SIC
close

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (31214)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС Стрктура ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Current - Hold (IH) (MMAKS) На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Napraheneeee - nan -coStoanaonik Current - On State (It (av)) (MMAKS) ТОК - ВНЕТАТА (МАКС) ТИП СКР Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Колиство, диди На Иппедс (mmaks) (zzt)
VS-ST333C04CFM1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST333C04CFM1 102.2475
RFQ
 ECAD 4896 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Прохл -40 ° C ~ 125 ° C. ШASCI TO-200AB, E-Puk ST333 TO-200AB (E-PUK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSST333C04CFM1 Ear99 8541.30.0080 12 600 май 400 1435 А. 3 В 9250A, 9700A 200 май 1,96 720 А. 50 май Станодано
VS-12TTS08STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TTS08STRL-M3 0,9387
RFQ
 ECAD 9950 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 12tts08 TO-263AB (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.30.0080 800 30 май 800 В 12,5 а 1 V. 110a @ 50 gц 15 май 1,2 В. 8 а 1 май Станодано
AZ23C33-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C33-E3-18 0,0415
RFQ
 ECAD 7862 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay AZ23 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C33 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 пар 100 Na @ 25 V 33 В 80 ОМ
VLZ3V9B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ3V9B-GS18 -
RFQ
 ECAD 8382 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101, VLZ Lenta и катахка (tr) Управо - -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер SOD-80 ВАРИАНТ VLZ3V9 500 м SOD-80 Quadromelf СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 - @ 200 Ма 3 мка @ 1 В 4,03 В. 50 ОМ
BZG05C75-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C75-HM3-08 0,4200
RFQ
 ECAD 248 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6% 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA BZG05C75 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 1,2 - @ 200 Ма 500 NA @ 56 V 75 135 ОМ
TZMC5V6-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC5V6-M-08 0,0324
RFQ
 ECAD 1331 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автор, AEC-Q101, TZM-M Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMC5V6 500 м SOD-80 Минимум СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 12 500 1,5 - @ 200 Ма 100 Na @ 1 V 5,6 В. 40 ОМ
BZG03B22TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B22TR3 -
RFQ
 ECAD 5192 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZG03B Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA BZG03 1,25 Вт DO-214AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0050 6000 1,2 Е @ 500 Ма 1 мка @ 16 22 15 О
VS-ST1000C22K1L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST1000C22K1L 290.1650
RFQ
 ECAD 5775 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Зaжimatth TO-200AC, K-PUK, A-24 ST1000 A-24 (K-PUK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSST1000C22K1L Ear99 8541.30.0080 2 600 май 2,2 К. 2913 а 3 В 17000a, 18100a 200 май 1,8 В. 1473 А. 100 май Станодано
MMSZ5240C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5240C-HE3-18 0,0454
RFQ
 ECAD 3149 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Прохл ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 MMSZ5240 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 3 мка @ 8 10 17 О
BZG05B3V3-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B3V3-HE3-TR3 -
RFQ
 ECAD 4626 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZG05B Lenta и катахка (tr) Управо ± 2,12% 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA BZG05 1,25 Вт DO-214AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0050 6000 1,2 - @ 200 Ма 40 мка При 1в 3.3в 20 ОМ
TZX15B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX15B-TR 0,2300
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101, TZX Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй TZX15 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 - @ 200 Ма 1 мка рри 11,5 15 40 ОМ
VS-VSKL26/10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKL26/10 36.6380
RFQ
 ECAD 8590 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI Add-a-pak (3 + 4) VSKL26 Сэриовать СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSVSKL2610 Ear99 8541.30.0080 10 200 май 1 к 60 а 2,5 В. 400A, 420A 150 май 27 а 1 SCR, 1 DIOD
VS-16TTS08FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16TTS08FPPBF -
RFQ
 ECAD 1254 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо -40 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 220-3- 16tts08 TO-220AB Full-Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.30.0080 1000 100 май 800 В 16 а 2 V. 200a @ 50 gц 60 май 1,4 В. 10 а 500 мк Станодано
BZG05B91-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B91-HE3-TR3 -
RFQ
 ECAD 7381 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZG05B Lenta и катахка (tr) Управо ± 2% 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA BZG05 1,25 Вт DO-214AC - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0050 6000 1,2 - @ 200 Ма 500 NA @ 68 V 91 250 ОМ
VS-ST333S08MFL1P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST333S08MFL1P 242.6017
RFQ
 ECAD 9721 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Прохл -40 ° C ~ 125 ° C. ШAsci, Стало TO-209ae, до 118-4, Stud ST333 TO-209ae (DO 118) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSST333S08MFL1P Ear99 8541.30.0080 6 600 май 800 В 518 а 3 В 9250A, 9700A 200 май 1,96 330 А. 50 май Станодано
BZG05C62-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C62-HM3-18 0,1172
RFQ
 ECAD 9418 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,45% 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA BZG05C62 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 6000 1,2 - @ 200 Ма 500 NA @ 47 V 62 125 ОМ
Z47-BO123-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z47-BO123-G3-08 -
RFQ
 ECAD 7734 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.10.0050 3000
PLZ7V5A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Plz7v5a-hg3_a/h 0,3600
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автор, AEC-Q101, пл Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2,63% 150 ° C (TJ) Пефер DO-219AC PLZ7V5 960 м DO-219AC (MicroSMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4500 900 мВ @ 10 мая 500 NA @ 4 V 7,04 8 О
GDZ30B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ30B-HE3-18 0,0378
RFQ
 ECAD 1783 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автор, AEC-Q101, GDZ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 4% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 GDZ30 200 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 100 Na @ 23 В 30 200 ОМ
BZG03C62-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C62-M3-18 0,1815
RFQ
 ECAD 4643 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZG03C-M Lenta и катахка (tr) Актифен ± 6,45% 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA BZG03C62 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 6000 1,2 Е @ 500 Ма 1 мка @ 47 62 80 ОМ
PLZ39A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Plz39a-hg3_a/h 0,3600
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автор, AEC-Q101, пл Lenta и катахка (tr) Актифен ± 3% 150 ° С Пефер DO-219AC PLZ39 500 м DO-219AC (MicroSMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 4500 900 мВ @ 10 мая 200 na @ 30 v 39 85 ОМ
GDZ15B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ15B-E3-08 0,2700
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay GDZ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 4% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 GDZ15 200 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 100 na @ 11 v 15 42 ОМ
ZPY12-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division Zpy12-tap 0,3700
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Веса Актифен ± 5% 175 ° С Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй ZPY12 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 500 NA @ 9 V 12 3 О
BZT03D82-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D82-TAP -
RFQ
 ECAD 1673 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZT03 Lenta и коробка (TB) Управо ± 6,1% 175 ° C (TJ) Чereз dыru SOD-57, OSEVOй BZT03 1,3 SOD-57 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 25 000 1,2 Е @ 500 Ма 1 мка @ 62 82 100 ОМ
TLZ24-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ24-GS08 0,0335
RFQ
 ECAD 3876 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay TLZ Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ24 500 м SOD-80 Минимум СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 12 500 1,5 - @ 200 Ма 24 35 ОМ
VS-12FLR40S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FLR40S05 5.4736
RFQ
 ECAD 3295 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШAsci, Стало DO-203AA, DO-4, Став 12flr40 Ставень, обратно DO-203AA (DO-4) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 100 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 400 1,4 w @ 12 a 500 млн 50 мка 400 -65 ° С ~ 150 ° С. 12A -
MMSZ5233B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5233B-G3-18 0,0409
RFQ
 ECAD 6385 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 MMSZ5233 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 5 мк. 6в 7 О
VS-STPS40L15CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS40L15CT-M3 1.0753
RFQ
 ECAD 2272 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 STPS40 ШOTKIй 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 15 20 часов 520 м. @ 40 a 10 май @ 15 -55 ° C ~ 125 ° C.
TZMC2V4-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC2V4-GS18 0,0303
RFQ
 ECAD 2321 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101, TZM Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 175 ° С Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMC2V4 500 м SOD-80 Минимум СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 - @ 200 Ма 50 мк @ 1 В 2,4 В. 85 ОМ
BZG05C13TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C13TR3 -
RFQ
 ECAD 1830 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно - -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер DO-214AC, SMA BZG05 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 6000 1,2 - @ 200 Ма 500 NA @ 10 V 13 400 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть