SIC
close

Дискратн Пелюпрововоднико -в Провудкт (31214)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Синла - МАКС Стрктура ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура Скороп Current - Hold (IH) (MMAKS) На Current - On State (it (rms)) (MMaks) На Current - Non Rep. Surge 50, 60 ГГ (ITSM) TOOK - зATWORNыйTRIGER (IGT) (MMAKS) Current - On State (It (av)) (MMAKS) Коунфигурахия На Ток - Средниги ипра. На ВОЗНАЯ ВОЗНА Ток - Обратна тебе Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee Ток - Среднигиисправейни (io) Emcostath @ vr, f Колиство, диди На Иппедс (mmaks) (zzt)
MMSZ5233B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5233B-G3-18 0,0409
RFQ
 ECAD 6385 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 MMSZ5233 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 5 мк. 6в 7 О
VS-STPS40L15CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS40L15CT-M3 1.0753
RFQ
 ECAD 2272 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Актифен Чereз dыru 220-3 STPS40 ШOTKIй 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 50 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 15 20 часов 520 м. @ 40 a 10 май @ 15 -55 ° C ~ 125 ° C.
TZMC2V4-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC2V4-GS18 0,0303
RFQ
 ECAD 2321 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101, TZM Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 175 ° С Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TZMC2V4 500 м SOD-80 Минимум СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 - @ 200 Ма 50 мк @ 1 В 2,4 В. 85 ОМ
BZG05C13TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C13TR3 -
RFQ
 ECAD 1830 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно - -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер DO-214AC, SMA BZG05 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 6000 1,2 - @ 200 Ма 500 NA @ 10 V 13 400 ОМ
BZD17C10P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C10P-E3-18 0,1482
RFQ
 ECAD 5720 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен - -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер DO-219AB BZD17 800 м DO-219AB (SMF) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 50 000 1,2 - @ 200 Ма 1 мка прри 7,5 10
MBR2545CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2545CT -
RFQ
 ECAD 1671 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Трубка Управо Чereз dыru 220-3 MBR2545 ШOTKIй 220-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 1000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 1 пар 45 15A 820 мВ @ 30 a 200 мк @ 45 -65 ° С ~ 150 ° С.
VS-T110HF80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T110HF80 34.5980
RFQ
 ECAD 2416 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШASCI D-55 T-MOUDIOL T110 Станода D-55 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 800 В 20 май @ 800 В 110a -
1N4756A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4756a-tr 0,3600
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% 175 ° C (TJ) Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй 1n4756 1,3 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5000 1,2 - @ 200 Ма 5 мка @ 35,8 47 В 80 ОМ
BZT52B43-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B43-E3-18 0,0415
RFQ
 ECAD 4325 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZT52 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 BZT52B43 410 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 100 na @ 32 43 В. 60 ОМ
BZG04-20-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-20-HM3-08 0,5700
RFQ
 ECAD 5585 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZG04-M Lenta и катахка (tr) Актифен - 150 ° C (TJ) Пефер DO-214AC, SMA BZG04 1,25 Вт DO-214AC (SMA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 1500 1,2 Е @ 500 Ма 5 мка @ 20 24
SMPZ3920B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3920B-E3/84A -
RFQ
 ECAD 1320 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay ESMP® Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -65 ° С ~ 150 ° С. Пефер DO-220AA SMPZ39 500 м DO-220AA (SMP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 1,5 - @ 200 Ма 200 мк @ 4 В 6,2 В. 2 О
VLZ3V0A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ3V0A-GS18 -
RFQ
 ECAD 9435 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101, VLZ Lenta и катахка (tr) Управо - -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер SOD-80 ВАРИАНТ VLZ3V0 500 м SOD-80 Quadromelf СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1,5 - @ 200 Ма 50 мк @ 1 В 2,96 70 ОМ
VS-VSKE91/06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKE91/06 36.6640
RFQ
 ECAD 5885 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен ШASCI Add-a-pak (3) VSKE91 Станода Add-a-pak® СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSVSKE9106 Ear99 8541.10.0080 10 Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) 600 10 май @ 600 -40 ° С ~ 150 ° С. 100 а -
BZX384B7V5-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B7V5-HE3-18 0,0378
RFQ
 ECAD 7654 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZX384 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 BZX384B7V5 200 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 мка @ 1 В 7,5 В. 15 О
GDZ5V1B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ5V1B-E3-18 0,0360
RFQ
 ECAD 7229 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay GDZ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 GDZ5V1 200 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 2 мка @ 1 В 5,1 В. 80 ОМ
1N5255C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5255c-tr 0,0288
RFQ
 ECAD 2725 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C. Чereз dыru DO-204AH, DO-35, OSEVOй 1n5255 500 м DO-35 (DO-204AH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 30 000 1,1 - @ 200 Ма 100 Na @ 21 V 28 44 ОМ
MMSZ5243B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5243B-HE3-18 0,0378
RFQ
 ECAD 9391 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Прохл ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SOD-123 MMSZ5243 500 м SOD-123 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 500 NA @ 9,9 13 13 О
TLZ15A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ15A-GS08 0,2500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay TLZ Lenta и катахка (tr) Актифен - -65 ° C ~ 175 ° C. Пефер DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 TLZ15 500 м SOD-80 Минимум СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 2500 1,5 - @ 200 Ма 40 NA @ 12,8 15 16 ОМ
BZX384C3V0-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C3V0-G3-18 0,0389
RFQ
 ECAD 9850 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZX384-G Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 BZX384C3V0 200 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 10 мка @ 1 В 3 В 95 ОМ
DZ23C15-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C15-G3-08 0,0483
RFQ
 ECAD 8743 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay DZ23-G Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 15 000 1 пар 100 na @ 11 v 15 30 ОМ
GDZ12B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ12B-G3-18 0,0445
RFQ
 ECAD 1924 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay GDZ-G Lenta и катахка (tr) Актифен ± 4% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 GDZ12 200 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 100 Na @ 9 V 12 30 ОМ
Z4KE200A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z4KE200A-E3/54 0,4300
RFQ
 ECAD 235 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй Z4KE200 1,5 DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 5500 1 V @ 500 мая 500 NA @ 152 200 1500 ОМ
VS-80RIA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80RIA120 48.8396
RFQ
 ECAD 1037 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay * МАССА Актифен 80RIA120 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.30.0080 25
BZX84B36-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B36-G3-18 0,0389
RFQ
 ECAD 3798 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay BZX84-G Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B36 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 50 NA @ 25,2 36 90 ОМ
RGP10J-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10J-M3/73 -
RFQ
 ECAD 2582 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Superectifier® Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru DO-204AL, DO-41, OSEVOй RGP10 Станода DO-204AL (DO-41) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0080 3000 БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) 600 1,3 V @ 1 a 150 млн 5 мк. -65 ° C ~ 175 ° C. 1A 15pf @ 4V, 1 мг
GDZ2V4B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V4B-E3-08 0,4000
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay GDZ Lenta и катахка (tr) Актифен ± 4% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 GDZ2V4 200 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 3000 120 мк -перо 1 2,4 В. 100 ОМ
BZX384C2V4-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C2V4-HE3-18 0,0341
RFQ
 ECAD 3395 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZX384 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер SC-76, SOD-323 BZX384C2V4 200 м SOD-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 50 мк @ 1 В 2,4 В. 100 ОМ
VS-VSKL26/12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKL26/12 37.0040
RFQ
 ECAD 8420 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay - МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) ШASCI Add-a-pak (3 + 4) VSKL26 Сэриовать СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH VSVSKL2612 Ear99 8541.30.0080 10 200 май 1,2 кв 60 а 2,5 В. 400A, 420A 150 май 27 а 1 SCR, 1 DIOD
AZ23B6V2-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B6V2-E3-18 0,0509
RFQ
 ECAD 6805 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay AZ23 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23B6V2 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 10000 1 пар 100 na @ 2 v 6,2 В. 10 ОМ
BZX84B43-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B43-HE3-08 0,0341
RFQ
 ECAD 9321 0,00000000 Generalnыйpoluprovowodonik Vishay Automotive, AEC-Q101, BZX84 Lenta и катахка (tr) Прохл ± 2% -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B43 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.10.0050 15 000 50 NA @ 30,1 43 В. 150 ОМ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть