- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Дискретные полупроводниковые изделия(41)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Напряжение - номинальное | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Частота | Технология | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Конфигурация | Скорость | Тип полярного транзистора | Текущий рейтинг (А) | Текущий — Тест | Мощность — Выход | Прирост | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | ВГС (Макс) | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Особенность левого транзистора | Рассеиваемая мощность (макс.) | Коэффициент шума | Конфигурация диода | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Время обратного восстановления (trr) | Ток – обратная утечка @ Vr | Рабочая температура - соединение | Напряжение - Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | СС150ТК60110 | - |  | 4711 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | - | Трубка | Устаревший | Поверхностный монтаж | 6-SMD, открытая площадка с выводами | СС150 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ДЭ150 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 3 Общий Катод | 600 В | 10А | 1,8 В @ 5 А | 0 нс | 50 мкА при 600 В | -55°С ~ 175°С | |||||||||||||||||||||||||
 | 275Х2-501Н16А-00 | - | | 8481 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | DE | Трубка | Устаревший | 500 В | 8-SMD, открытая площадка с выводом | 275Х2-501 | - | МОП-транзистор | DE275 | скачать | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | DE275X2-501N16A-00 | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 2 N-канала (двойной) | 16А | 1180 Вт | - | - | |||||||||||||||||||||||||
 | IXЖ10Н50Л2Б | - | | 5022 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | Z-MOS™ | Трубка | Устаревший | 500 В | ТО-247-3 | 70 МГц | МОП-транзистор | ТО-247 (IXFH) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 10А | 200 Вт | 17 дБ | - | 100 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ДЕ150-501Н04А | - | | 2682 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | DE | Трубка | Устаревший | 500 В | 6-SMD, открытая площадка с выводами | ДЭ150 | - | МОП-транзистор | ДЭ150 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | N-канал | 4,5 А | 25 мкА | 200 Вт | - | - | ||||||||||||||||||||||||
 | СС275ТК12205 | - | | 8110 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | - | Трубка | Устаревший | Поверхностный монтаж | 6-SMD, открытая площадка с выводами | СС275 | SiC (карбид кремния) Шоттки | DE275 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 3 Общий Катод | 1200 В | 5А | 1,8 В @ 5 А | 0 нс | 200 мкА при 1200 В | -55°С ~ 175°С | |||||||||||||||||||||||||
| IXZ308N120 | - | | 6358 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | Z-MOS™ | Трубка | Устаревший | 1200 В | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 65 МГц | МОП-транзистор | DE375 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-канал | 8А | 880 Вт | 23 дБ | - | 100 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 275Х2-102Н06А-00 | - | | 4279 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | DE | Трубка | Устаревший | 1000 В | 8-SMD, открытая площадка с выводом | 275Х2-102 | - | МОП-транзистор | DE275 | скачать | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 2 N-канала (двойной) | 8А | 1180 Вт | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | IXZR08N120B-00 | - | | 4397 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | Z-MOS™ | Трубка | Устаревший | 1200 В | ТО-247-3 | 65 МГц | МОП-транзистор | ПЛЮС247™-3 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 8А | 250 Вт | 23 дБ | - | 100 В | |||||||||||||||||||||||||||
| ДЕ475-102Н21А | - | | 3029 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | DE | Трубка | Устаревший | 1000 В | 6-SMD, открытая площадка с выводами | DE475 | - | МОП-транзистор | DE475 | скачать | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-канал | 24А | 1800 Вт | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 275-501Н16А-00 | - | | 6436 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | DE | Трубка | Устаревший | 500 В | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 275-501 | - | МОП-транзистор | DE275 | скачать | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 16А | 590 Вт | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 150-201Н09А-00 | - | | 7476 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | DE | Трубка | Устаревший | 200 В | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 150-201 | - | МОП-транзистор | ДЭ150 | скачать | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | ДЕ150-201Н09А-00 | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | N-канал | 9А | 200 Вт | - | - | |||||||||||||||||||||||||
 | IXZ2210N50L2 | - | | 3521 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | Z-MOS™ | Трубка | Устаревший | 500 В | 8-SMD, открытая площадка с выводом | IXZ2210 | 70 МГц | МОП-транзистор | - | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 2 N-канала (двойной) | 10А | 270 Вт | 17 дБ | - | 100 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXZR18N50A-00 | - | | 2333 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | Z-MOS™ | Трубка | Устаревший | 500 В | ТО-247-3 | IXZR18 | 65 МГц | МОП-транзистор | ПЛЮС247™-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 19А | 350 Вт | 23 дБ | - | 100 В | |||||||||||||||||||||||||
 | IXRFSM12N100 | - | | 7509 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | СМПД | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 16-БЕСОП (0,790 дюймов, ширина 20,11 мм), 15 выводов, открытая площадка | IXRFSM12 | МОП-транзистор (оксид металла) | 16-СМПД | - | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 1000 В | 12А (Тс) | 15 В | 1,05 Ом при 6 А, 15 В | 5,5 В при 250 мкА | 77 НК при 10 В | ±20 В | 2875 пФ при 800 В | - | 940 Вт | |||||||||||||||||||||
| ДЕ375-102Н12А | - | | 6829 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | DE | Трубка | Устаревший | 1000 В | 6-SMD, открытая площадка с выводами | DE375 | - | МОП-транзистор | DE375 | скачать | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-канал | 12А | 940 Вт | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| СС150ТА60110 | - | | 2555 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | - | Трубка | Устаревший | Поверхностный монтаж | 6-SMD, открытая площадка с выводами | СС150 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ДЭ150 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 3 Общий анод | 600 В | 10А | 1,8 В @ 5 А | 0 нс | 50 мкА при 600 В | -55°С ~ 175°С | |||||||||||||||||||||||||
| IXZR18N50 | - | | 5296 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | Z-MOS™ | Трубка | Устаревший | 500 В | ТО-247-3 | 65 МГц | МОП-транзистор | ПЛЮС247™-3 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 19А | 350 Вт | 23 дБ | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| ДЕ275-102Н06А | - | | 3265 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | DE | Трубка | Устаревший | 1000 В | 6-SMD, открытая площадка с выводами | DE275 | - | МОП-транзистор | DE275 | скачать | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 8А | 590 Вт | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | IXЖ16Н60 | - | | 7625 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | - | Трубка | Устаревший | 600 В | ТО-247-3 | - | МОП-транзистор | ТО-247АД | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 1 мА | 350 Вт | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| IXZR18N50B-00 | - | | 3689 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | Z-MOS™ | Трубка | Устаревший | 500 В | ТО-247-3 | 65 МГц | МОП-транзистор | ПЛЮС247™-3 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 19А | 350 Вт | 23 дБ | - | 100 В | ||||||||||||||||||||||||||
| IXZR08N120 | - | | 7770 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | Z-MOS™ | Трубка | Устаревший | 1200 В | ТО-247-3 | 65 МГц | МОП-транзистор | ПЛЮС247™-3 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 8А | 250 Вт | 23 дБ | - | 100 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 375-0001 | - | | 7194 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | - | Трубка | Устаревший | Сквозное отверстие | ТО-247-3 | 375-000 | - | - | ТО-247АД | - | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| 150-101Н09А-00 | - | | 4176 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | DE | Трубка | Устаревший | 100 В | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 150-101 | - | МОП-транзистор | ДЭ150 | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | ДЕ150-101Н09А-00 | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | N-канал | 9А | 200 Вт | - | - | ||||||||||||||||||||||||
| IXZ210N50L2 | - | | 1775 г. | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | Z-MOS™ | Трубка | Устаревший | 500 В | 6-SMD, открытая площадка с выводами | IXZ210 | 70 МГц | МОП-транзистор | DE275 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 10А | 390 Вт | 17 дБ | - | 100 В | |||||||||||||||||||||||||
| IXRFSM18N50 | - | | 5944 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | СМПД | Трубка | Устаревший | -55°С ~ 150°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 16-БЕСОП (0,790 дюймов, ширина 20,11 мм), 15 выводов, открытая площадка | IXRFSM18 | МОП-транзистор (оксид металла) | 16-СМПД | - | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 500 В | 19А (Тс) | 20 В | 340 мОм при 9,5 А, 20 В | 6,5 В @ 250 мкА | 42 НК при 10 В | ±20 В | 2250 пФ при 400 В | - | 835 Вт | |||||||||||||||||||||
| IXZ318N50 | - | | 8163 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | Z-MOS™ | Трубка | Устаревший | 500 В | 6-SMD, открытая площадка с выводами | 65 МГц | МОП-транзистор | DE375 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-канал | 19А | 880 Вт | 23 дБ | - | 100 В | |||||||||||||||||||||||||||
| IXЖ10Н50Л2А | - | | 2779 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | Z-MOS™ | Трубка | Устаревший | 500 В | ТО-247-3 | 70 МГц | МОП-транзистор | ТО-247 (IXFH) | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-канал | 10А | 200 Вт | 17 дБ | - | 100 В | |||||||||||||||||||||||||||
| СС275ТА12205 | - | | 3662 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | - | Трубка | Устаревший | Поверхностный монтаж | 6-SMD, открытая площадка с выводами | СС275 | SiC (карбид кремния) Шоттки | DE275 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 3 Общий анод | 1200 В | 5А | 1,8 В @ 5 А | 0 нс | 200 мкА при 1200 В | -55°С ~ 175°С | |||||||||||||||||||||||||
| СС150ТИ60110 | - | | 1132 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | - | Трубка | Устаревший | Поверхностный монтаж | 6-SMD, открытая площадка с выводами | СС150 | SiC (карбид кремния) Шоттки | ДЭ150 | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 3 независимых | 600 В | 10А | 1,8 В @ 5 А | 0 нс | 50 мкА при 600 В | -55°С ~ 175°С | |||||||||||||||||||||||||
| ДЕ150-102Н02А | - | | 6942 | 0,00000000 | ИКСИС-РФ | DE | Трубка | Устаревший | 1000 В | 6-SMD, открытая площадка с выводами | ДЭ150 | - | МОП-транзистор | ДЭ150 | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | Затронуто REACH | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | N-канал | 2А | 200 Вт | - | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)