SIC
close

Дискратн -пропрововододнико -пройкт (3563)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Дип Napraheneee - пик в Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) На Иппедс (mmaks) (zzt) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD
BC556BBK Diotec Semiconductor BC556BBK 0,0241
RFQ
 ECAD 470 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BC556BBK 8541.21.0000 5000 65 100 май 15NA Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 150 мг
GBU6K-T Diotec Semiconductor GBU6K-T 0,3371
RFQ
 ECAD 5157 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU Станода GBU СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBU6K-T 8541.10.0000 1000 1 V @ 6 A 5 мк -400 4,2 а ОДИНАНАНА 800 В
GBUK8D Diotec Semiconductor Gbuk8d 2.1428
RFQ
 ECAD 1028 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU Станода GBU СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-Gbuk8d 8541.10.0000 1000 900 мВ @ 8 a 5 мка @ 190 8 а ОДИНАНАНА 190
SB5200 Diotec Semiconductor SB5200 -
RFQ
 ECAD 7039 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB5200TR 8541.10.0000 1700 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 200 900 мВ @ 5 a 100 мк. -50 ° C ~ 150 ° C. 5A -
GBI35A Diotec Semiconductor GBI35A 1.3377
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBI Станода GBI СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBI35A 8541.10.0000 500 1,1 В @ 17,5 а 5 мка прри 50 5 а ОДИНАНАНА 50
GBU12D Diotec Semiconductor Gbu12d 1.5875
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 4-sip, GBU Станода GBU СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-GBU12D 8541.10.0000 1000 1 V @ 12 A 5 мка При 200 8,4 а ОДИНАНАНА 200
KBPC10/15/2506FP Diotec Semiconductor KBPC10/15/2506FP 2.4357
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 4 Квадрата, KBPC Станода KBPC СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2721-KBPC10/15/2506FP 8541.10.0000 240 1,2 - @ 12,5 А 10 мк. 25 а ОДИНАНАНА 600
KYW25A6 Diotec Semiconductor KYW25A6 2.2009
RFQ
 ECAD 400 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен Чereз dыru DO-208AA Станода DO-208 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-KW25A6 8541.10.0000 400 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 1.1 V @ 25 A 1,5 мкс 100 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
DB25-14 Diotec Semiconductor DB25-14 5.0182
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI 5 Квадратн, DB-35 Станода Вд СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-DB25-14 Ear99 8541.10.0080 50 1,05 Е @ 12,5 А 10 мк @ 1400 25 а Трип 1,4 кв
P2500D Diotec Semiconductor P2500D 0,8070
RFQ
 ECAD 2891 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru P600, OSEVOй P2500 Станода P600 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-P2500DTR 8541.10.0000 1000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1.1 V @ 25 A 1,5 мкс 10 мк. -50 ° C ~ 175 ° C. 25 а -
SB890 Diotec Semiconductor SB890 0,3306
RFQ
 ECAD 1261 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru Do-201aa, Do-27, Osevoй ШOTKIй ДО-2011 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-SB890TR 8541.10.0000 1250 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 90 830 мВ @ 8 a 500 мкр. -50 ° C ~ 150 ° C. 8. -
DBI25-16A Diotec Semiconductor DBI25-16A 7.3883
RFQ
 ECAD 68 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 5-sip Станода DBI СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-DBI25-16A 8541.10.0000 15 1,05 Е @ 12,5 А 5 мка @ 1600 40 А. Трип 1,6 кв
3EZ100 Diotec Semiconductor 3EZ100 0,0995
RFQ
 ECAD 2771 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй 3 Вт Do15/do204ac СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-3EZ100TR 8541.10.0000 4000 1 мка При 50 В 100 60 ОМ
Z3SMC18 Diotec Semiconductor Z3SMC18 0,2393
RFQ
 ECAD 2251 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 3 Вт SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Z3SMC18TR 8541.10.0000 3000 1 мка рри 10в 18 6 ОМ
MM3Z9B1-AQ Diotec Semiconductor MM3Z9B1-AQ 0,0374
RFQ
 ECAD 9884 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F 300 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-MM3Z9B1-AQTR 8541.10.0000 3000 500 NA @ 6 V 9.1. 30 ОМ
SMZ51 Diotec Semiconductor SMZ51 0,0772
RFQ
 ECAD 7742 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 150 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF 2 Вт Melf do-213ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SMZ51TR 8541.10.0000 5000 1 мка 4 24 51 25 ОМ
ZMM30B Diotec Semiconductor ZMM30B 0,0358
RFQ
 ECAD 7716 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500 м SOD-80C СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Zmm30btr 8541.10.0000 2500 100 na @ 22 30 80 ОМ
ZMY12 Diotec Semiconductor ZMY12 0,0764
RFQ
 ECAD 6300 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF 1,3 Melf do-213ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Zmy12tr 8541.10.0000 5000 1 мка При 7в 12 4 О
SKL12 Diotec Semiconductor SKL12 0,0615
RFQ
 ECAD 5098 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOD-123F ШOTKIй SOD-123F (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SKL12TR 8541.10.0000 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 20 550 мВ @ 1 a 200 мк @ 20 -50 ° C ~ 150 ° C. 1A -
ZMD47 Diotec Semiconductor ZMD47 0,0802
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DO-213AA 1 Вт DO-213AA, мини-серрид СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Zmd47tr 8541.10.0000 2500 500 NA @ 31 V 47 В 70 ОМ
1N5393-AQ Diotec Semiconductor 1n5393-aq 0,1252
RFQ
 ECAD 4158 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй Станода Do15/do204ac СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-1N5393-AQTR 8541.10.0000 4000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 200 1,3 Е @ 1,5 А. 1,5 мкс 5 мка При 200 -50 ° C ~ 175 ° C. 1,5а -
SA265 Diotec Semiconductor SA265 0,2415
RFQ
 ECAD 8386 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-213AB, MELF Станода Melf do-213ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SA265TR 8541.10.0000 5000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 2000 г. 1,8 В @ 2 a 500 млн 5 мка @ 2000 -50 ° C ~ 175 ° C. 2A -
MM3Z6V2-AQ Diotec Semiconductor MM3Z6V2-AQ 0,0363
RFQ
 ECAD 8799 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F 300 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-MM3Z6V2-AQTR 8541.10.0000 3000 1 V @ 10 мая 1 мка @ 3 В 6,2 В. 10 ОМ
MM3Z18-AQ Diotec Semiconductor MM3Z18-AQ 0,0363
RFQ
 ECAD 111 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F 300 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-MM3Z18-AQTR 8541.10.0000 3000 1 V @ 10 мая 100 na @ 13 v 18 45 ОМ
ZMY22R7 Diotec Semiconductor ZMY22R7 0,0764
RFQ
 ECAD 8503 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF 1,3 Melf do-213ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Zmy22r7tr 8541.10.0000 1750 1 мка При 12в 22 6 ОМ
Z3SMC13 Diotec Semiconductor Z3SMC13 0,2393
RFQ
 ECAD 9458 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 3 Вт SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Z3SMC13TR 8541.10.0000 3000 1 мка При 7в 13 5 ОМ
Z3SMC160 Diotec Semiconductor Z3SMC160 0,2393
RFQ
 ECAD 7881 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AB, SMC 3 Вт SMC (DO-214AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Z3SMC160TR 8541.10.0000 3000 1 мка При 75 160 110 ОМ
SK3040CD2 Diotec Semiconductor SK3040CD2 0,6976
RFQ
 ECAD 6817 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Трубка Актифен Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SK3040 ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-SK3040CD2 8541.10.0000 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 40 15A 550 м. @ 15 A 500 мка 40, -50 ° C ~ 150 ° C.
MM3Z8B2 Diotec Semiconductor MM3Z8B2 0,0317
RFQ
 ECAD 1354 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-90, SOD-323F 300 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-MM3Z8B2TR 8541.10.0000 3000 500 NA @ 5 V 8,2 В. 30 ОМ
ZMY62 Diotec Semiconductor ZMY62 0,0764
RFQ
 ECAD 130 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DO-213AB, MELF 1,3 Melf do-213ab СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-Zmy62tr 8541.10.0000 5000 1 мка @ 28 62 25 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть