Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Программируемый НИЦ | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Архитектура | Всего бит ОЗУ | Количество входов/выходов | Количество LAB/CLB | Количество логических элементов/ячеек | Основной процессор процессора | Размер ядра | Скорость | Возможности подключения | Периферийные устройства | Размер памяти программы | Тип памяти программы | Размер EEPROM | Размер оперативной памяти | Напряжение-питание (Vcc/Vdd) | Конвертеры данных | Тип генератора | Размер травмы | Первичные атрибуты |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | R7F702301BFABG-C#BC8 | 53,6800 | ![]() | 5392 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 720 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F564MLHGFP#V1 | 15.2432 | ![]() | 7668 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | прием | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 100-LFQFP (14x14) | - | Соответствует ROHS3 | 559-R5F564MLHGFP#V1 | 90 | 78 | RXv2 | 32-битный | 120 МГц | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, LINbus, MMC/SD, SCI, SPI, SSI, UART/USART, USB | DMA, LVD, POR, ШИМ, WDT | 4 МБ (4 М х 8) | ВСПЫШКА | 64К х 8 | 512К х 8 | 2,7 В ~ 3,6 В | А/Д 29х12б; Д/А 2х12б | Внутренний | ||||||||||||||
![]() | R5F524UBADFP#10 | 4,8763 | ![]() | 4209 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | RX24U | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | Р5Ф524 | 100-LFQFP (14x14) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 559-R5F524UBADFP#10 | 720 | 79 | прием | 32-битный одноядерный | 80 МГц | CANbus, I²C, SCI, SPI | DMA, LVD, POR, ШИМ, WDT | 256 КБ (256 КБ х 8) | ВСПЫШКА | 8К х 8 | 32К х 8 | 2,7 В ~ 5,5 В | А/Д 20х12б; Д/А 2х8б | Внутренний | |||||||||||
![]() | R7F100GMG2DFA#HA0 | 2,1733 | ![]() | 2718 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | РЛ78/G23 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 80-LQFP | 80-ЛКФП (14х14) | - | Соответствует ROHS3 | 559-R7F100GMG2DFA#HA0TR | 1 | 70 | РЛ78 | 16-битный | 32 МГц | CSI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART | НВД, ПОР, ШИМ, ВДТ | 128 КБ (128 КБ х 8) | ВСПЫШКА | 8К х 8 | 16К х 8 | 1,6 В ~ 5,5 В | А/Д 17х8/10б/12б; Д/А 2х8б | Внутренний | ||||||||||||||
![]() | R5F572NNHGFB#10 | 14.0295 | ![]() | 4240 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | прием | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-LQFP | 144-ЛФКФП (20х20) | - | Соответствует ROHS3 | 559-R5F572NNHGFB#10 | 480 | 111 | RXv3 | 32-битный | 240 МГц | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG | DMA, ЖК-дисплей, LVD, POR, ШИМ, WDT | 4 МБ (4 М х 8) | ВСПЫШКА | 32К х 8 | 1М х 8 | 2,7 В ~ 3,6 В | А/Д 29х12б; Д/А 2х12б | Внутренний | ||||||||||||||
![]() | TM4E1231H6NMRI7R | - | ![]() | 8790 | 0,00000000 | Техасские инструменты | - | Лента и катушка (TR) | Активный | - | 296-TM4E1231H6NMRI7RTR | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY8C4128AXI-S445 | 4,6961 | ![]() | 8348 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | PSOC® 4 CY8C4100S | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | CY8C4128 | 64-ТКФП (14х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 900 | 54 | ARM® Cortex®-M0 | 32-битный одноядерный | 24 МГц | I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART | Обнаружение/сброс напряжения напряжения, CapSense, ЖК-дисплей, POR, ШИМ, WDT | 256 КБ (256 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 32К х 8 | 1,71 В ~ 5,5 В | Наклон АЦП 16х10б, САР 16х12б; Ц/А 2xIDAC | Внешний | ||||||||||||
![]() | AT89C51AC3T-RLTUM | 11.2500 | ![]() | 8163 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | 89С | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-LQFP | AT89C51 | 44-ВКФП (10х10) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 150-AT89C51AC3T-РЛТУМ | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 160 | 36 | 80С51 | 8-битный | 60 МГц | УАРТ/УСАРТ | ПОР, ШИМ, ВДТ | 64 КБ (64 КБ х 8) | ВСПЫШКА | 2К х 8 | 2,25 тыс. х 8 | 3 В ~ 5,5 В | А/Д 8х10б | Внешний | |||||||||
| R5F101AAASP#30 | - | ![]() | 1370 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | РЛ78/Г13 | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 30-LSSOP (ширина 0,240 дюйма, 6,10 мм) | Р5Ф101 | 30-ЛССОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | -1161-R5F101AAASP#30 | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 210 | 21 | РЛ78 | 16-битный | 32 МГц | CSI, I²C, LINbus, UART/USART | DMA, LVD, POR, ШИМ, WDT | 16 КБ (16 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 2К х 8 | 1,6 В ~ 5,5 В | А/Д 8х8/10б | Внутренний | ||||||||||
![]() | LCMXO2-4000HE-5BG256C | 19,6950 | ![]() | 5040 | 0,00000000 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | МахаХО2 | Поднос | Активный | 0°С ~ 85°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 256-ЛФБГА | LCMXO2-4000 | Не проверено | 1,14 В ~ 1,26 В | 256-КАБГА (14х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991D | 8542.39.0001 | 119 | 94208 | 206 | 540 | 4320 | |||||||||||||||||
| XCVM1402-2HSIVSVD1760 | 10.0000 | ![]() | 2928 | 0,00000000 | АМД | Версаль™ Прайм | Поднос | Активный | -40°С ~ 100°С (ТДж) | 1760-БФБГА, ФКБГА | 1760-FCBGA (40х40) | скачать | Соответствует ROHS3 | 4 (72 часа) | 122-XCVM1402-2HSIVSVD1760 | 1 | МПУ, ПЛИС | 726 | Dual ARM® Cortex®-A72 MPCore™ с CoreSight™, Dual ARM®Cortex™-R5F с CoreSight™ | 800 МГц, 1,65 ГГц | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, MMC/SD/SDIO, SPI, UART/USART, USB OTG | DDR, DMA, PCIe | - | - | ПЛИС Versal™ Prime, 1,2 млн логических ячеек | |||||||||||||||||||
![]() | MSP430V203IRGER | - | ![]() | 5256 | 0,00000000 | Техасские инструменты | - | Масса | Активный | - | Соответствует ROHS3 | 296-MSP430V203IRGER | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 5SGSED6K2F40I3LNCV | - | ![]() | 4172 | 0,00000000 | Интел | Стратикс® В GS | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 100°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 1517-ББГА, ФКБГА | 5СГСЭД6 | Не проверено | 0,82 В ~ 0,88 В | 1517-ФБГА (40х40) | - | не соответствует RoHS | 4 (72 часа) | 544-5SGSED6K2F40I3LNCV | УСТАРЕВШИЙ | 1 | 46080000 | 696 | 220000 | 583000 | |||||||||||||||||||
![]() | LPC54S018JET180K | 13.5700 | ![]() | 8245 | 0,00000000 | NXP США Инк. | LPC540xx | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 180-ТФБГА | LPC54S018 | 180-ТФБГА (12х12) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 5А992С | 8542.31.0001 | 189 | 145 | ARM® Cortex®-M4 | 32-битный одноядерный | 180 МГц | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, MMC/SD/SDIO, SmartCard, SPI, SPIFI, UART/USART, USB | Обнаружение/сброс напряжения напряжения, DMA, I²S, LCD, POR, PWM, WDT | - | без ПЗУ | 16К х 8 | 360 тыс. х 8 | 1,71 В ~ 3,6 В | А/Д 12х12б САР | Внутренний | ||||||||||
![]() | R5F101LJDFA#30 | - | ![]() | 3446 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | РЛ78/Г13 | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | Р5Ф101 | 64-ЛКФП (12х12) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 559-R5F101LJDFA#30 | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 160 | 48 | РЛ78 | 16-битный | 32 МГц | CSI, I²C, LINbus, UART/USART | DMA, LVD, POR, ШИМ, WDT | 256 КБ (256 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 20К х 8 | 1,6 В ~ 5,5 В | А/Д 12х8/10б | Внутренний | |||||||||
![]() | S6E2C38J0AGB10000 | - | ![]() | 5462 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | FM4 S6E2C3 | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 192-ЛФБГА | S6E2C38 | 192-ФБГА (12х12) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 152 | 152 | ARM® Cortex®-M4F | 32-битный одноядерный | 200 МГц | CSIO, EBI/EMI, I²C, LINbus, SD, SPI, UART/USART, USB | DMA, I²S, LVD, POR, ШИМ, WDT | 1 МБ (1 М х 8) | ВСПЫШКА | - | 128 КБ х 8 | 2,7 В ~ 5,5 В | А/Д 32х12б; Д/А 2х12б | Внутренний | ||||||||||
![]() | MC68EC040E25A | 93,6000 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Свободный полупроводник | - | Масса | Устаревший | - | 2156-MC68EC040E25A | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F564MGCDFB#11 | 14.1795 г. | ![]() | 5261 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | RX64M | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-LQFP | Р5Ф564 | 144-ЛФКФП (20х20) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 559-R5F564MGCDFB#11 | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 480 | 111 | RXv2 | 32-битный одноядерный | 120 МГц | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, LINbus, MMC/SD, SCI, SPI, SSI, UART/USART, USB | DMA, LVD, POR, ШИМ, WDT | 2,5 МБ (2,5 М х 8) | ВСПЫШКА | 64К х 8 | 512К х 8 | 2,7 В ~ 3,6 В | А/Ц 8х12б, 21х12б; Д/А 2х12б | Внутренний | |||||||||
![]() | SPC582B60E3MH00X | 9.2565 | ![]() | 9923 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, SPC58 2B-Line | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | Открытая площадка 100-TQFP | SPC582 | 100-eTQFP (14x14) | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 0000.00.0000 | 1000 | 48 | e200z2 | 32-битный одноядерный | 80 МГц | CANbus, I²C, LINbus, SPI | ДМА, ВДТ | 1 МБ (1 М х 8) | ВСПЫШКА | 64К х 8 | 96К х 8 | 3,3 В, 5 В | А/Д 27х12б | Внутренний | ||||||||||||
![]() | R7F100GGN2DFB#HA0 | 3.1266 | ![]() | 3668 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | РЛ78/G23 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-LQFP | 48-LFQFP (7x7) | - | Соответствует ROHS3 | 559-R7F100GGN2DFB#HA0TR | 1 | 40 | РЛ78 | 16-битный | 32 МГц | CSI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART | НВД, ПОР, ШИМ, ВДТ | 768 КБ (768 КБ х 8) | ВСПЫШКА | 8К х 8 | 48К х 8 | 1,6 В ~ 5,5 В | А/Ц 10х8/10б/12б; Д/А 2х8б | Внутренний | ||||||||||||||
![]() | ATSAML11E15A-MUKPH | 2,4970 | ![]() | 1194 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | СЭМ Л11 | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-VFQFN Открытая колодка | АТСАМЛ11 | 32-ВКФН (5х5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 5А992С | 8542.31.0001 | 490 | 25 | ARM® Cortex®-M23 | 32-битный одноядерный | 32 МГц | I²C, LINbus, SPI, UART/USART | Обнаружение/сброс провала напряжения, DMA, POR, ШИМ, WDT | 32 КБ (32 КБ х 8) | ВСПЫШКА | 2К х 8 | 8К х 8 | 1,62 В ~ 3,63 В | А/Ц 10х12б; Д/А 1х10б | Внутренний | ||||||||||
![]() | R5F104GDGNA#W0 | - | ![]() | 6639 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | РЛ78/Г14 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-WFQFN Открытая колодка | Р5Ф104 | 48-HWQFN (7x7) | скачать | REACH не касается | 559-R5F104GDGNA#W0TR | УСТАРЕВШИЙ | 2500 | 34 | РЛ78 | 16-битный | 32 МГц | CSI, I²C, LINbus, UART/USART | DMA, LVD, POR, ШИМ, WDT | 48 КБ (48 КБ х 8) | ВСПЫШКА | 4К х 8 | 5,5К х 8 | 2,4 В ~ 5,5 В | А/Д 10х8/10б | Внутренний | ||||||||||||
![]() | UPD78F0527DGB(T)-UET-A | - | ![]() | 1222 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | 78К0/Кх2 | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 52-LQFP | UPD78F0527 | 52-ЛКФП (10х10) | - | Соответствует ROHS3 | 559-UPD78F0527DGB(T)-UET-A | УСТАРЕВШИЙ | 1 | 45 | 78 тыс./0 | 8-битный | 20 МГц | 3-проводной SIO, I²C, LINbus, UART/USART | НВД, ПОР, ШИМ, ВДТ | 128 КБ (128 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 7К х 8 | 1,8 В ~ 5,5 В | А/Д 8х10б | Внутренний | ||||||||||||
![]() | R5F100БАГНА#00 | 1.0200 | ![]() | 8136 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | РЛ78/Г13 | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-WFQFN Открытая колодка | 5F100 рандов | 32-HWQFN (5x5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 559-R5F100БАГНА#00 | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 3920 | 22 | РЛ78 | 16-битный | 32 МГц | CSI, I²C, LINbus, UART/USART | DMA, LVD, POR, ШИМ, WDT | 16 КБ (16 КБ х 8) | ВСПЫШКА | 4К х 8 | 2К х 8 | 2,4 В ~ 5,5 В | А/Д 8х8/10б | Внутренний | |||||||||
![]() | SC85410EVTAJD557 | 208.0000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | НХП Полупроводники | - | Масса | Устаревший | - | не соответствует RoHS | REACH не касается | 2156-SC85410EVTAJD557 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EFM8BB31F16G-B-QFN32 | - | ![]() | 3838 | 0,00000000 | Кремниевые лаборатории | Занятая пчела | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-UFQFN Открытая площадка | EFM8BB31 | 32-КФН (4х4) | скачать | 2 (1 год) | 336-3633 | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 490 | 29 | СИП-51 8051 | 8-битный | 50 МГц | I²C, SMBus, SPI, UART/USART | Обнаружение/сброс провала напряжения, POR, ШИМ, WDT | 16 КБ (16 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 2,25 тыс. х 8 | 2,2 В ~ 3,6 В | А/Д 20х10/12б САР; Д/А 2х12б | Внутренний | |||||||||||
![]() | SAFXE167F72F66LACFXQMA1 | - | ![]() | 9560 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | * | Масса | Активный | САФ-XE167 | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PIC16LF1619-E/ML | 1,9000 | ![]() | 9817 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | PIC® XLP™ 16F | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 20-VFQFN Открытая колодка | PIC16LF1619 | 20-ЧФН (4х4) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 91 | 18 | ПОС | 8-битный | 32 МГц | I²C, LINbus, SPI, UART/USART | Обнаружение/сброс провала напряжения, POR, ШИМ, WDT | 14 КБ (8 х 14) | ВСПЫШКА | - | 1К х 8 | 1,8 В ~ 3,6 В | А/Ц 12х10б; Д/А 1х8б | Внутренний | ||||||||||
![]() | DSPIC33EP32GP504-I/TL | - | ![]() | 1104 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | dsPIC™ 33EP | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-VFTLA Открытая колодка | DSPIC33EP32GP504 | 44-ВТЛА (6х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 61 | 35 | dsPIC | 16-битный | 70 МИП | CANbus, I²C, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART | Обнаружение/сброс провала напряжения, DMA, POR, ШИМ, WDT | 32 КБ (10,7 КБ х 24) | ВСПЫШКА | - | 2К х 16 | 3 В ~ 3,6 В | А/Д 9х10б/12б | Внутренний | ||||||||||
![]() | PIC24FJ64GA412T-I/БГ | 6,4790 | ![]() | 9616 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ПИК® XLP™ 24F | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 121-ТФБГА | ПИК24ФДЖ64ГА412 | 121-ТФБГА (10х10) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 2200 | 102 | ПОС | 16-битный | 32 МГц | I²C, ИК-порт, LINbus, PMP/PSP, SPI, UART/USART | Обнаружение/сброс напряжения питания, DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT | 64 КБ (22 КБ х 24) | ВСПЫШКА | - | 8К х 8 | 2 В ~ 3,6 В | А/Ц 24х10/12б; Д/А 1х10б | Внутренний |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)