SIC
close

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (31214)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС Стрктура ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Скороп Current - Hold (IH) (MMAKS) На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Current - On State (It (av)) (MMAKS) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Колиство, диди На Иппедс (mmaks) (zzt)
8EWS12STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ews12strl -
RFQ
 ECAD 6269 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 8ews12 Станода D-PAK (DO 252AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 1200 1.1 V @ 8 A 50 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 8. -
BZG05C4V7-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C4V7-HM3-18 0,1172
RFQ
 ECAD 5371 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,38% 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA BZG05C4V7 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 6000 1,2 - @ 200 Ма 3 мка @ 1 В 4,7 В. 13 О
BZD27B3V9P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B3V9P-E3-18 0,1155
RFQ
 ECAD 7278 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZD27B Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-219AB BZD27B3V9 800 м DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 50 000 1,2 - @ 200 Ма 50 мк @ 1 В 3,9 В. 8 О
MMSZ5231B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5231B-E3-08 0,2700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 MMSZ5231 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 5 мка @ 2 5,1 В. 17 О
RS2JHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs2jhe3_a/h 0,1650
RFQ
 ECAD 8145 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер DO-214AA, SMB RS2J Станода DO-214AA (SMB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 750 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 Е @ 1,5 А. 250 млн 5 мк. -55 ° C ~ 150 ° С. 1,5а 17pf @ 4V, 1 мгха
BZM55B9V1-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55B9V1-TR 0,3200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101, BZM55 Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер 2-SMD, neTLIDERSTVA BZM55B9V1 500 м МИКРЕМЕЛЯ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1,5 - @ 200 Ма 100 na @ 6,8 9.1. 50 ОМ
BZG03C270TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C270TR -
RFQ
 ECAD 4661 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Bzg03c Lenta и катахка (tr) Управо - -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер DO-214AC, SMA BZG03 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 1,2 Е @ 500 Ма 1 мка, 200 270 1000 ОМ
SMBZ5927B-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5927B-M3/52 0,1906
RFQ
 ECAD 5096 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер DO-214AA, SMB SMBZ5927 550 м DO-214AA (SMBJ) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 750 1,5 - @ 200 Ма 1 мка, 9,1 12 6,5 ОМ
BZG05B3V3-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B3V3-HE3-TR3 -
RFQ
 ECAD 4626 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZG05B Lenta и катахка (tr) Управо ± 2,12% 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA BZG05 1,25 Вт DO-214AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0050 6000 1,2 - @ 200 Ма 40 мка При 1в 3.3в 20 ОМ
ZPY56-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Zpy56-tap 0,0545
RFQ
 ECAD 2282 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и коробка (TB) Актифен ± 5% 175 ° С Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй ZPY56 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Zpy56tap Ear99 8541.10.0050 25 000 500 NA @ 42 V 56 50 ОМ
TZX15B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX15B-TR 0,2300
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101, TZX Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй TZX15 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 - @ 200 Ма 1 мка рри 11,5 15 40 ОМ
BZT52C4V7-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C4V7-G3-08 0,3100
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZT52-G Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 BZT52C4V7 410 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 4,7 В. 70 ОМ
12CTQ045S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12CTQ045S -
RFQ
 ECAD 1885 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 12ctq ШOTKIй TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 15A 560 мВ @ 15 A 1,75 мая @ 45 -55 ° C ~ 175 ° C.
GDZ2V4B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V4B-E3-08 0,4000
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay GDZ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 4% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 GDZ2V4 200 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 120 мк -перо 1 2,4 В. 100 ОМ
VLZ9V1-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ9V1-GS18 -
RFQ
 ECAD 5624 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101, VLZ Lenta и катахка (tr) Управо - -55 ° C ~ 175 ° C. Пефер SOD-80 ВАРИАНТ VLZ9V1 500 м SOD-80 Quadromelf СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 - @ 200 Ма 9.1. 8 О
BZG05B91-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B91-HE3-TR3 -
RFQ
 ECAD 7381 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZG05B Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA BZG05 1,25 Вт DO-214AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0050 6000 1,2 - @ 200 Ма 500 NA @ 68 V 91 250 ОМ
SML4745HE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4745HE3/5A -
RFQ
 ECAD 7468 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно ± 10% 150 ° С Пефер DO-214AC, SMA SML4745 1 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 7500 5 мк. 16 16 ОМ
BZD27C3V9P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C3V9P-M3-08 0,4500
RFQ
 ECAD 8566 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZD27-M Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-219AB BZD27C3V9 800 м DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 30 000 1,2 - @ 200 Ма 50 мк @ 1 В 3,9 В. 8 О
MMSZ5238C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5238C-E3-18 0,0433
RFQ
 ECAD 3568 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 MMSZ5238 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 3 мка рри 6,5 8,7 В. 8 О
TLZ6V2A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ6V2A-GS08 0,0335
RFQ
 ECAD 5067 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay TLZ Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ6V2 500 м SOD-80 Минимум СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 12 500 1,5 - @ 200 Ма 3 мка @ 4 В 6,2 В. 10 ОМ
BZG05B56-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B56-M3-18 0,1980
RFQ
 ECAD 8378 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZG05B-M Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA BZG05B56 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 6000 1,2 - @ 200 Ма 500 NA @ 43 V 56 120 ОМ
GDZ20B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ20B-G3-08 0,3300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay GDZ-G Lenta и катахка (tr) Актифен ± 4% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 GDZ20 200 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 Na @ 15 V 20 85 ОМ
BZT52B47-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B47-G3-08 0,0483
RFQ
 ECAD 4630 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZT52-G Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 BZT52B47 410 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 15 000 100 na @ 35 47 В 70 ОМ
GP15BHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP15BHE3/54 -
RFQ
 ECAD 5793 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и катахка (tr) Управо Чereз dыru DO-204AC, DO-15, OSEVOй GP15 Станода DO-204AC (DO-15) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 4000 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 100 1,1 В @ 1,5 А. 3,5 мкс 5 мк -4 100 -65 ° C ~ 175 ° C. 1,5а -
BZX384C4V7-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C4V7-E3-08 0,2400
RFQ
 ECAD 56 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZX384 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 BZX384C4V7 200 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 3 мка @ 2 4,7 В. 80 ОМ
PLZ7V5A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Plz7v5a-hg3_a/h 0,3600
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автор, AEC-Q101, пл Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,63% 150 ° C (TJ) Пефер DO-219AC PLZ7V5 960 м DO-219AC (MicroSMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4500 900 мВ @ 10 мая 500 NA @ 4 V 7,04 8 О
VS-VSKN91/12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKN91/12 39.3040
RFQ
 ECAD 3316 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI Add-a-pak (3 + 4) VSKN91 Сэриовать СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSVSKN9112 Ear99 8541.30.0080 10 250 май 1,2 кв 210 а 2,5 В. 2000a, 2094a 150 май 95 а 1 SCR, 1 DIOD
BZD17C30P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C30P-E3-08 0,1492
RFQ
 ECAD 6445 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер DO-219AB BZD17C30 800 м DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 30 000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка 4 22 30
BZD27C68P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C68P-E3-08 0,4500
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZD27C Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-219AB BZD27C68 800 м DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка @ 51в 68 В 80 ОМ
BZX84C8V2-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C8V2-E3-08 0,2300
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZX84 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C8V2 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 700 NA @ 5 V 8,2 В. 15 О
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть