SIC
close

Микропра

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар О. Скороп Колиш SO-PROцESCORы/DSP КОНКОНТРОЛЕР Графика DiSpleй иконтролр Ethernet С ката USB Napraheneee - I/O. Функшии DOPOLNITELNHENEGERFEйSы.
MPC8245TVV300D NXP USA Inc. MPC8245TVV300D -
RFQ
 ECAD 7638 0,00000000 NXP USA Inc. MPC82XX Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 352-LBGA MPC82 352-TBGA (35x35) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 24 PowerPC 603E 300 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО - SDRAM Не - - - - 3,3 В. - I²C, I²O, PCI, UART
MPC8536CVTAULA NXP USA Inc. MPC8536CVTAULA -
RFQ
 ECAD 6534 0,00000000 NXP USA Inc. MPC85XX Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 783-BBGA, FCBGA MPC85 783-FCPBGA (29x29) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 36 PowerPC E500 1 333 г 1 ЯДРО, 32-БИТНО - DDR2, DDR3 Не - 10/100/1000 мсб/с (2) SATA 3 Гит / С (2) USB 2.0 (3) 1,8 В, 2,5 В, 3,3 В. - Duart, I²C, MMC/SD, PCI, SPI
MCIMX6S6AVM10ADR NXP USA Inc. MCIMX6S6AVM10ADR 41.7894
RFQ
 ECAD 1462 0,00000000 NXP USA Inc. i.mx6s Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 624-LFBGA MCIMX6 624-Mapbga (21x21) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 500 ARM® Cortex®-A9 1 гер 1 ЯДРО, 32-БИТНО Мультимеяя; Neon ™ Simd DDR3, DDR3L, LPDDR2 В дар Клаиатура, LCD 10/100/1000 мсб/с (1) - USB 2.0 + PHY (4) 1,8 В, 2,5 В, 2,8 В, 3,3 В ARM TZ, безопасность сажи, криптография, RTIC, Secure Fusebox, Secure JTAG, БЕЗОПАСАНА, ПАМАТА, БЕЗОПА, БОБА Can, i²c, I²S, MMC/SD/SDIO, SAI, SPI, SSI, UART
DRA726APGABCQ1 Texas Instruments DRA726APGABCQ1 -
RFQ
 ECAD 1311 0,00000000 Тел * Поднос Актифен - Rohs3 3 (168 чASOW) 296-DRA726APGABCQ1 1
MC68302CRC20C NXP USA Inc. MC68302CRC20C -
RFQ
 ECAD 3655 0,00000000 NXP USA Inc. M683XX Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 132-bpga-stavalennannynvion MC683 132-PGA (34,5x34,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.31.0001 42 M68000 20 мг 1 ЯДРО, 8/16-бит Коммуникашии; RISC CPM Ддрам Не - - - - 5,0 В. - GCI, IDL, ISDN, NMSI, PCM, SCPI
STA1085POA3TR STMicroelectronics STA1085POA3TR 14.2065
RFQ
 ECAD 9781 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 361-LFBGA 361-LFBGA (16x16) - Rohs3 DOSTISH 497-STA1085POA3TR 1300 ARM® Cortex®-R4 600 мг 2 ядра, 32-биота ARM® Cortex®-M3 SDRAM Не LCD - - USB 2.0 (2) 3,3 В. JTAG Canbus, GPIO, I²C, I²S, MMC/SD, SSP, SPI, UART
MPC860DEZQ50D4R2 NXP USA Inc. MPC860DEZQ50D4R2 -
RFQ
 ECAD 2444 0,00000000 NXP USA Inc. MPC8XX Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TA) Пефер 357-BBGA MPC86 357-pbga (25x25) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 935316748518 5A991B4B 8542.31.0001 180 MPC8XX 50 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО Коммуникашии; CPM Ддрам Не - 10 марта / с (2) - - 3,3 В. - I²C, IRDA, PCMCIA, SPI, TDM, UART/USART
EP9312-IB Cirrus Logic Inc. EP9312-IB -
RFQ
 ECAD 1434 0,00000000 Cirrus Logic Inc. Ep9 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 352-BBGA EP9312 352-PBGA (27x27) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 598-1259 3A991A2 8542.31.0001 40 ARM920T 200 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО Манат -девигател; MaverickCrunch ™ SDRAM В дар Клаиатура, жk -Дисплге, Сонсорн Кран 1/10/100 мсб/с (1) - USB 2.0 (3) 1,8 В, 3,3 В. Аппаратнжиджэйн Ac'97, i²s, ide, irda, spi, uart
T1020NSE7PQB NXP USA Inc. T1020NSE7PQB 131.8610
RFQ
 ECAD 5005 0,00000000 NXP USA Inc. QORIQ T1 МАССА Актифен 0 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 780-FBGA, FCBGA T1020NSE7 780-FCPBGA (23x23) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 5A002A1 8542.31.0001 60 PowerPC E5500 1,4 -е 2 ядра, 64-биота - DDR3L/4 Не - 1 Гит / С (12) SATA 3 Гит / С (2) USB 2.0 + PHY (2) - БОПАСОСА Именуншив I²C, MMC/SD, PCIE, SPI, UART
MCIMX6Y2CVM05AB NXP USA Inc. MCIMX6Y2CVM05AB 16.5000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NXP USA Inc. i.mx6 Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TJ) Пефер 289-LFBGA MCIMX6 289-MAPBGA (14x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 5A992C 8542.31.0001 152 ARM® Cortex®-A7 528 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО Мультимеяя; NEON ™ MPE LPDDR2, DDR3, DDR3L Не ЭlektroporeTyk, k -DiSp 10/100 мсб/с (1) - USB 2.0 OTG + PHY (2) 1,8 В, 2,8 В, 3,3 В. A-Hab, Arm TZ, CSU, SJC, SNVS Can, i²c, spi, uart
MG80C186XL-20 Rochester Electronics, LLC MG80C186XL-20 -
RFQ
 ECAD 8191 0,00000000 Rochester Electronics, LLC 186 МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан 3A001A2C 8542.31.0001 1 80C186 20 мг 1 ЯДРО, 16-БИТ - Ддрам Не - - - - 5,0 В. - -
MCIMX6DP5EYM1AB NXP USA Inc. MCIMX6DP5EYM1AB 62 5497
RFQ
 ECAD 8093 0,00000000 NXP USA Inc. i.mx6dp Поднос Актифен -20 ° C ~ 105 ° C (TJ) Пефер 624-LFBGA, FCBGA MCIMX6 624-FCPBGA (21x21) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 5A992C 8542.31.0001 60 ARM® Cortex®-A9 1,0 2 ядра, 32-биота Мультимеяя; Neon ™ Simd LPDDR2, DDR3L, DDR3 В дар Hdmi, клавиатура, lcd, lvds, mipi/dsi, плажаль 10/100/1000 мсб/с (1) SATA 3 Гит / С (1) USB 2.0 + PHY (3), USB 2.0 OTG + PHY (1) 1,8 В, 2,5 В, 2,8 В, 3,3 В Arm TZ, A-Hab, Caam, CSU, SJC, SNVS Can, ebi/emi, i²c, i²s, mmc/sd/sdio, sai, spi, ssi, s/pdif, uart
LX2160SC72232B NXP Semiconductors LX2160SC72232B 721.9100
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki QORLQ LX2 МАССА Актифен 0 ° C ~ 105 ° C (TJ) Пефер 1517-BBGA, FCBGA 1517-FCPBGA (40x40) - 2156-LX2160SC72232B 1 ARM® Cortex®-A72 2,2 -е 16 ядра, 64-биота - DDR4 SDRAM В дар - 100 -gbiot / s (2) SATA 3.0 (4) USB 3.0 (2) + phy (2) 1,2 В, 1,8 В, 3,3 В. Secure Boot, Trustzone® Canbus, I²C, MMC/SD, SPI, UART
MPC8360VVAJDGA NXP USA Inc. MPC8360VVAJDGA -
RFQ
 ECAD 1088 0,00000000 NXP USA Inc. MPC83XX Поднос Управо 0 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 740-lbga MPC8360 740-TBGA (37,5x37,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 935319188557 3A991A2 8542.31.0001 105 PowerPC E300 533 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО Коммуникашии; Дюйгалб Quicc DDR, DDR2 Не - 10/100/1000 мсб/с (1) - USB 1.x (1) 1,8 В, 2,5 В, 3,3 В. - Duart, HDLC, I²C, PCI, SPI, UART
MPC8379VRALG NXP USA Inc. MPC8379vralg -
RFQ
 ECAD 3063 0,00000000 NXP USA Inc. MPC83XX Поднос Управо 0 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 689-BBGA PAD MPC83 689-TEPBGA II (31x31) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 27 PowerPC E300C4S 667 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО - DDR, DDR2 Не - 10/100/1000 мсб/с (2) SATA 3 Гит / С (4) USB 2.0 + PHY (1) 1,8 В, 2,5 В, 3,3 В. - Duart, I²C, MMC/SD, PCI, SPI
LS2084ACE7TTB NXP USA Inc. LS2084ACE7TTB 267.5248
RFQ
 ECAD 1614 0,00000000 NXP USA Inc. * Поднос Актифен - Rohs3 568-LS2084ACE7TTB 21
P2041NSN7PNAC NXP USA Inc. P2041NSN7PNAC -
RFQ
 ECAD 5807 0,00000000 NXP USA Inc. QORIQ P2 Поднос Управо 0 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 780-BBGA, FCBGA P2041 780-FCPBGA (23x23) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 935320272557 5A002A1 FRE 8542.31.0001 60 PowerPC E500MC 1,5 -е 4 ядра, 32-битвен - DDR3, DDR3L Не - 10/100/1000 мсб/с (5), 10 -й -гвит/с (1) SATA 3 Гит / С (2) USB 2.0 + PHY (2) 1,0 В, 1,35,, 1,5 В, 1,8 В, 2,5 В, 3,3 В - Duart, I²C, MMC/SD, Rapidio, SPI
79RC32T355-150DHGI Renesas Electronics America Inc 79RC32T355-150DHGI -
RFQ
 ECAD 2347 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Interprise ™ Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 208-BFQFP 79RC32 208-PQFP (28x28) СКАХАТА 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 24 MIPS-II 150 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО - SDRAM Не - 10/100 мсб/с (1) - USB 1.1 (1) 2,5 В, 3,3 В. - Атм, i²c, tdm, uart
DRA712BEGCBDQ1 Texas Instruments DRA712BEGCBDQ1 -
RFQ
 ECAD 4296 0,00000000 Тел Dra71x Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 538-LFBGA, FCBGA 538-FCBGA (17x17) - Rohs3 3 (168 чASOW) 296-DRA712BEGCBDQ1 1 ARM® Cortex®-A15 400 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО ARM® Cortex®-M4, BB2D, GPU, IVA DDR3, DDR3L В дар HDMI, LCD 10/100 мбйт/с (1), 10/100/1000 ммбейт/с (1) - USB 2.0 (2), USB 3.0 (1) 1,35,, 1,5, 1,8 В, 3,3 В Криптографя, БОЛЬШОЙ хraniliщ, зaщita ip programmnogo obespeheshonig 1-Wire®, Canbus, DMA, Ethernet, I²C, IRDA, MCASP, MCSPI, MMC/SD/SDIO, SPI, UART/USART, USB
KMPC8547EHXAUJ NXP USA Inc. KMPC8547EHXAUJ -
RFQ
 ECAD 2170 0,00000000 NXP USA Inc. MPC85XX Поднос Управо 0 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 783-BBGA, FCBGA KMPC85 783-FCBGA (29x29) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 5A002A1 FRE 8542.31.0001 2 PowerPC E500 1 333 г 1 ЯДРО, 32-БИТНО Охранокаджа; Spe, behopaSnostth; Raзdel DDR, DDR2, SDRAM Не - 10/100/1000 мб/с (4) - - 1,8 В, 2,5 В, 3,3 В. Криптографя, Гератор Duart, I²C, PCI, Rapidio
PPC8572EVTAULC NXP USA Inc. PPC8572EVTAULC -
RFQ
 ECAD 3663 0,00000000 NXP USA Inc. MPC85XX Поднос Управо 0 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 1023-BFBGA, FCBGA PPC85 1023-FCBGA (33x33) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 5A002A1 8542.31.0001 1 PowerPC E500 1 333 г 2 ядра, 32-биота Охранокаджа; Spe, behopaSnostth; Raзdel DDR2, DDR3 Не - 10/100/1000 мб/с (4) - - 1,5, 1,8 В, 2,5 В, 3,3 В Криптографя, Гератор Duart, HSSI, I²C, Rapidio
MPC8541PXALF NXP USA Inc. MPC8541PXALF -
RFQ
 ECAD 2167 0,00000000 NXP USA Inc. MPC85XX Поднос Управо 0 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 783-BBGA, FCBGA MPC85 783-FCPBGA (29x29) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 36 PowerPC E500 667 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО - DDR, SDRAM Не - 10/100/1000 мсб/с (2) - - 2,5 В, 3,3 В. - Duart, I²C, PCI
XLP416XD0800-22 Broadcom Limited XLP416XD0800-22 -
RFQ
 ECAD 7439 0,00000000 Broadcom Limited * Поднос Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 1
R8A77220AC266BGV Renesas Electronics America Inc R8A77220AC266BGV -
RFQ
 ECAD 5012 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Superh® SH7780 Поднос Управо -20 ° C ~ 75 ° C (TA) Пефер 449-FBGA R8A77220 449-FBGA (21x21) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 5A002A1 8542.31.0001 1 SH-4AL-DSP 266 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО - 3.30
XPC850CZT50BUR2 NXP USA Inc. XPC850CZT50BUR2 -
RFQ
 ECAD 6262 0,00000000 NXP USA Inc. MPC8XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TA) Пефер 256-BGA XPC85 256-PBGA (23x23) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A001A3 8542.31.0001 500 MPC8XX 50 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО Коммуникашии; CPM Ддрам Не - 10 марта / с (1) - USB 1.x (1) 3,3 В. - HDLC/SDLC, I²C, IRDA, PCMCIA-ATA, TDM, UART/USART
OMAPL138EZWT3 Texas Instruments OMAPL138EZWT3 25.9600
RFQ
 ECAD 165 0,00000000 Тел OMAP-L1X Поднос Актифен 0 ° C ~ 90 ° C (TJ) Пефер 361-LFBGA OMAPL138 361-NFBGA (16x16) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 90 ARM926EJ-S 375 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО Охранокаджа; C674x, управолизии -систеро; CP15 SDRAM Не LCD 10/100 мсб/с (1) SATA 3 Гит / С (1) USB 1.1 + PHY (1), USB 2.0 + PHY (1) 1,8 В, 3,3 В. BehopaSnoStH HPI, I²C, MCASP, MCBSP, MMC/SD, SPI, UART
XPC850DECVR66BU NXP USA Inc. XPC850DECVR66BU -
RFQ
 ECAD 5956 0,00000000 NXP USA Inc. MPC8XX Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TA) Пефер 256-BGA XPC85 256-PBGA (23x23) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A001A3 8542.31.0001 60 MPC8XX 66 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО Коммуникашии; CPM Ддрам Не - 10 марта / с (1) - USB 1.x (1) 3,3 В. - HDLC/SDLC, I²C, IRDA, PCMCIA-ATA, TDM, UART/USART
AT91SAM9263B-CU-100 Microchip Technology AT91SAM9263B-CU-100 22.5400
RFQ
 ECAD 6111 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА AT91SAM Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 324-TFBGA AT91SAM9263 324-TFBGA (15x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH AT91SAM9263BCU100 3A991A2 8542.31.0001 126 ARM926EJ-S 200 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО - SDRAM, SRAM В дар LCD 10/100 мсб/с - USB 2.0 (2) 1,8 В, 2,0 В, 2,5 В, 2,7 В, 3,0 В, 3,3 В - AC97, Can, EBI/EMI, I²C, ISI, MMC/SD/SDIO, SPI, SSC, UART/USART
LS1028ASE7PQA NXP USA Inc. LS1028ase7pqa 78.4074
RFQ
 ECAD 1402 0,00000000 NXP USA Inc. * Поднос Актифен - Rohs3 568-LS1028ase7pqa 90
MPC860TZQ80D4 NXP USA Inc. MPC860TZQ80D4 -
RFQ
 ECAD 5758 0,00000000 NXP USA Inc. MPC8XX Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TA) Пефер 357-BBGA MPC86 357-pbga (25x25) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 935309616557 5A991B4B 8542.31.0001 44 MPC8XX 80 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО Коммуникашии; CPM Ддрам Не - 10 марта/с (4), 10/100 м. - - 3,3 В. - HDLC/SDLC, I²C, IRDA, PCMCIA, SPI, TDM, UART/USART
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть