SIC
close

Фиксирвананьи инактор (2512)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmereneere Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии ЧStOTA - SAMOAPOHOVEGELNORNOROHONANENS ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Tykuщiй rerйting (amp) Кранировани MATERIOL - JADRO Индуктист Ток - на СОПРОТИВЛЕЙНЕПОС Q @ FREQ Анайстиктиости - тептура
B82412A1222K EPCOS - TDK Electronics B82412A1222K -
RFQ
 ECAD 4743 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Управо ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 2-SMD Яробана Ядро, Проволохна 200 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH B82412A1222K000 Ear99 8504.50.8000 2500 270 май Нескранированан Феррит 2,2 мкл - 650MM MMAKS 30 @ 7,96 MMGц 1 мг
B82412A1392J EPCOS - TDK Electronics B82412A1392J -
RFQ
 ECAD 8162 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 2-SMD Яробана Ядро, Проволохна 150 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH B82412A1392J000 Ear99 8504.50.8000 2500 190 май Нескранированан Феррит 3,9 мкл - 1,35 ом 30 @ 7,96 MMGц 1 мг
B82442H1222K000 EPCOS - TDK Electronics B82442H1222K000 -
RFQ
 ECAD 5308 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Управо ± 10% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,220 "L x 0,197" W (560 мм х 5,00 мм) 0,209 "(5,30 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 42 мг 2220 (5650 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 1500 1,8 а Нескранированан Феррит 2,2 мкл - 48mohm max 10 @ 7,96 MMGц 7,96 мг
B82422T1823J000 EPCOS - TDK Electronics B82422T1823J000 0,1902
RFQ
 ECAD 3273 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,083 "(2,10 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 9 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 6000 60 май Нескранированан Феррит 82 мкл - 10 м. Макс 25 @ 2,52 MMGц 2,52 мг
B82432C1474J000 EPCOS - TDK Electronics B82432C1474J000 0,3986
RFQ
 ECAD 4776 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,177 "L x 0,126" W (4,50 мм х 3,20 мм) 0,134 "(3,40 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 4 мг 1812 (4532 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 5000 75 май Нескранированан Феррит 470 мкм - 17,5 мм 30 @ 796 100 kgц
B82422T3100J000 EPCOS - TDK Electronics B82422T3100J000 0,1902
RFQ
 ECAD 4443 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,083 "(2,10 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 4 Гер 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 6000 450 май Нескранированан Кермика 10 м - 100 МОММ МАКС 15 @ 100mgц 100 мг
B82412A3151J EPCOS - TDK Electronics B82412A3151J -
RFQ
 ECAD 5070 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 2-SMD Яробана Ядро, Проволохна 820 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH B82412A3151J000 Ear99 8504.50.8000 2500 370 май Нескранированан Кермика 150 nх - 360mohm max 45 @ 250 мг. 1 мг
B82422T1393K000 EPCOS - TDK Electronics B82422T1393K000 0,1742
RFQ
 ECAD 4603 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,083 "(2,10 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 16 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 6000 65 май Нескранированан Феррит 39 мкл - 6,4 О ММАКС 27 @ 2,52 MMGц 2,52 мг
B82422T3680J000 EPCOS - TDK Electronics B82422T3680J000 0,1902
RFQ
 ECAD 4074 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,083 "(2,10 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 1 гер 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 6000 450 май Нескранированан Кермика 68 NH - 230mom maks 27 @ 100mgц 100 мг
B82432C1334J000 EPCOS - TDK Electronics B82432C1334J000 0,4124
RFQ
 ECAD 1935 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,177 "L x 0,126" W (4,50 мм х 3,20 мм) 0,134 "(3,40 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 4,5 мг 1812 (4532 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 5000 85 май Нескранированан Феррит 330 мкм - 14,1 мм 30 @ 796 100 kgц
B82422T3120J000 EPCOS - TDK Electronics B82422T3120J000 0,1902
RFQ
 ECAD 5821 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,083 "(2,10 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 3,5 -е 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 6000 450 май Нескранированан Кермика 12 nх - 110mohm max 17 @ 100mgц 100 мг
B82422T1682K008 EPCOS - TDK Electronics B82422T1682K008 0,1800
RFQ
 ECAD 2013 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,083 "(2,10 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 40 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 8000 180 май Нескранированан Феррит 6,8 мкл - 1,8 ОММ 27 @ 7,96 MMGц 7,96 мг
B82479A1332M000 EPCOS - TDK Electronics B82479A1332M000 0,9918
RFQ
 ECAD 9832 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82479A1 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -55 ° C ~ 150 ° С. - 0,730 "L x 0,600" W (18,54 мм x 15,24 мм) 0,280 "(7,11 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.4000 250 6,2 а Нескранированан Феррит 3,3 мкл 14. 16 МОМ МАКС - 100 kgц
B82477G4702M EPCOS - TDK Electronics B82477G4702M -
RFQ
 ECAD 3669 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82477G4 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,484 "L x 0,484" W (12,30 мм x 12,30 мм) 0,236 "(6,00 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH B82477G4702M000 Ear99 8504.50.4000 800 Кранированан Феррит 7 мкл - - - 100 kgц
B82477R4103M100 EPCOS - TDK Electronics B82477R4103M100 2.9100
RFQ
 ECAD 453 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82477R4 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,492 "L x 0,492" W (12,50 мм x 12,50 мк) 0,335 "(8,50 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.4000 350 6,2 а Кранированан Феррит 10 мкм 8.75a 18,5 МОМАМАМА - 100 kgц
B82412A3391M EPCOS - TDK Electronics B82412A3391M -
RFQ
 ECAD 8360 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 2-SMD Яробана Ядро, Проволохна 700 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH B82412A3391M000 Ear99 8504.50.8000 2500 260 май Нескранированан Кермика 390 NH - 750MM MMAKS 40 @ 250 мг. 1 мг
B82412A3560K EPCOS - TDK Electronics B82412A3560K -
RFQ
 ECAD 8553 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Управо ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 2-SMD Яробана Ядро, Проволохна 1,43 гг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH B82412A3560K000 Ear99 8504.50.8000 2500 460 май Нескранированан Кермика 56 NH - 230mom maks 60 @ 500 мгц 10 мг
B82473A1223K000 EPCOS - TDK Electronics B82473A1223K000 1.1300
RFQ
 ECAD 181 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82473A1 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 10% -55 ° C ~ 150 ° С. - 0,327 "L x 0,287" W (8,30 мм x 7,30 мм) 0,217 "(5,50 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.4000 1000 1,5 а Нескранированан Феррит 22 мк 1.6a 110mohm max - 100 kgц
B82477P4202M000 EPCOS - TDK Electronics B82477P4202M000 2.0300
RFQ
 ECAD 321 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82477P4 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,492 "L x 0,492" W (12,50 мм x 12,50 мк) 0,335 "(8,50 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.4000 350 8,9 а Кранированан Феррит 2 мкл 11A 8 МОММ МАКС - 100 kgц
B82467G103M EPCOS - TDK Electronics B82467G103M -
RFQ
 ECAD 4783 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82467G0 Lenta и катахка (tr) Управо ± 20% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,110 "L x 0,102" W (2,80 мм х 2,60 мм) 0,039 "(1,00 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.4000 3000 550 май Кранированан Феррит 10 мкм 480 май 485mohm - 100 kgц
B82464P4105M000 EPCOS - TDK Electronics B82464P4105M000 2.0800
RFQ
 ECAD 700 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82464P4 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,409 "L x 0,409" W (10,40 мм x 10,40 мм) 0,189 "(4,80 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 750 340 май Кранированан Феррит 1 м 350 май 2,2 ом - 100 kgц
B82131A5302MV1 EPCOS - TDK Electronics B82131A5302MV1 -
RFQ
 ECAD 5941 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82131 МАССА Управо ± 20% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,197 "Диа x 0,591" l (5,00 мм х 15,00 мм) - Чereз dыru Оос Яробана Ядро, Проволохна - 147 мг Оос - Rohs3 Neprigodnnый 495-B82131A5302MV1 Ear99 8504.50.8000 1 3 а Нескранированан Жeleзo 2 мкл - 38mohm - 1 мг
B82469G1682M EPCOS - TDK Electronics B82469G1682M -
RFQ
 ECAD 7293 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82469G1 Lenta и катахка (tr) Управо ± 20% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,150 "L x 0,142" W (3,80 мм х 360 мм) 0,047 "(1,20 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.4000 2000 900 млн Кранированан Феррит 6,8 мкл 800 май 170mohm - 100 kgц
B82562N4153M000 EPCOS - TDK Electronics B82562N4153M000 0,4264
RFQ
 ECAD 9539 0,00000000 Epcos - TDK Electronics CLF6045 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,248 "L x 0,236" W (6,30 мм x 6,00 мм) 0,189 "(4,80 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - - СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 495-B82562N4153M000TR Ear99 8504.50.8000 4000 2 а Кранированан Феррит 15 мкм 2A 60 МО - 100 kgц
CLT32-80N EPCOS - TDK Electronics CLT32-80N 1.6400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Epcos - TDK Electronics CLT32 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -40 ° C ~ 165 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,106 "(2,70 мм) Пефер 4-SMD Формована - - 4-SMD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.4000 6000 20 а Кранированан МЕТАЛЛЛ 80 n.х. 36A 1,9 МОЛ - 1 мг
B82442T1684J050 EPCOS - TDK Electronics B82442T1684J050 -
RFQ
 ECAD 8274 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,220 "L x 0,197" W (560 мм х 5,00 мм) 0,209 "(5,30 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна - 2,3 мг - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 495-B82442T1684J050TR Ear99 8504.50.8000 1500 210 май Нескранированан Феррит 680 мкм 380 май 5,87 ОММ 20 @ 796 796 К.ц
B82475A1153M000 EPCOS - TDK Electronics B82475A1153M000 0,6842
RFQ
 ECAD 5551 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82475A1 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -55 ° C ~ 150 ° С. - 0,409 "L x 0,370" W (10,40 мм x 9,40 мм) 0,228 "(5,80 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.4000 500 2.27 а Нескранированан Феррит 15 мкм 2.35a 80 МОМ МАКС - 100 kgц
B82562N4332N000 EPCOS - TDK Electronics B82562N4332N000 1.0500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Epcos - TDK Electronics CLF6045 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 30% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,248 "L x 0,236" W (6,30 мм x 6,00 мм) 0,189 "(4,80 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 1000 3,7 а Кранированан Феррит 3,3 мкл 4.3a 19 МОМ - 100 kgц
B82412A3271K EPCOS - TDK Electronics B82412A3271K -
RFQ
 ECAD 5413 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Управо ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 2-SMD Яробана Ядро, Проволохна 570 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH B82412A3271K000 Ear99 8504.50.8000 2500 300 май Нескранированан Кермика 270 NH - 550mom maks 45 @ 250 мг. 1 мг
B82133A5701MV2 EPCOS - TDK Electronics B82133A5701MV2 -
RFQ
 ECAD 2633 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82133 МАССА Управо ± 20% -55 ° C ~ 125 ° C. - 0,295 "DIA X 0,984" L (7,50 мм х 25,00 мм) - Чereз dыru Оос Яробана Ядро, Проволохна - 26 мг Оос - Rohs3 Neprigodnnый 495-B82133A5701MV2 Ear99 8504.50.8000 1 700 млн Нескранированан Жeleзo 55 мкл - 1,2 ОМ - 100 kgц
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть