SIC
close

Дискретные полупроводниковые изделия(1242)

Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Тип полярного транзистора Ток — удержание (Ih) (Макс.) Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs ВГС (Макс) Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Особенность левого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Тип триака Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Напряжение — триггера затвора (Вгт) (макс.) Ток - нереп. Скачок 50, 60 Гц (Ицм) Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) Напряжение во включенном состоянии (Втм) (макс.) Текущее — состояние включения (It (AV)) (Макс.) Текущее состояние – выключено (макс.) Тип СКР Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход
BYQ28E-200,127 WeEn Semiconductors BYQ28E-200,127 0,7600
запросить цену
 ECAD 509 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYQ28 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 200 В 10А 1,25 В при 10 А 25 нс 10 мкА при 200 В 150°С (макс.)
BUJ100LR,126 WeEn Semiconductors BUJ100LR,126 0,0626
запросить цену
 ECAD 8685 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и коробка (ТБ) Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения БУЖ100 2,1 Вт ТО-92-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934063371126 EAR99 8541.29.0095 10 000 400 В 1 А 1 мА НПН 1,5 В при 250 мА, 750 мА 10 @ 400 мА, 5 В -
WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CJQ 3,4196
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Сквозное отверстие ТО-3П-3, СК-65-3 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-3ПФ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 480 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 650 В 20А 1,7 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В 175°С
WCR03-12WMX WeEn Semiconductors WCR03-12WMX 0,1621
запросить цену
 ECAD 8314 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-261-4, ТО-261АА WCR03 СК-73 скачать EAR99 8541.30.0080 4000 5 мА 1,25 кВ 1,25 А 800 мВ 20А, 22А 90 мкА 1,3 В 800 мА 1 мкА Чувствительные ворота
BUJ303CD,118 WeEn Semiconductors BUJ303CD,118 0,2830
запросить цену
 ECAD 2255 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 БУЖ303 80 Вт ДПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 2500 400 В 5 А 100 мкА НПН 1,5 В при 1 А, 3 А 28 @ 10 мА, 3 В -
BYV29B-600PJ WeEn Semiconductors BYV29B-600PJ 0,4125
запросить цену
 ECAD 8437 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ BYV29 Стандартный Д2ПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934072015118 EAR99 8541.10.0080 800 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,3 В @ 8 А 75 нс 10 мкА при 600 В 175°С (макс.) 9А -
BTA308S-800ETJ WeEn Semiconductors БТА308С-800ETJ 0,3059
запросить цену
 ECAD 3732 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 БТА308 ДПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934072024118 EAR99 8541.30.0080 2500 Одинокий 50 мА Логика — тонкие ворота 800 В 8 А 1 В 60А, 65А 10 мА
BYC30JT-600PSQ WeEn Semiconductors BYC30JT-600PSQ 1,6100
запросить цену
 ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-3ПФМ, СК-93-3 BYC30 Стандартный ТО-3ПФ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 1740-BYC30JT-600PSQ EAR99 8541.10.0080 480 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2,75 В при 30 А 22 нс 10 мкА при 600 В 175°С 30А -
BYC8X-600,127 WeEn Semiconductors BYC8X-600,127 1.1200
запросить цену
 ECAD 3 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка BYC8 Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2,9 В @ 8 А 52 нс 150 мкА при 600 В 150°С (макс.) 8А -
BT138B-800E,118 WeEn Semiconductors БТ138Б-800Э,118 0,4589
запросить цену
 ECAD 2865 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ БТ138 Д2ПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.30.0080 800 Одинокий 30 мА Логика — тонкие ворота 800 В 12 А 1,5 В 95А, 105А 10 мА
BT169G-MQP WeEn Semiconductors BT169G-MQP 0,0598
запросить цену
 ECAD 7303 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения БТ169 ТО-92-3 скачать 1 (без блокировки) 934069794116 EAR99 8541.30.0080 10 000 5 мА 600 В 800 мА 800 мВ 9А, 10А 60 мкА 1,7 В 500 мА 100 мкА Чувствительные ворота
BT151-650LTNQ WeEn Semiconductors БТ151-650LTNQ 0,6400
запросить цену
 ECAD 8 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 БТ151 ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.30.0080 50 20 мА 650 В 12 А 1 В 120А, 132А 5 мА 1,5 В 7,5 А 1 мА Чувствительные ворота
BT136B-800E,118 WeEn Semiconductors БТ136Б-800Э,118 0,2830
запросить цену
 ECAD 7739 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ БТ136 Д2ПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.30.0080 800 Одинокий 15 мА Логика — тонкие ворота 800 В 4 А 1,5 В 25А, 27А 10 мА
ACTT8B-800C0J WeEn Semiconductors ACTT8B-800C0J 0,4370
запросить цену
 ECAD 9268 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ ACTT8 Д2ПАК скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.30.0080 800 Одинокий 35 мА Стандартный 800 В 8 А 1 В 80А, 88А 30 мА
BYR29X-600,127 WeEn Semiconductors BYR29X-600 127 0,5610
запросить цену
 ECAD 7922 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка 29 белорусских рублей Стандартный ТО-220ФП скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,7 В @ 8 А 75 нс 10 мкА при 600 В 150°С (макс.) 8А -
BTA416X-800BTQ WeEn Semiconductors БТА416Х-800BTQ 0,9300
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 ВеЭн Полупроводники Б Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка БТА416 ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS Непригодный 1740-BTA416X-800BTQ EAR99 8541.30.0080 50 Одинокий 60 мА Логика — тонкие ворота 800 В 16 А 1 В 160А, 176А 50 мА
BTA312-800ET,127 WeEn Semiconductors БТА312-800ЭТ,127 1.1200
запросить цену
 ECAD 6 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 БТА312 ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.30.0080 50 Одинокий 15 мА Логика — тонкие ворота 800 В 12 А 1,5 В 95А, 105А 10 мА
WNSC2D201200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D201200CW6Q 4.1890
запросить цену
 ECAD 5335 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать EAR99 8541.10.0080 600 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 1200 В 20А 1,65 В @ 10 А 0 нс 110 мкА при 1200 В 175°С
BTA201-600E,112 WeEn Semiconductors БТА201-600Э,112 0,2116
запросить цену
 ECAD 2105 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный -40°С ~ 125°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения БТА201 ТО-92-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.30.0080 5000 Одинокий 12 мА Логика — тонкие ворота 600 В 1 А 1,5 В 12,5 А, 13,7 А 10 мА
WNSC2M1K0170WQ WeEn Semiconductors WNSC2M1K0170WQ 3,7616
запросить цену
 ECAD 5309 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК2 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247-3 скачать EAR99 8541.29.0095 240 N-канал 1700 В 7А (Та) 15В, 18В 1 Ом @ 1 А, 18 В 4,2 В при 800 мкА 12 НК при 18 В +22В, -10В 225 пФ при 1000 В - 79 Вт (Та)
NXPLQSC10650Q WeEn Semiconductors NXPLQSC10650Q -
запросить цену
 ECAD 1984 г. 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-220-2 НХПЛКСК SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,85 В @ 10 А 0 нс 230 мкА при 650 В 175°С (макс.) 10А 250пФ @ 1В, 1МГц
Z0103MA0,412 WeEn Semiconductors Z0103MA0,412 0,5100
запросить цену
 ECAD 4042 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный 125°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные заключения Z0103 ТО-92-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.30.0080 5000 Одинокий 7 мА Логика — тонкие ворота 600 В 1 А 1,3 В 12,5 А, 13,8 А 3 мА
BYQ42E-200Q WeEn Semiconductors BYQ42E-200Q 0,6270
запросить цену
 ECAD 1193 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYQ42 Стандартный ТО-220АБ скачать 1 (без блокировки) 934069644127 EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 200 В 15А 1,05 В @ 15 А 25 нс 20 мкА при 200 В 150°С (макс.)
WNSC2D10650WQ WeEn Semiconductors WNSC2D10650WQ 2,7600
запросить цену
 ECAD 1 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 1740-WNSC2D10650WQ EAR99 8541.10.0080 30 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В 175°С 10А 310пФ @ 1В, 1МГц
WNSC5D106506Q WeEn Semiconductors WNSC5D106506Q -
запросить цену
 ECAD 7918 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС - 1740-WNSC5D106506Q EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 10А 323пФ @ 1В, 1МГц
WNSC2D1012006Q WeEn Semiconductors WNSC2D1012006Q 1,4521
запросить цену
 ECAD 4911 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать EAR99 8541.10.0080 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,6 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С 10А 481пФ @ 1В, 1МГц
NUR460P/L07U WeEn Semiconductors НУР460П/Л07У -
запросить цену
 ECAD 2363 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Устаревший Сквозное отверстие ДО-201АД, Осевой НУР460 Стандартный ДО-201АД скачать 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8541.10.0080 500 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 1,28 В при 4 А 75 нс 10 мкА при 600 В - 4А -
WNSCM160120WQ WeEn Semiconductors WNSCM160120WQ 5.2221
запросить цену
 ECAD 1676 г. 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный -55°С ~ 175°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСКМ160120 МОП-транзистор (оксид металла) ТО-247-3 скачать EAR99 8541.29.0095 600 N-канал 1200 В 24А (Та) 20 В 196 мОм при 10 А, 20 В 4,5 В при 3 мА 35 НК при 20 В +25В, -10В 736 пФ при 1000 В - 155 Вт (Та)
WNSC5D10650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D10650T6J -
запросить цену
 ECAD 7976 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж 4-ВСФН Открытая площадка ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки 5-ДФН (8х8) - 1740-WNSC5D10650T6JTR EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 10А 323пФ @ 1В, 1МГц
WNSC051200Q WeEn Semiconductors WNSC051200Q 2,8875
запросить цену
 ECAD 1127 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК0 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,6 В при 5 А 0 нс 50 мкА при 1200 В 175°С (макс.) 5А 250пФ @ 1В, 1МГц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе

Список запросов цен (0 позиций)
Список корзины (0 товаров)
WishlistСписок желаний (0 шт.)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Открытая площадка

Количество: 1

Список сравнения (0 позиций)
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.