt -
RFQ
 ECAD 7103 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-qfn (3x3) СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 2796-DI065N06PTTR 8541.29.0000 1 N-канал 65 65A (TC) 4,5 В, 10. 5mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 37 NC @ 10 V ± 20 В. 1617 PF @ 30 V - 39 Вт (ТС)
SK36SMA Diotec Semiconductor SK36SMA 0,1022
RFQ
 ECAD 577 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AC, SMA SK36 ШOTKIй DO-214AC, SMA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SK36SMATR 8541.10.0000 7500 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 60 700 мВ @ 3 a 100 мк -пр. 60 -50 ° C ~ 150 ° C. 3A -
MMS3Z4B3GW Diotec Semiconductor MMS3Z4B3GW 0,0333
RFQ
 ECAD 5069 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% Пефер 300 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2796-MS3Z4B3GWTR 8541.10.0000 3000 4,3 В. 90 ОМ
P1000G Diotec Semiconductor P1000G 0,4612
RFQ
 ECAD 4066 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru P600, OSEVOй Станода P600 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-p1000gtr 8541.10.0000 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,05 В @ 10 a 1,5 мкс 10 мка 400 -50 ° C ~ 175 ° C. 10 часов -
ZMC51 Diotec Semiconductor ZMC51 0,0580
RFQ
 ECAD 5817 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Zmc51tr 8541.10.0000 2500 100 na @ 39 v 51 125 ОМ
ZPY30 Diotec Semiconductor ZPY30 0,0986
RFQ
 ECAD 1578 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй 1,3 DO-41/DO-204AC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Zpy30tr 8541.10.0000 5000 1 мка @ 14 30 8 О
ZMY13 Diotec Semiconductor ZMY13 0,0764
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF 1,3 Melf do-213ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Zmy13tr 8541.10.0000 5000 1 мка При 7в 13 5 ОМ
BC850C-AQ Diotec Semiconductor BC850C-AQ 0,0236
RFQ
 ECAD 8705 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-BC850C-AQTR 8541.21.0000 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 300 мг
1N4005GP Diotec Semiconductor 1N4005GP -
RFQ
 ECAD 7818 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-41, OSEVOй Станода DO-41/DO-204AC - Neprigodnnый Neprigodnnый Продан 2796-1N4005GPTR Ear99 8541.10.0000 5000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 1 a 1,5 мкс 5 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 1A -
BC548BBK Diotec Semiconductor BC548BBK 0,0241
RFQ
 ECAD 5648 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BC548BBK 8541.21.0000 5000 30 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
SB220 Diotec Semiconductor SB220 0,0976
RFQ
 ECAD 4008 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй ШOTKIй Do15/do204ac СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB220TR 8541.10.0000 4000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 500 мВ @ 2 a 500 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 2A -
BAS70-04W-AQ Diotec Semiconductor BAS70-04W-AQ 0,0602
RFQ
 ECAD 6545 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 BAS70 ШOTKIй SOT-323 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан 2796-BAS70-04W-AQTR 8541.10.0000 3000 Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning 1 -й 70 70 май 1 V @ 15 мая 5 млн 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° С.
Z2SMB6.8 Diotec Semiconductor Z2SMB6.8 0,2149
RFQ
 ECAD 8434 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 2 Вт SMB (DO-214AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-z2smb6.8tr 8541.10.0000 3000 1 мка @ 2 6,8 В. 1 О
Z2SMB12 Diotec Semiconductor Z2SMB12 0,2149
RFQ
 ECAD 5972 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AA, SMB 2 Вт SMB (DO-214AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Z2SMB12TR 8541.10.0000 3000 1 мка При 7в 12 4 О
MMBT3906 Diotec Semiconductor MMBT3906 0,0190
RFQ
 ECAD 7353 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2796-MMBT3906TR 8541.21.0000 3000 40 200 май 50NA Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 100 @ 10ma, 1в 250 мг
S15GYD2 Diotec Semiconductor S15GYD2 0,6943
RFQ
 ECAD 8166 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода TO-263AB (D2PAK) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан 2796-S15GYD2 8541.10.0000 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1,3 V @ 15 A 1,5 мкс 10 мка 400 -50 ° C ~ 150 ° C. 15A -
SK1545YD2-3G Diotec Semiconductor SK1545YD2-3G 0,4940
RFQ
 ECAD 6977 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SK1545YD2-3G 8541.10.0000 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 45 500 м. @ 15 A 100 мка 45 -50 ° C ~ 150 ° C. 15A -
PPH810 Diotec Semiconductor PPH810 0,5108
RFQ
 ECAD 2733 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 277, 3-Powerdfn ШOTKIй ДО-277 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан 2796-pph810tr 8541.10.0000 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 100 730 мВ @ 8 a 100 мк -пки 100 -50 ° C ~ 175 ° C. 8. -
BYP60K4 Diotec Semiconductor Byp60k4 1.2263
RFQ
 ECAD 2103 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Прет DO-208AA Станода DO-208 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BYP60K4TR 8541.10.0000 12 000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 400 1.1 V @ 60 A 1,5 мкс 100 мк 400 -50 ° C ~ 200 ° C. 60A -
ZMC6B8 Diotec Semiconductor Zmc6b8 0,0688
RFQ
 ECAD 3717 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA 500 м МИКРЕМЕЛЯ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Zmc6b8tr 8541.10.0000 2500 100 Na @ 3 V 6,8 В. 8 О
BY550-800 Diotec Semiconductor By550-800 0,1049
RFQ
 ECAD 6502 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй Станода ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BY550-800TR 8541.10.0000 1250 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 1 V @ 5 A 1,5 мкс 5 мк -400 -50 ° C ~ 175 ° C. 5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть