SIC
close

МИККРОКОНТРОЛЕРН (101392)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Nomer- /Водад О. Raзmer jadra Скороп Подклхейни Пефер -вусрост Raзmerpmayti programmы ТИПППАМАЙТИ ПРОГРАММА Eeprom raзmer Raзmer operativnoй papmayti На Прроуваали Дьянн ТИП ГЕЙНЕРАТОРА Sic programmirueTSARY
R7F7015303AFE-C#BA2 Renesas Electronics America Inc R7F7015303AFE-C#BA2 -
RFQ
 ECAD 7085 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Поднос Актифен R7F7015303 - DOSTISH 559-R7F7015303AFE-C#BA2 1
LPC822M101JHI33E NXP USA Inc. LPC822M101JHI33E -
RFQ
 ECAD 9403 0,00000000 NXP USA Inc. LPC82X Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka LPC822 32-HVQFN (5x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 490 29 ARM® Cortex®-M0+ 32-битвен 30 мг I²C, SPI, UART/USART Brown-Out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT 16 кб (16K x 8) В.С. - 4K x 8 1,8 В ~ 3,6 В. A/D 12x12b Внутронни
MC9S08PT32VQH NXP USA Inc. MC9S08PT32VQH 4.0049
RFQ
 ECAD 7521 0,00000000 NXP USA Inc. S08 Поднос В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 64-qfp MC9S08 64-QFP (14x14) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 935325678557 3A991A2 8542.31.0001 84 57 S08 8-Bytnый 20 мг I²C, Linbus, SPI, UART/USART LVD, POR, PWM, WDT 32KB (32K x 8) В.С. 256 x 8 4K x 8 2,7 В ~ 5,5 В. A/D 16x12b Внутронни
CY91F524FSEPMC-GSE2 Infineon Technologies CY91F524FSEPMC-GSE2 -
RFQ
 ECAD 5794 0,00000000 Infineon Technologies FR CY91520 Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 100-LQFP CY91F524 100-LQFP (14x14) - Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 90 76 FR81S 32-битвен 80 мг Canbus, Csio, I²C, Linbus, SPI, UART/USART DMA, LVD, POR, PWM, WDT 576KB (576K x 8) В.С. 64K x 8 72K x 8 2,7 В ~ 5,5 В. A/D 37x12b SAR; D/A 2x8b Внений
CY8AA4063WQN-GS-JKERE1 Infineon Technologies CY8AA4063WQN-GS-JKERE1 -
RFQ
 ECAD 8846 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо - - CY8AA4063 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 2000 - - - - - - - - - - - -
ZGP323LAH4808C Zilog ZGP323LAH4808C -
RFQ
 ECAD 8627 0,00000000 Зylog Z8® GP ™ Трубка Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-BSSOP (0,295 ", шIRINA 7,50 мм) ZGP323L СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.31.0001 30 32 Z8 8-Bytnый 8 мг - HLVD, POR, WDT 8 кб (8K x 8) От - 237 x 8 2 В ~ 3,6 В. - Внутронни
MB90611APFV-G-BNDE1 Infineon Technologies MB90611APFV-G-BNDE1 -
RFQ
 ECAD 2504 0,00000000 Infineon Technologies F²MC-16L MB90610A Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP MB90611 100-LQFP (14x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1 41 F²MC-16L 16-бит 16 мг Ebi/emi, sci, uart/usart Пор, Wdt - МАСКАРЕ - 1k x 8 2,7 В ~ 5,5 В. A/D 8x8/10B Внений
SPC560D40L3B3E0Y STMicroelectronics SPC560D40L3B3E0Y 5.4202
RFQ
 ECAD 5443 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q100, SPC56 Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SPC560 100-LQFP (14x14) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 540 79 E200Z0H 32-битвен 32 мг Canbus, Linbus, SPI, UART/USART DMA, LVD, POR, PWM, WDT 256 кб (256 л. С. х 8) В.С. - 16K x 8 3 n 5,5. A/D 33x12b Внутронни
MB90497GPMC3-GS-234E1 Infineon Technologies MB90497GPMC3-GS-234E1 -
RFQ
 ECAD 2451 0,00000000 Infineon Technologies F²MC-16LX MB90495G Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 64-LQFP MB90497 64-LQFP (12x12) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 119 49 F²MC-16LX 16-бит 16 мг Canbus, Ebi/Emi, Sci, Uart/USART Пор, Wdt 64 кб (64K x 8) МАСКАРЕ - 2k x 8 4,5 n 5,5. A/D 8x8/10B Внений
ADUC7027BSTZ62I Analog Devices Inc. ADUC7027BSTZ62I 14.9184
RFQ
 ECAD 2376 0,00000000 Analog Devices Inc. Microconverter® Aduc7xxx Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 80-LQFP ADUC7027 80-LQFP (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 119 40 ARM7® 16/32-биот 44 мг Ebi/emi, i²c, spi, uart/usart Pla, pwm, psm, датик -темперра, Wdt 62 Кб (31K x16) В.С. - 2k x 32 2,7 В ~ 3,6 В. A/D 16x12b Внутронни Nprovereno
R5F5671EDGLE#20 Renesas Electronics America Inc R5F5671EDGLE#20 11.1100
RFQ
 ECAD 7935 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Поднос Актифен - Rohs3 559-R5F5671EDGLE#20 490
R5F100EFANA#20 Renesas Electronics America Inc R5F100EFANA#20 2.6900
RFQ
 ECAD 2434 0,00000000 Renesas Electronics America Inc RL78/G13 Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 40-wfqfn otkrыtai-anploщadka R5F100 40-HWQFN (6x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 559-R5F100EFANA#20 3A991A2 8542.31.0001 25 28 RL78 16-бит 32 мг CSI, I²C, Linbus, UART/USART DMA, LVD, POR, PWM, WDT 96 кб (96K x 8) В.С. 8K x 8 8K x 8 1,6 В ~ 5,5 В. A/D 9x8/10B Внутронни
MB90F025FPMT-GS-9109E1 Infineon Technologies MB90F025FPMT-GS-9109E1 -
RFQ
 ECAD 5332 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо - Пефер 120-LQFP MB90F025 120-LQFP (16x16) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 84 - - - - - - - - - - - -
PVF61NN151CMK50 NXP USA Inc. PVF61NN151CMK50 -
RFQ
 ECAD 7931 0,00000000 NXP USA Inc. Vybrid, VF6XX Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 364-LFBGA PVF61 364-LFBGA (17x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 1 ARM® Cortex®-A5/M4 32-битвен 500 мг Canbus, Ebi/Emi, Ethernet, I²C, Irda, Linbus, Sci, SD, SPI, UART/USART, USB OTG DMA, LVD, Wdt - БОЛЬШЕ - 1,5 мБ 3 В ~ 3,6 В. A/D 12 -BITNый SAR; D/A 12bit Внутронни
MB96F683ABPMC-GSAE1 Infineon Technologies MB96F683ABPMC-GSAE1 -
RFQ
 ECAD 1522 0,00000000 Infineon Technologies F²MC-16FX MB96680 Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 80-LQFP MB96F683 80-LQFP (12x12) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 119 65 F²MC-16FX 16-бит 32 мг I²C ,линбус, Sci, UART/USART DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT 96 кб (96K x 8) В.С. - 4K x 8 2,7 В ~ 5,5 В. A/D 14x8/10b Внутронни
R5F140PLGFB#50 Renesas Electronics America Inc R5F140PLGFB#50 3.6095
RFQ
 ECAD 2455 0,00000000 Renesas Electronics America Inc RL78/G13A Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 100-LFQFP (14x14) - Rohs3 559-R5F140PLGFB#50TR 1000 82 RL78 16-бит 32 мг CSI, I²C, Linbus, UART/USART DMA, LVD, POR, PWM, WDT 512KB (512K x 8) В.С. 8K x 8 32K x 8 1,6 В ~ 5,5 В. A/D 20x8/10B Внутронни
CY9AF342MAPMC1-G-JNE2 Infineon Technologies CY9AF342MAPMC1-G-JNE2 7.9453
RFQ
 ECAD 2217 0,00000000 Infineon Technologies FM3 MB9A340NA Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 80-LQFP 80-LQFP (14x14) - Rohs3 DOSTISH 90 66 ARM® Cortex®-M3 32-Bytnый 40 мг Csio, ebi/emi, i²c, uart/usart, usb DMA, LVD, POR, PWM, WDT 160 кб (160 л. С. х 8) В.С. - 16K x 8 1,65, ~ 3,6 В. A/D 17x12b SAR VneShoniй, Внутронни
R5F51115ADFM#YB2 Renesas Electronics America Inc R5F51115ADFM#YB2 -
RFQ
 ECAD 2511 0,00000000 Renesas Electronics America Inc RX111 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-LQFP R5F51115 64-lfqfp (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 1 46 Rx 32-битвен 32 мг I²C, SCI, SPI, USB OTG DMA, LVD, POR, PWM, WDT 128KB (128K x 8) В.С. 8K x 8 16K x 8 1,8 В ~ 3,6 В. A/D 14x12b; D/A 2x8b Внутронни
PIC24HJ128GP210T-I/PF Microchip Technology PIC24HJ128GP210T-I/PF -
RFQ
 ECAD 9026 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА PIC® 24H Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-TQFP PIC24HJ128GP210 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 1000 85 Картинка 16-бит 40 MIPS I²C, Irda, Linbus, SPI, UART/USART Brown-Out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT 128KB (43K x 24) В.С. - 8K x 8 3 В ~ 3,6 В. A/D 32x10b/12b Внутронни
S9KEAZN64AVLC NXP USA Inc. S9Keazn64avlc 2.4440
RFQ
 ECAD 9924 0,00000000 NXP USA Inc. Kinetis Kea Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 32-LQFP S9Keazn64 32-TQFP (7x7) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 935324986557 3A991A2 8542.31.0001 1250 28 ARM® Cortex®-M0+ 32-битвен 40 мг I²C, Linbus, SPI, UART/USART LVD, POR, PWM, WDT 64 кб (64K x 8) В.С. 256 x 8 4K x 8 2,7 В ~ 5,5 В. A/D 16x12b Внутронни
MB91213APMC-GS-165E1 Infineon Technologies MB91213APMC-GS-165E1 -
RFQ
 ECAD 3788 0,00000000 Infineon Technologies FR MB91210 Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 144-LQFP MB91213 144-LQFP (20x20) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 60 118 FR60Lite RISC 32-битвен 40 мг Canbus, Linbus, SPI, UART/USART DMA, Wdt 544KB (544K x 8) МАСКАРЕ - 24K x 8 3 n 5,5. A/D 32x10b Внений
R5F571MFDDFB#30 Renesas Electronics America Inc R5F571MFDDFB#30 -
RFQ
 ECAD 3193 0,00000000 Renesas Electronics America Inc RX71M Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-LQFP R5F571 144-lfqfp (20x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 559-R5F571MFDDFB#30 60 111 RXV2 32-битвен 240 мг Canbus, Ebi/Emi, Ethernet, I²C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG DMA, LVD, POR, PWM, WDT 2 марта (2 м х 8) В.С. 64K x 8 512K x 8 2,7 В ~ 3,6 В. A/D 8x12b, 21x12b; D/A 2x12b Внутронни
S9S12GN32J1MLCR NXP USA Inc. S9S12GN32J1MLCR 2.8748
RFQ
 ECAD 5549 0,00000000 NXP USA Inc. * Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 568-S9S12GN32J1MLCRTR 2000
S6J342AJTBSE20000 Infineon Technologies S6J342AJTBSE20000 23.9250
RFQ
 ECAD 4011 0,00000000 Infineon Technologies TRAVEO ™ T1G Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) - - - - Rohs3 DOSTISH 40 150 ARM® Cortex®-R5F 32-Bytnый 240 мг Canbus, Csio, I²C, Linbus, UART/USART DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT 1 0625 мБ (10625 м х 8) В.С. 112K x 8 128K x 8 3,5 n 5,2 В. A/D 64x12b Внутронни
ATMEGA169PA-AN Microchip Technology ATMEGA169PA-AN 4.5540
RFQ
 ECAD 8128 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА AVR® Atmega Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 64-TQFP Atmega169 64-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.31.0001 90 54 Аварийный 8-Bytnый 16 мг SPI, UART/USART, USI Brown-Out Detect/Reset, LCD, POR, PWM, WDT 16 кб (8K x 16) В.С. 512 x 8 1k x 8 1,8 В ~ 5,5 В. A/D 8x10b Внутронни
ATSAML10E15A-MF Microchip Technology ATSAML10E15A-MF 2.2990
RFQ
 ECAD 2259 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА СММ Л10 Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka ATSAML10 32-VQFN (5x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 490 25 ARM® Cortex®-M23 32-битвен 32 мг I²C, Linbus, SPI, UART/USART Brown-Out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT 32KB (32K x 8) В.С. 2k x 8 8K x 8 1,62 В ~ 3,63 В. A/D 10x12b; D/A 1x10b Внутронни
R5F513T5ADFJ#30 Renesas R5F513T5ADFJ#30 -
RFQ
 ECAD 1044 0,00000000 RerneзAs RX13T МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-LQFP 32-LQFP (7x7) - 2156-R5F513T5ADFJ#30 1 22 Rx 32-Bytnый 32 мг I²C, Linbus, Sci, Spi DMA, LVD, POR, PWM, WDT 128KB (128K x 8) В.С. - 12K x 8 2,7 В ~ 5,5 В. A/D 5x12b; D/A 1x8b Внутронни
MSP430V377IRSAR Texas Instruments MSP430V37777IRSAR -
RFQ
 ECAD 1105 0,00000000 Тел - МАССА Актифен - Rohs3 296-MSP430V37777IRSAR 1
LPC55S36JBD100E NXP USA Inc. LPC55S36JBD100E 7.8356
RFQ
 ECAD 8126 0,00000000 NXP USA Inc. * Поднос Актифен - Rohs3 568-LPC55S36JBD100E 90
MB90024PMT-GS-385E1 Infineon Technologies MB90024PMT-GS-385E1 -
RFQ
 ECAD 9698 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо - Пефер 120-LQFP MB90024 120-LQFP (16x16) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 84 - - - - - - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть