RFQ
Категория
Связаться с нами

Тел: +86-0755-83501315

Электронная почта:sales@sic-components.com

Vstroennnый (3743)

Nomerprodookta	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Колист	Млн	В припании	Упако	Степень Продукта	Rraboч -yemperatura	Прилонья	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	ТИП	Baзowый nomer prodikta	Sic programmirueTSARY	Napraheneee - posta	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Техниль	Статус Ройс	Вернояж	Доусейн Статуса	Дрогин ИНЕНА	Eccn	Htsus	Станодар	Nomer- /Водад	О.	Raзmer jadra	Скороп	Подклхейни	Пефер -вусрост	Raзmerpmayti programmы	ТИПППАМАЙТИ ПРОГРАММА	Eeprom raзmer	Raзmer operativnoй papmayti	На	Прроуваали Дьянн	ТИП ГЕЙНЕРАТОРА	Имен	Колиш	SO-PROцESCORы/DSP	КОНКОНТРОЛЕР	Графика	DiSpleй иконтролр	Ethernet	С ката	USB	Napraheneee - I/O.	Функшии	DOPOLNITELNHENEGERFEйSы.	Такта	NeLeTUч -аяжа	VoStronannannannannannannannannannanyaperaTivanyavanyavath	Naprayжenie - jadro	СЕРИНКА КОНРОЛЕРОВ
MSC7119VM1200	63 3600	RFQ	8	Freescale Semiconductor	Starcore	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 105 ° C.		Пефер	400-LFBGA	ФИКСИРОВАННАНА				400-pbga (17x17)	СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		3A991	8542.31.0001	1														ИНЕРФЕРА									3.30			300 мг	RIM (8 кб)	464 кб	1.20V
MC9S08QA4CPAE	1.5900	RFQ	13	Freescale Semiconductor	S08	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Чereз dыru	8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ)		MC9S08			8-Pdip	СКАХАТА					Ear99	8542.31.0001	1	4	S08	8-Bytnый	20 мг	-	LVD, POR, PWM, WDT	4 кб (4K x 8)	В.С.	-	256 x 8	1,8 В ~ 3,6 В.	A/D 4x10b	Внутронни
P3041NXE7NNC	-	RFQ	6125	Freescale Semiconductor	*	МАССА	Актифен										СКАХАТА		Продан	DOSTISH	2156-P3041NXE7NNC-600055			1
MC9S12XDT384MPV	-	RFQ	1765	Freescale Semiconductor	HCS12X	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		Пефер	112-LQFP		MC9S12			112-LQFP (20x20)	СКАХАТА	Rohs	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8542.31.0001	1	91	HCS12X	16-бит	80 мг	Canbus, Ebi/emi, I²C, Irda, Linbus, Sci, Spi	LVD, POR, PWM, WDT	384KB (384K x 8)	В.С.	4K x 8	20K x 8	2,35 В ~ 2,75 В.	A/D 24x10b SAR	Внений
S9S08LG32J0VLF	-	RFQ	4350	Freescale Semiconductor	S08	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Пефер	48-LQFP		S9S08			48-LQFP (7x7)	СКАХАТА					3A991A2	8542.31.0001	1	39	S08	8-Bytnый	40 мг	I²C, Linbus, Sci, Spi	LCD, LVD, POR, PWM, WDT	32KB (32K x 8)	В.С.	-	1,9K x 8	2,7 В ~ 5,5 В.	A/D 9x12b	Внутронни
G912XD256F1VAG	-	RFQ	5240	Freescale Semiconductor	-	МАССА	Актифен										-				2156-G912XD256F1VAG			1
S9S12C128J2VFUE	12.7000	RFQ	70	Freescale Semiconductor	HCS12	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Пефер	80-QFP		S9S12			80-QFP (14x14)	СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8542.31.0001	1	60	HCS12	16-бит	50 мг	Canbus, ebi/emi, sci, spi	Por, pwm, Wdt	128KB (128K x 8)	В.С.	-	4K x 8	2,35 В ~ 2,75 В.	A/D 8x10b SAR	Внутронни
MCF53012CQT240	17.4000	RFQ	80	Freescale Semiconductor	MCF5301X	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Пефер	208-LQFP		MCF53012			208-TQFP (28x28)	СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	Продан		5A992	8542.31.0001	1	61	Coldfire V3	32-битвен	240 мг	Ebi/emi, ethernet, i²c, karta pamaeti, spi, ssi, uart/usart, usb otg	DMA, PWM, Wdt	-	БОЛЬШЕ	-	128K x 8	1,08 n 3,6 В.	-	Внутронни
MPC8313EVRAFFB	24.4800	RFQ	239	Freescale Semiconductor	MPC83XX	Поднос	Управо	0 ° C ~ 105 ° C (TA)		Пефер	516-BBGA PAD					516-TEPBGA (27x27)	СКАХАТА	Rohs3				5A002A1	8542.31.0001	40		PowerPC E300C3		333 мг											1 ЯДРО, 32-БИТНО	БЕЗОПА; Р. А.Д.2	DDR, DDR2	Не	-	10/100/1000 мсб/с (2)	-	USB 2.0 + PHY (1)	1,8 В, 2,5 В, 3,3 В.	Криптогро	Duart, HSSI, I²C, PCI, SPI
MCF52234CVM60	-	RFQ	5433	Freescale Semiconductor	MCF5223X	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Пефер	121-LBGA		MCF52234			121-MAPBGA (12x12)	СКАХАТА					3A991A2	8542.31.0001	1	80	Coldfire v2	32-битвен	60 мг	Canbus, Ethernet, I²C, SPI, UART/USART	DMA, LVD, POR, PWM, WDT	256 кб (256 л. С. х 8)	В.С.	-	32K x 8	3 В ~ 3,6 В.	A/D 8x12b	Внутронни
MC68EN360AI33L-FR	146.0200	RFQ	39	Freescale Semiconductor	M683XX	МАССА	Актифен	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Пефер	240-bfqfp					240-FQFP (32x32)	СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		3A991A2	8542.31.0001	1		ЦP32+		33 мг											1 ЯДРО, 32-БИТНО	Коммуникашии; CPM	Ддрам	Не	-	10 марта / с (1)	-	-	5в	-	EBI/EMI, SCC, SIM, SMC, SPI, UART, TDM
MC56F84550VLF	-	RFQ	9828	Freescale Semiconductor	-	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Пефер	48-LQFP					48-LQFP (7x7)	-				2156-MC56F84550VLF			1	34	56800EX	32-Bytnый	80 мг	Canbus, I²C, Linbus, Sci, Spi	Brown-Out Detect/Reset, DMA, LVD, POR, PWM, WDT	96 кб (96K x 8)	В.С.	32K x 8	16K x 8	2,7 В ~ 3,6 В.	A/D 20x12b, 8x16b SAR; D/A 1x12b	Внутронни
MCF51QU128VHS	3.8900	RFQ	2	Freescale Semiconductor	*	МАССА	Актифен						MCF51				СКАХАТА		3 (168 чASOW)	DOSTISH	2156-MCF51QU128VHS-600055	3A991A2	8542.31.0001	1
S9S12HZ256J3CAL	20.5800	RFQ	188	Freescale Semiconductor	HCS12	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Пефер	112-LQFP		S9S12			112-LQFP (20x20)	СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8542.31.0001	1	85	S12	16-бит	50 мг	Canbus, Ebi/emi, i²c, Sci, Spi	Жk -diSpleй, upravoleneee -odvigatemem pwm, por, pwm, wdt	256b (256 x 8)	В.С.	2k x 8	12K x 8	2,75 ЕГО 4,5.	A/D 16x10b	Внутронни
S912XDG128F2VAL	-	RFQ	7892	Freescale Semiconductor	HCS12X	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Пефер	112-LQFP		S912			112-LQFP (20x20)	СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		3A991A2	8542.31.0001	1	91	HCS12X	16-бит	80 мг	Canbus, i²c, Sci, Spi	LVD, POR, PWM, WDT	128KB (128K x 8)	В.С.	2k x 8	12K x 8	2,35 -5,5.	A/D 8x10b, 16x10b	Внений
S912XEG128J2VAA	13.2900	RFQ	3	Freescale Semiconductor	HCS12X	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Пефер	80-QFP		S912			80-QFP (14x14)	СКАХАТА						0000.00.0000	1	59	HCS12X	16-бит	50 мг	Canbus, Ebi/emi, I²C, Irda, Sci, Spi	LVD, POR, PWM, WDT	128KB (128K x 8)	В.С.	2k x 8	12K x 8	1,72 В ~ 5,5.	A/D 8x12b	Внений
MC9S08AC96CLKE	6 8400	RFQ	26	Freescale Semiconductor	S08	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Пефер	80-LQFP		MC9S08			80-LQFP (14x14)	СКАХАТА					3A991A2	8542.31.0001	1	69	S08	8-Bytnый	40 мг	I²C, Linbus, Sci, Spi	LVD, POR, PWM, WDT	96 кб (96K x 8)	В.С.	-	6K x 8	2,7 В ~ 5,5 В.	A/D 16x10b	Внутронни
MCIMX508CVK8B	20.0400	RFQ	4	Freescale Semiconductor	I.mx50	МАССА	Актифен	0 ° C ~ 70 ° C (TA)		Пефер	416-LFBGA		MCIMX508			416-mapbga (13x13)	СКАХАТА					5A992C	8542.31.0001	1		ARM® Cortex®-A8		800 мг											1 ЯДРО, 32-БИТНО	Мультимеяя; Neon ™ Simd	LPDDR, LPDDR2, DDR2	В дар	EPDC, LCD	10/100 мсб/с (1)	-	USB 2.0 + PHY (2)	1,2 В, 1875 -й, 2775 В, 3,0	BehopaSnoSth зagruзky, криптогрофия, бер	1-Wire, AC'97, I²C, I²S, MMC/SD, SPI, SSI, UART
MC9S12E256CFUE	13.4800	RFQ	11	Freescale Semiconductor	HCS12	Поднос	Управо	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Пефер	80-QFP		MC9S12			80-QFP (14x14)	СКАХАТА	Rohs3				Ear99	8542.31.0001	84	60	HCS12	16-бит	25 мг	Ebi/emi, i²c, sci, spi	Por, pwm, Wdt	256 кб (256 л. С. х 8)	В.С.	-	16K x 8	2,97 В ~ 5,5.	A/D 16x10b; D/A 2x8b	Внутронни
MPC8347VVALFB	-	RFQ	4881	Freescale Semiconductor	MPC83XX	МАССА	Актифен	0 ° C ~ 105 ° C (TA)		Пефер	672-LBGA					672-lbga (35x35)	СКАХАТА					3A991A2	8542.31.0001	1		PowerPC E300		667 мг											1 ЯДРО, 32-БИТНО	-	Ведущий	Не	-	10/100/1000 мсб/с (2)	-	USB 2.0 + PHY (2)	2,5 В, 3,3 В.	-	Duart, I²C, PCI, SPI
MC908QY2AMDWER	-	RFQ	4399	Freescale Semiconductor	HC08	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)		Пефер	16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм)		MC908			16 лейт	СКАХАТА	Neprigodnnый	3 (168 чASOW)	DOSTISH		Ear99	8542.31.0001	1	13	HC08	8-Bytnый	8 мг	-	Lvd, Por, Pwm	1,5 кб (1,5 л. С. х 8)	В.С.	-	128 x 8	2,7 В ~ 5,5 В.	A/D 6x10b	Внутронни
MPC860PZQ80D4R2518	176.8000	RFQ	180	Freescale Semiconductor	MPC86XX	МАССА	Актифен	0 ° C ~ 95 ° C (TJ)		Пефер	357-BBGA					357-pbga (25x25)	СКАХАТА	Neprigodnnый	3 (168 чASOW)	Продан		5A991B4B	8542.31.0001	180		MPC8XX		80 мг											1 ЯДРО, 32-БИТНО	Коммуникашии; CPM	Ддрам	Не	-	10 марта/с (4), 10/100 м.	-	-	3,3 В.	-	HDLC/SDLC, I²C, IRDA, PCMCIA, SPI, TDM, UART/USART
MC9S12XDT512VPV	-	RFQ	9172	Freescale Semiconductor	HCS12	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Пефер	112-LQFP		MC9S12			112-LQFP (20x20)	СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH		3A991A2	8542.31.0001	1	91	HCS12X	16-бит	80 мг	Canbus, Ebi/emi, I²C, Irda, Linbus, Sci, Spi	LVD, POR, PWM, WDT	512KB (512K x 8)	В.С.	4K x 8	20K x 8	2,35 -5,5.	A/D 16x10b SAR	VneShoniй, Внутронни
MPC8241LZQ200D	35 2900	RFQ	72	Freescale Semiconductor	MPC82XX	МАССА	Актифен	0 ° C ~ 105 ° C (TA)		Пефер	357-BBGA		MPC82			357-pbga (25x25)	СКАХАТА	Rohs	3 (168 чASOW)	Продан		3A991A2	8542.31.0001	1		PowerPC 603E		200 мг											1 ЯДРО, 32-БИТНО	-	SDRAM	Не	-	-	-	-	3,3 В.	-	I²C, I²O, PCI, UART
S912XDG128F2CAA	-	RFQ	6206	Freescale Semiconductor	HCS12X	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)		Пефер	80-QFP		S912			80-QFP (14x14)	СКАХАТА	Rohs3	3 (168 чASOW)	DOSTISH				1	59	HCS12X	16-бит	80 мг	Canbus, Ebi/emi, I²C, Irda, Linbus, Sci, Spi	LVD, POR, PWM, WDT	128KB (128K x 8)	В.С.	2k x 8	12K x 8	2,35 В ~ 2,75 В.	A/D 8x10b	Внений
DSP56311VF150	46.3400	RFQ	8	Freescale Semiconductor	DSP56K/Symphony	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 100 ° C (TJ)		Пефер	196-LBGA	ФИКСИРОВАННАНА	DSP563			196-MAPBGA (15x15)	СКАХАТА	Rohs	3 (168 чASOW)	Продан		3A991A2	8542.31.0001	1														ИНЕРФЕРА									3.30			150 мг	RIM (576b)	384 кб	1,80 В.
MM908E624AYPEW	7,5000	RFQ	52	Freescale Semiconductor	-	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 125 ° C.	Верно	Пефер	54-BSSOP (0,295 ", Ирина 7,50 мм)			Nprovereno	5,5 В ~ 18	54 SOIC	СКАХАТА					3A991A2	8542.31.0001	1	16	HC08						Вспышка (16 кб)		512 x 8				Sci, Spi																908e
Mk10dn32vlh5	-	RFQ	1858	Freescale Semiconductor	Kinetis K10	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Пефер	64-LQFP		MK10DN32			64-LQFP (10x10)	СКАХАТА					3A991A2	8542.31.0001	1	44	ARM® Cortex®-M4	32-битвен	50 мг	I²c, irda, spi, uart/usart	DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT	32KB (32K x 8)	В.С.	-	8K x 8	1,71 В ~ 3,6 В.	A/D 19x16b	Внутронни
MCF51JE256VLK	-	RFQ	7873	Freescale Semiconductor	MCF51JE	МАССА	Актифен	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)		Пефер	80-LQFP		MCF51			80-LQFP (12x12)	СКАХАТА					3A991A2	8542.31.0001	1	47	Coldfire v1	32-битвен	50 мг	Ebi/emi, i²c, sci, spi, usb otg	Lvd, Pwm, Wdt	256 кб (256 л. С. х 8)	В.С.	-	32K x 8	1,8 В ~ 3,6 В.	A/D 12x12b; D/A 1x12b	Внений
MPC8360VVAJDGA	153 6300	RFQ	53	Freescale Semiconductor	MPC83XX	МАССА	Актифен	0 ° C ~ 105 ° C (TA)		Пефер	740-lbga					740-TBGA (37,5x37,5)	СКАХАТА					3A991A2	8542.31.0001	1		PowerPC E300		533 мг											1 ЯДРО, 32-БИТНО	Коммуникашии; Дюйгалб Quicc	DDR, DDR2	Не	-	10/100/1000 мсб/с (1)	-	USB 1.x (1)	1,8 В, 2,5 В, 3,3 В.	-	Duart, HDLC, I²C, PCI, SPI, UART