SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Мощность - Макс. Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Конфигурация Скорость Ток — удержание (Ih) (Макс.) Тип триака Напряжение – выключенное состояние Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) Напряжение — триггер ворот (Vgt) (макс.) Ток — нереп. Скачок 50, 60 Гц (Ицм) Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) Напряжение во включенном состоянии (Втм) (макс.) Текущее — состояние включения (It (AV)) (Макс.) Текущее состояние – выключено (макс.) Тип СКР Конфигурация диода Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If Время обратного восстановления (trr) Ток – обратная утечка @ Vr Рабочая температура - соединение Ток – средний выпрямленный (Io) Эмкость @ Вр, Ф Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Тип диода Напряжение — пиковое обратное (макс.) Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход
ACTT12B-800CTJ WeEn Semiconductors ACTT12B-800CTJ 0,4747
запросить цену
ECAD 4347 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ АКТТ12 Д2ПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.30.0080 800 Одинокий 50 мА Стандартный 800 В 12 А 1 В 120А, 132А 35 мА
BT137B-600E,118 WeEn Semiconductors БТ137Б-600Э,118 0,3059
запросить цену
ECAD 1431 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ БТ137 Д2ПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.30.0080 800 Одинокий 20 мА Логика — тонкие ворота 600 В 8 А 1,5 В 65А, 71А 10 мА
BT258-600R,127 WeEn Semiconductors БТ258-600Р,127 0,9500
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный -40°С ~ 125°С Сквозное отверстие ТО-220-3 БТ258 ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.30.0080 1000 6 мА 600 В 8 А 1,5 В 75А, 82А 200 мкА 1,6 В 5 А 500 мкА Чувствительные ворота
Z0103NN0,135 WeEn Semiconductors Z0103NN0,135 0,4600
запросить цену
ECAD 27 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный 125°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-261-4, ТО-261АА Z0103 СК-73 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.30.0080 4000 Одинокий 7 мА Логика — тонкие ворота 800 В 1 А 1,3 В 12,5 А, 13,8 А 3 мА
MAC97A8/DG,412 WeEn Semiconductors МАК97А8/ДГ,412 0,1117
запросить цену
ECAD 4749 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный 125°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) МАК97 ТО-92-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934065975412 EAR99 8541.30.0080 5000 Одинокий 10 мА Логика — тонкие ворота 400 В 600 мА 2 В 8А, 8,8А 5 мА
BT137X-600/L02Q WeEn Semiconductors БТ137С-600/Л02К 0,3265
запросить цену
ECAD 9412 0,00000000 ВеЭн Полупроводники * Трубка Активный 125°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка БТ137 ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934068687127 EAR99 8541.30.0080 600 Одинокий 20 мА Стандартный 600 В 8 А 1,5 В 65А, 71А 70 мА
PHE13009,127 WeEn Semiconductors PHE13009,127 0,2991
запросить цену
ECAD 1454 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 PHE13 80 Вт ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.29.0095 50 400 В 12 А 100 мкА НПН 2 В при 1,6 А, 8 А 8 @ 5А, 5В -
TYN16X-800RT,127 WeEn Semiconductors TYN16X-800RT, 127 0,3365
запросить цену
ECAD 2451 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный -40°С ~ 150°С Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка TYN16 ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934066182127 EAR99 8541.30.0080 50 40 мА 800 В 16 А 1,3 В 210А, 231А 25 мА 1,5 В 10,2 А 1 мА Стандартное восстановление
NXPSC08650D6J WeEn Semiconductors NXPSC08650D6J 4.7400
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Последняя покупка Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 НКПСК SiC (карбид кремния) Шоттки ДПАК скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 2500 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В @ 8 А 0 нс 230 мкА при 650 В 175°С (макс.) 260пФ @ 1В, 1МГц
BYC5-600,127 WeEn Semiconductors BYC5-600,127 0,8700
запросить цену
ECAD 17 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 BYC5 Стандартный ТО-220АС скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 500 В 2,9 В при 5 А 50 нс 100 мкА при 600 В 150°С (макс.) -
BYQ28E-200E,127 WeEn Semiconductors BYQ28E-200E, 127 0,7200
запросить цену
ECAD 4801 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYQ28 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 200 В 10А 1,25 В при 10 А 25 нс 10 мкА при 200 В 150°С (макс.)
BYC30W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC30W-1200PQ 3.0400
запросить цену
ECAD 851 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 BYC30 Стандартный ТО-247-2 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934072005127 EAR99 8541.10.0080 30 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1200 В 3,3 В при 30 А 65 нс 250 мкА при 1200 В 175°С (макс.) 30А -
BYT28-500,127 WeEn Semiconductors BYT28-500127 0,5574
запросить цену
ECAD 1250 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 БЮТ28 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 1000 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 500 В 10А 1,4 В при 10 А 60 нс 10 мкА при 500 В 150°С (макс.)
WNSC2D101200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D101200WQ 4.7000
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-2 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 1740-WNSC2D101200WQ EAR99 8541.10.0080 600 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,65 В при 10 А 0 нс 110 мкА при 1200 В 175°С 10А 490пФ @ 1В, 1МГц
BYV410-600,127 WeEn Semiconductors БВ410-600,127 1,6000
запросить цену
ECAD 10 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 BYV410 Стандартный ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 600 В 20А 2,1 В при 10 А 35 нс 50 мкА при 600 В 150°С (макс.)
WDMF75M16T WeEn Semiconductors ВДМФ75М16Т 25,7984
запросить цену
ECAD 2484 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 150°С (ТДж) Крепление на шасси Модуль ВДМФ75 Стандартный WMM01 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 8 1,25 В при 75 А 50 мкА при 1600 В 75 А Трехфазный 1,6 кВ
WNS20S100CXQ WeEn Semiconductors WNS20S100CXQ 0,2805
запросить цену
ECAD 9647 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка ВНС20 Шоттки ТО-220Ф скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 10А 950 мВ при 10 А 50 мкА при 100 В 150°С (макс.)
WNSC401200CWQ WeEn Semiconductors ВНСК401200CWQ 11.5500
запросить цену
ECAD 6471 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Последняя покупка Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК4 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 30 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1200 В 1,75 В при 20 А 0 нс 200 мкА при 1200 В 175°С (макс.) 40А 810пФ @ 1В, 1МГц
WND10M600XQ WeEn Semiconductors ВНД10М600XQ 0,3419
запросить цену
ECAD 9013 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка ВНД10 Стандартный ТО-220Ф скачать EAR99 8541.10.0080 1000 Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) 600 В 980 мВ при 10 А 10 мкА при 600 В 150°С 10А -
WNSC2D06650Q WeEn Semiconductors WNSC2D06650Q 1,8700
запросить цену
ECAD 3 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220АС скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 1740-WNSC2D06650Q EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 6 А 0 нс 30 мкА при 650 В 175°С 198пФ @ 1В, 1МГц
WN3S40H100CQ WeEn Semiconductors WN3S40H100CQ 1.0500
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 ВН3С40 Шоттки ТО-220АБ скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 20А 710 мВ при 20 А 50 мкА при 100 В 150°С
BT151-1000RT,127 WeEn Semiconductors БТ151-1000РТ,127 0,9600
запросить цену
ECAD 11 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный -40°С ~ 150°С Сквозное отверстие ТО-220-3 БТ151 ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.30.0080 50 20 мА 1 кВ 12 А 1,5 В 120А, 131А 15 мА 1,75 В 7,5 А 2,5 мА Стандартное восстановление
WN3S40H100CXQ WeEn Semiconductors WN3S40H100CXQ 1.1200
запросить цену
ECAD 5 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка ВН3С40 Шоттки ТО-220Ф скачать 1 (без блокировки) EAR99 8541.10.0080 50 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 1 пара с общим катодом 100 В 20А 710 мВ при 20 А 50 мкА при 100 В 150°С
WNSC5D10650B6J WeEn Semiconductors WNSC5D10650B6J -
запросить цену
ECAD 5688 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Лента и катушка (TR) Активный Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 ВНСК5 SiC (карбид кремния) Шоттки ДПАК - 1740-WNSC5D10650B6JTR EAR99 8541.10.0080 1 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 10 А 0 нс 50 мкА при 650 В -55°С ~ 175°С 10А 323пФ @ 1В, 1МГц
BTA203-800CT/L01EP WeEn Semiconductors БТА203-800CT/L01EP 0,1530
запросить цену
ECAD 7984 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) БТА203 ТО-92-3 скачать EAR99 8541.30.0080 2000 г. Одинокий 30 мА Стандартный 800 В 3 А 1 В 27А, 30А 30 мА
BTA308X-800ETQ WeEn Semiconductors БТА308Х-800ETQ 0,3365
запросить цену
ECAD 2890 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный 150°С (ТДж) Поверхностный монтаж ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 БТА308 ДПАК скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 934072026127 EAR99 8541.30.0080 1000 Одинокий 50 мА Логика — тонкие ворота 800 В 8 А 1 В 60А, 65А 10 мА
BYC30WT-600PSQ WeEn Semiconductors BYC30WT-600PSQ 1,3879
запросить цену
ECAD 4791 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Масса Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 BYC30 Стандартный ТО-247-3 скачать EAR99 8541.10.0080 600 Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) 600 В 2,75 В при 30 А 35 нс 10 мкА при 600 В 175°С 30А -
BT138Y-800E,127 WeEn Semiconductors БТ138И-800Э,127 0,5584
запросить цену
ECAD 8470 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный 125°С (ТДж) Сквозное отверстие ТО-220-3 Изолированная вкладка БТ138 ТО-220АБ скачать Соответствует RoHS 1 (без блокировки) EAR99 8541.30.0080 1000 Одинокий 30 мА Логика — тонкие ворота 800 В 12 А 1,5 В 95А, 105А 10 мА
WNSC2D04650XQ WeEn Semiconductors WNSC2D04650XQ 1,3900
запросить цену
ECAD 2 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-220Ф - Соответствует RoHS 1 (без блокировки) 1740-WNSC2D04650XQ EAR99 8541.10.0080 50 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 650 В 1,7 В при 4 А 0 нс 20 мкА при 650 В 175°С 125пФ @ 1В, 1МГц
WNSC2D101200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D101200CW6Q 2.0518
запросить цену
ECAD 9405 0,00000000 ВеЭн Полупроводники - Трубка Активный Сквозное отверстие ТО-247-3 ВНСК2 SiC (карбид кремния) Шоттки ТО-247-3 скачать EAR99 8541.10.0080 600 Нет времени восстановления > 500 мА (Io) 1 пара с общим катодом 1200 В 10А 1,6 В при 5 А 0 нс 25 мкА при 1200 В -55°С ~ 175°С
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе