Дискретные полупроводниковые изделия(1)

Изображение	Номер продукта	Цена (долл. США)	Количество	ЭКАД	Доступное количество	Вес (кг)	Производитель	Ряд	Упаковка	Статус продукта	Рабочая температура	Тип монтажа	Пакет/ключи	Технология	Мощность - Макс.	Поставщик пакета оборудования	Техническая спецификация	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Стандартный пакет	Конфигурация	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Особенность левого транзистора
	WI62195	6.4200	запросить цену		2340	0,00000000	Мудрая интеграция	WiseGan™	Поднос	Активный	-40°С ~ 150°С (ТДж)	Поверхностный монтаж	14-PowerLDFN	GaNFET (нитрид галлия)	-	14-PQFN (6x8)	скачать	3 (168 часов)	1500	2 П-канала (полумост)	750В	9А (Тдж)	250 мОм при 2 А, 6 В	1,75 В @ 10 мА	1,9 НК при 6 В	53,5 пФ при 400 В	GaNFET (нитрид галлия)

2000+