SIC
close

ИНДУКТОРА, КАРТУГИКИ

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura Руэйнги Raзmer / yзmerenee Веса - Синяя (МАКСИМУМ) МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП ЧStOTA - SAMOAPOHOVEGELNORNOROHONANENS ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Tykuщiй rerйting (amp) Кранировани MATERIOL - JADRO Индуктист Ток - на СОПРОТИВЛЕЙНЕПОС Q @ FREQ Анайстиктиости - тептура
B82442H1563J000 EPCOS - TDK Electronics B82442H1563J000 -
RFQ
 ECAD 6602 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,220 "L x 0,197" W (560 мм х 5,00 мм) 0,209 "(5,30 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 7,8 мг 2220 (5650 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 3000 430 май Нескранированан Феррит 56 мкм - 800 МОСТ МАКС 10 @ 2,52 м. 2,52 мг
B82442H1822K000 EPCOS - TDK Electronics B82442H1822K000 -
RFQ
 ECAD 2341 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Управо ± 10% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,220 "L x 0,197" W (560 мм х 5,00 мм) 0,209 "(5,30 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 22 мг 2220 (5650 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 3000 1,05 а Нескранированан Феррит 8,2 мкл - 144mom Mmaks 10 @ 7,96 MMGц 7,96 мг
B82442H1825J000 EPCOS - TDK Electronics B82442H1825J000 -
RFQ
 ECAD 4297 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,220 "L x 0,197" W (560 мм х 5,00 мм) 0,209 "(5,30 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 600 kgц 2220 (5650 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 3000 39 май Нескранированан Феррит 8,2 м - 100om макс 30 @ 252 kgц 252 К.ц
B82442T1104K050 EPCOS - TDK Electronics B82442T1104K050 1.1900
RFQ
 ECAD 201 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,220 "L x 0,197" W (560 мм х 5,00 мм) 0,209 "(5,30 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 6,1 мг 2220 (5650 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 1500 510 май Нескранированан Феррит 100 мкм 760 май 990mom maks 20 @ 796 796 К.ц
B82462A4153K000 EPCOS - TDK Electronics B82462A4153K000 1.3900
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82462-A4 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 10% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,236 "L x 0,236" W (6,00 мм х 6,00 мм) 0,118 "(3,00 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 2500 900 млн Нескранированан Феррит 15 мкм 1,5а 210mohm max - 100 kgц
B82464A2332M EPCOS - TDK Electronics B82464A2332M -
RFQ
 ECAD 7695 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82464A2 Lenta и катахка (tr) Управо ± 20% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,409 "L x 0,409" W (10,40 мм x 10,40 мм) 0,118 "(3,00 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна 100 kgц - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) B82464A2332M000 Ear99 8504.50.8000 1250 Нескранированан Феррит 3,3 мкл - - - 100 kgц
B82464A2362M EPCOS - TDK Electronics B82464A2362M -
RFQ
 ECAD 7505 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82464A2 Lenta и катахка (tr) Управо ± 20% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,409 "L x 0,409" W (10,40 мм x 10,40 мм) 0,118 "(3,00 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна 100 kgц - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) B82464A2362M000 Ear99 8504.50.8000 1250 5,2 а Нескранированан Феррит 3,6 мкм 5.3a 25 МАКМ - 100 kgц
B82464A2472M EPCOS - TDK Electronics B82464A2472M -
RFQ
 ECAD 5910 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82464A2 Lenta и катахка (tr) Управо ± 20% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,409 "L x 0,409" W (10,40 мм x 10,40 мм) 0,118 "(3,00 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна 100 kgц - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) B82464A2472M000 Ear99 8504.50.8000 1250 4,2 а Нескранированан Феррит 4,7 мкл 4.5a 30 МОМ МАКС - 100 kgц
B82464G2223M EPCOS - TDK Electronics B82464G2223M -
RFQ
 ECAD 3483 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82464G2 Lenta и катахка (tr) Управо ± 20% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,409 "L x 0,409" W (10,40 мм x 10,40 мм) 0,118 "(3,00 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) B82464G2223M000 Ear99 8504.50.8000 1250 1,5 а Кранированан Феррит 22 мк 152а 130mohm max - 100 kgц
B82464G2334M EPCOS - TDK Electronics B82464G2334M -
RFQ
 ECAD 7416 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82464G2 Lenta и катахка (tr) Управо ± 20% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,409 "L x 0,409" W (10,40 мм x 10,40 мм) 0,118 "(3,00 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) B82464G2334M000 Ear99 8504.50.8000 1250 410 май Кранированан Феррит 330 мкм 400 май 1,6 ОМА - 100 kgц
B82464P4103M000 EPCOS - TDK Electronics B82464P4103M000 2.1900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82464P4 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,409 "L x 0,409" W (10,40 мм x 10,40 мм) 0,189 "(4,80 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 750 3.4 а Кранированан Феррит 10 мкм 3.5a 30 МОМ МАКС - 100 kgц
B82464P4682M000 EPCOS - TDK Electronics B82464P4682M000 2.0600
RFQ
 ECAD 750 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82464P4 Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -55 ° C ~ 150 ° С. AEC-Q200 0,409 "L x 0,409" W (10,40 мм x 10,40 мм) 0,189 "(4,80 мм) Пефер NeStAndartnый Яробана Ядро, Проволохна - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 750 4.3 а Кранированан Феррит 6,8 мкл 4.6a 20 МОМ МАКС - 100 kgц
B82412A1682K EPCOS - TDK Electronics B82412A1682K -
RFQ
 ECAD 4161 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Управо ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 2-SMD Яробана Ядро, Проволохна 115 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH B82412A1682K000 Ear99 8504.50.8000 2500 120 май Нескранированан Феррит 6,8 мкл - 3,5 ом 35 @ 7,96 мг. 1 мг
B82412A3101K EPCOS - TDK Electronics B82412A3101K -
RFQ
 ECAD 2268 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Управо ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 2-SMD Яробана Ядро, Проволохна 1 гер 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) B82412A3101K000 Ear99 8504.50.8000 2500 400 май Нескранированан Кермика 100 nх - 300 мох Макс 55 @ 500 мг. 10 мг
B82412A3120K EPCOS - TDK Electronics B82412A3120K -
RFQ
 ECAD 6271 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 2-SMD Яробана Ядро, Проволохна 3,5 -е 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH B82412A3120K000 Ear99 8504.50.8000 2500 700 млн Нескранированан Кермика 12 nх - 100 МОММ МАКС 25 @ 100mgц 10 мг
B82412A3331J EPCOS - TDK Electronics B82412A3331J -
RFQ
 ECAD 8885 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Управо ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 2-SMD Яробана Ядро, Проволохна 800 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) B82412A3331J000 Ear99 8504.50.8000 2500 280 май Нескранированан Кермика 330 n.х. - 650MM MMAKS 45 @ 250 мг. 1 мг
B82412A3390M EPCOS - TDK Electronics B82412A3390M -
RFQ
 ECAD 6817 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 20% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 2-SMD Яробана Ядро, Проволохна 800 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH B82412A3390M000 Ear99 8504.50.8000 2500 500 май Нескранированан Кермика 39 NH - 180mohm max 65 @ 500 мгц 10 мг
B82412A3471K EPCOS - TDK Electronics B82412A3471K -
RFQ
 ECAD 8743 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Управо ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,075 "(1,90 мм) Пефер 2-SMD Яробана Ядро, Проволохна 450 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH B82412A3471K000 Ear99 8504.50.8000 2500 225 май Нескранированан Кермика 470 NH - 1 макс 30 @ 100mgц 1 мг
B82422A1392J100 EPCOS - TDK Electronics B82422A1392J100 0,2045
RFQ
 ECAD 2441 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,083 "(2,10 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 110 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 6000 190 май Нескранированан Феррит 3,9 мкл - 1,4 ом 27 @ 7,96 MMGц 1 мг
B82422A3151J100 EPCOS - TDK Electronics B82422A3151J100 0,2113
RFQ
 ECAD 5016 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,083 "(2,10 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 850 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 6000 390 май Нескранированан Кермика 150 nх - 330mom MAKS 25 @ 30 метров 1 мг
B82422A3220K108 EPCOS - TDK Electronics B82422A3220K108 0,2012
RFQ
 ECAD 1468 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,083 "(2,10 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 2,5 -е 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 8000 600 май Нескранированан Кермика 22 NH - 140mohm max 30 @ 100mgц 10 мг
B82422A3330K108 EPCOS - TDK Electronics B82422A3330K108 0,2012
RFQ
 ECAD 8185 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,083 "(2,10 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 1,7 -е 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 8000 540 май Нескранированан Кермика 33 NH - 170mohm max 20 @ 50 Mmgц 10 мг
B82422A3331J100 EPCOS - TDK Electronics B82422A3331J100 0,6000
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,083 "(2,10 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 580 мг 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 2000 200 май Нескранированан Кермика 330 n.х. - 1,3 ом 22 @ 30 метров 1 мг
B82422A3560J100 EPCOS - TDK Electronics B82422A3560J100 0,2113
RFQ
 ECAD 8641 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,083 "(2,10 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 1,2 -е 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 6000 500 май Нескранированан Кермика 56 NH - 200 ммм 26 @ 50 мгц 10 мг
B82422T3820K000 EPCOS - TDK Electronics B82422T3820K000 0,1742
RFQ
 ECAD 2543 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 10% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,126 "L x 0,098" W (3,20 мм x 2,50 мк) 0,083 "(2,10 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 1 гер 1210 (3225 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 6000 450 май Нескранированан Кермика 82 NH - 260mohm max 27 @ 100mgц 100 мг
B82432C1105J000 EPCOS - TDK Electronics B82432C1105J000 0,9600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,177 "L x 0,126" W (4,50 мм х 3,20 мм) 0,134 "(3,40 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 2,8 мг 1812 (4532 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 2500 55 май Нескранированан Феррит 1 м - 32OM Макс 30 @ 796 100 kgц
B82432C1124J000 EPCOS - TDK Electronics B82432C1124J000 0,4124
RFQ
 ECAD 6312 0,00000000 Epcos - TDK Electronics Симид Lenta и катахка (tr) Актифен ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C. AEC-Q200 0,177 "L x 0,126" W (4,50 мм х 3,20 мм) 0,134 "(3,40 мм) Пефер 2-SMD, J-Lead Яробана Ядро, Проволохна 8 мг 1812 (4532 МЕТРИКА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8504.50.8000 5000 140 май Нескранированан Феррит 120 мкм - 5,2 ОММА 30 @ 796 100 kgц
B82478A1223MV1 EPCOS - TDK Electronics B82478A1223MV1 -
RFQ
 ECAD 6468 0,00000000 Epcos - TDK Electronics - Lenta и катахка (tr) Управо - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 495-B82478A1223MV1TR Ear99 8504.50.8000 400
B82478A1334MV1 EPCOS - TDK Electronics B82478A1334MV1 -
RFQ
 ECAD 4573 0,00000000 Epcos - TDK Electronics - Lenta и катахка (tr) Управо - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 495-B82478A1334MV1TR Ear99 8504.50.8000 400
B82477G4472M300 EPCOS - TDK Electronics B82477G4472M300 -
RFQ
 ECAD 9699 0,00000000 Epcos - TDK Electronics B82477G4 Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) 495-B82477G4472M300TR Ear99 8504.50.8000 400
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть