SIC
close

Встроанн (156872)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Sic programmirueTSARY Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Аргитерктура В.С. Nomer- /Водад Колиствол -лапраторих/CLBS Колиство -ложистка О. Raзmer jadra Скороп Подклхейни Пефер -вусрост Raзmerpmayti programmы ТИПППАМАЙТИ ПРОГРАММА Eeprom raзmer Raзmer operativnoй papmayti На Прроуваали Дьянн ТИП ГЕЙНЕРАТОРА Raзmervpыш Обоз Колиш SO-PROцESCORы/DSP КОНКОНТРОЛЕР Графика DiSpleй иконтролр Ethernet С ката USB Napraheneee - I/O. Функшии DOPOLNITELNHENEGERFEйSы.
R5F572MDDDFB#10 Renesas Electronics America Inc R5F572MDDDFB#10 12.8029
RFQ
 ECAD 3352 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Rx Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-LQFP 144-lfqfp (20x20) - Rohs3 3 (168 чASOW) 559-R5F572MDDDFB#10 480 111 RXV3 32-Bytnый 240 мг Canbus, Ebi/Emi, Ethernet, I²C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT 2 марта (2 м х 8) В.С. 32K x 8 1m x 8 2,7 В ~ 3,6 В. A/D 29x12b; D/A 2x12b Внутронни
AGFD023R25A1I1V Intel AGFD023R25A1I1V 77.0000
RFQ
 ECAD 5811 0,00000000 Intel Agilex f Поднос Актифен -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) - - СКАХАТА 3 (168 чASOW) 544-AGFD023R25A1I1V 1 MPU, FPGA 480 Quad Arm® Cortex®-A53 Mpcore ™ C Coresight ™, Arm Neon, Plawah-oyчca 1,4 -е Ebi/emi, Ethernet, I²C, MMC/SD/SDIO, SPI, UART/USART, USB OTG DMA, Wdt 256 кб - FPGA - 2,3 млн. Lohiчeskice эlementы
MCIMX6Y0CV05AA Freescale Semiconductor MCIMX6Y0CV05AA -
RFQ
 ECAD 1684 0,00000000 Freescale Semiconductor I.mx6 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TJ) - MCIMX6 - СКАХАТА 0000.00.0000 1 ARM® Cortex®-A7 528 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО Мультимеяя; NEON ™ MPE DDR3, DDR3L, LPDDR2 Не ЭlektroporeTyk, k -DiSp 10/100 мсб/с (1) - USB 2.0 OTG + PHY (1) 1,8 В, 2,8 В, 3,3 В. A-Hab, Arm TZ, CSU, SJC, SNVS I²C, SPI, UART
PIC32MZ1024EFG100T-I/GJX Microchip Technology PIC32MZ1024EFG100T-I/GJX 12.4630
RFQ
 ECAD 9289 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА PIC® 32MZ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-TFBGA PIC32MZ1024EFG100 100-TFBGA (7x7) СКАХАТА Rohs3 6 (Вернее DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 2200 78 MIPS32® M-Class 32-битвен 200 мг Ebi/emi, Ethernet, I²C, PMP, SPI, SQI, UART/USART, USB OTG Brown-Out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT 1 мар (1 м х 8) В.С. - 512K x 8 2,1 В ~ 3,6 В. A/D 40x12b Внутронни
R5F572MNHGFC#V0 Renesas Electronics America Inc R5F572MNHGFC#V0 24.3500
RFQ
 ECAD 7289 0,00000000 Renesas Electronics America Inc RX72M Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 176-LQFP R5F572 176-lfqfp (24x24) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 40 136 RXV3 32-Bytnый 240 мг Canbus, Ebi/Emi, Ethernet, I²C, MMC/SD, QSPI, SCI, SPI, SSI, USB OTG DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT 4 марта (4 м х 8) В.С. 32K x 8 1m x 8 2,7 В ~ 3,6 В. A/D 29x12b; D/A 2x12b Внутронни
MC68EC040RC33A NXP Semiconductors MC68EC040RC33A -
RFQ
 ECAD 9433 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki M680x0 МАССА Управо 0 ° C ~ 110 ° C (TJ) Чereз dыru 179-BPGA 179-PGA (47.24x47.24) - Rohs Продан 2156-MC68EC040RC33A-954 1 68040 33 мг 1 ЯДРО, 32-БИТНО - - Не - - - - 5в - DMA, EBI/EMI, SCI, SPI
1SG166HN3F43I2VG Intel 1sg166hn3f43i2vg 19.0000
RFQ
 ECAD 3936 0,00000000 Intel Stratix® 10 gx Поднос Актифен -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) Пефер 1760-BBGA, FCBGA Nprovereno 0,77 В ~ 0,97 В. 1760-FBGA (42,5x42,5) СКАХАТА 3 (168 чASOW) DOSTISH 544-1SG166HN3F43I2VG 1 688 207500 1660000
LPC812M101JDH16129 NXP USA Inc. LPC812M101JDH16129 -
RFQ
 ECAD 9648 0,00000000 NXP USA Inc. LPC81XM МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) LPC812 16-tssop СКАХАТА 0000.00.0000 1 14 ARM® Cortex®-M0+ 32-битвен 30 мг I²C, SPI, UART/USART Brown-Out Detect/Reset, POR, PWM, WDT 16 кб (16K x 8) В.С. - 4K x 8 1,8 В ~ 3,6 В. - Внутронни
R7F7010233AFE-C#KA4 Renesas Electronics America Inc R7f7010233afe-c#ka4 -
RFQ
 ECAD 1537 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен R7F7010233 - DOSTISH 559-R7F7010233AFE-C#KA4TR 1000
LPC5526JEV98E NXP USA Inc. LPC5526JEV98E 4.5762
RFQ
 ECAD 2408 0,00000000 NXP USA Inc. * Поднос Актифен - Rohs3 568-LPC5526JEV98E 260
AGID019R18A1I2V Intel AGID019R18A1I2V 88.0000
RFQ
 ECAD 1939 0,00000000 Intel * Поднос Актифен - 544-agid019r18a1i2v 3
MK21DX256AVLK5 Freescale Semiconductor MK21DX256AVLK5 -
RFQ
 ECAD 3388 0,00000000 Freescale Semiconductor * МАССА Актифен MK21DX256 СКАХАТА 3 (168 чASOW) DOSTISH 2156-MK21DX256AVLK5-600055 5A002A1 8542.31.0001 1
R5F140GKGFB#30 Renesas Electronics America Inc R5F140GKGFB#30 3.4300
RFQ
 ECAD 1415 0,00000000 Renesas Electronics America Inc RL78/G13A Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 48-LQFP 48-lfqfp (7x7) - Rohs3 559-R5F140GKGFB#30 250 34 RL78 16-бит 32 мг CSI, I²C, Linbus, UART/USART DMA, LVD, POR, PWM, WDT 384KB (384K x 8) В.С. 8K x 8 24K x 8 1,6 В ~ 5,5 В. A/D 10x8/10B Внутронни
R5F56216BNBG#U0 Renesas Electronics America Inc R5F56216BNBG#U0 -
RFQ
 ECAD 2459 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Управо R5F56216 - Rohs3 DOSTISH 559-R5F56216BNBG#U0TR Управо 2500
CY9BF566MPMC-G-MNE2 Infineon Technologies CY9BF566MPMC-G-MNE2 10.1325
RFQ
 ECAD 5180 0,00000000 Infineon Technologies FM4 MB9B560R Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 80-LQFP Cy9bf566 80-LQFP (12x12) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 1190 63 ARM® Cortex®-M4F 32-битвен 160 мг Canbus, CSIO, EBI/EMI, I²C, Linbus, SD, UART/USART, USB DMA, LVD, POR, PWM, WDT 544KB (544K x 8) В.С. - 64K x 8 2,7 В ~ 5,5 В. A/D 16x12b; D/A 2x12b Внутронни
ADSP-3211KG Analog Devices Inc. ADSP-3211KG 466.6400
RFQ
 ECAD 230 0,00000000 Analog Devices Inc. - МАССА Актифен Чereз dыru 144-CPGA Плава 144-PGA СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A001A2C 8542.39.0001 1
XCZU1EG-2SFVA625I AMD XCZU1EG-2SFVA625I 497,9000
RFQ
 ECAD 3171 0,00000000 Амд Zynq® ultrascale+™ Поднос Актифен -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 625-BFBGA, FCBGA 625-FCBGA (21x21) СКАХАТА Rohs3 4 (72 чACA) 122-xczu1eg-2sfva625i 1 MPU, FPGA - Quad Arm® Cortex® -A53 MPCore ™ C Cresight ™, Dual Arm®Cortex ™ -R5 -C Cresight ™, Arm Mali ™ -400 MP2 533 мг, 600 мгр, 1333 Гер - DMA, Wdt 256 кб - -
5SGXEB6R2F40I2LG Intel 5sgxeb6r2f40i2lg 22.0000
RFQ
 ECAD 9534 0,00000000 Intel Stratix® V GX Поднос Актифен -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) Пефер 1517-FBGA (40x40) 5sgxeb6 Nprovereno 0,82 В ~ 0,88 В. 1517-FBGA (40x40) - ROHS COMPRINT 3 (168 чASOW) DOSTISH 544-5SGXEB6R2F40I2LG 21 53248000 432 225400 597000
STM32G0B1KCU7 STMicroelectronics STM32G0B1KCU7 3.4547
RFQ
 ECAD 5987 0,00000000 Stmicroelectronics STM32G0 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 32-UFQFN PAD 32-ufqfpn (5x5) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 497-STM32G0B1KCU7 2940 30 ARM® Cortex®-M0+ 32-Bytnый 64 мг Canbus, Hdmi-Cec, I²C, Irda, Linbus, SPI, UART/USART, USB Brown-Out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT 256 кб (256 л. С. х 8) В.С. - 144K x 8 1,7 В ~ 3,6 В. A/D 13x12b SAR; D/A 2x12b VneShoniй, Внутронни
LAMXO3D-4300HC-5BG256E Lattice Semiconductor Corporation LAMXO3D-4300HC-5BG256E 29 2500
RFQ
 ECAD 3916 0,00000000 RongeTca poluprovovoDnykowana -orporaцina La-Machxo Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 256-LFBGA 2 375 $ 3,465. 256-Cabga (14x14) - Rohs3 3 (168 чASOW) 220-lamxo3d-4300HC-5BG256E 5A992C 23 8542.39.0001 119 94208 206 538 4300
PIC16LF19196-E/5LXVAO Microchip Technology PIC16LF19196-E/5LXVAO -
RFQ
 ECAD 6621 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Automotive, AEC-Q100, PIC® XLP ™ 16F Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 64-VFQFN PAD PIC16LF19196 64-VQFN (9x9) - 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-PIC16LF19196-E/5LXVAO 0000.00.0000 40 59 Картинка 8-Bytnый 32 мг I²C, Linbus, SPI, UART/USART Brown-Out Detect/Reset, LCD, POR, PWM, WDT 28 kb (16k x 14) В.С. 256 x 8 2k x 8 1,8 В ~ 3,6 В. A/D 45x12b; D/A 1x5b Внутронни
R5F100ACASP#30 Renesas Electronics America Inc R5F100ACASP#30 1.8800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Renesas Electronics America Inc RL78/G13 Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 30-lssop (0,240 ", ширина 6,10 мм) R5F100 30-lssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH -1161-R5F100ACASP#30 3A991A2 8542.31.0001 210 21 RL78 16-бит 32 мг CSI, I²C, Linbus, UART/USART DMA, LVD, POR, PWM, WDT 32KB (32K x 8) В.С. 4K x 8 2k x 8 1,6 В ~ 5,5 В. A/D 8x8/10B Внутронни
DSPIC33EP256GM710-I/BG Microchip Technology DSPIC33EP256GM710-I/BG 7.9380
RFQ
 ECAD 4599 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА DSPIC ™ 33EP Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 121-TFBGA DSPIC33EP256GM710 121-TFBGA (10x10) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991A2 8542.31.0001 184 85 DSPIC 16-бит 70 MIPS Canbus, I²C, Irda, Linbus, QEI, SPI, UART/USART Brown-Out Detect/Reset, DMA, I²S, MOOTORNOE YOPRAVENIEE PWM, POR, PWM, WDT 256 кб (85,5 млть. Х 24) В.С. - 32K x 8 3 В ~ 3,6 В. A/D 49x10b/12b Внутронни
MC68HC908QT4CPE-FR Freescale Semiconductor MC68HC908QT4CPE-FR -
RFQ
 ECAD 7690 0,00000000 Freescale Semiconductor * МАССА Актифен MC68HC908 - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 1
DS80C320-MEL Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS80C320-MEL 30.6700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Analog Devices Inc./maxim Integrated 80c. МАССА Актифен Чereз dыru DS80C320 СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.31.0001 1 8051 8-Bytnый Ebi/emi, sio, uart/usart Sbros c эlektroprivodom, wdt БОЛЬШЕ - 256 x 8 4,5 n 5,5. -
S912ZVMBA4F0WLFR NXP USA Inc. S912ZVMBA4F0WLFR 5.6924
RFQ
 ECAD 6563 0,00000000 NXP USA Inc. S12 Magniv Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TA) Пефер 48-LQFP S912 48-LQFP (7x7) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 2000 15 S12Z 16-бит 32 мг I²C, Irda, Linbus, Sci, SPI, UART/USART DMA, LVD, POR, PWM, WDT 48 кб (48 л. С. х 8) В.С. 512 x 8 4K x 8 5,5 В ~ 18 A/D 5x10b Внутронни
AGFB027R31C2E3V Intel AGFB027R31C2E3V 65 0000
RFQ
 ECAD 3434 0,00000000 Intel Agilex f Поднос Актифен 0 ° C ~ 100 ° C (TJ) - - СКАХАТА 3 (168 чASOW) 544-AGFB027R31C2E3V 1 MPU, FPGA 720 Quad Arm® Cortex®-A53 Mpcore ™ C Coresight ™, Arm Neon, Plawah-oyчca 1,4 -е Ebi/emi, Ethernet, I²C, MMC/SD/SDIO, SPI, UART/USART, USB OTG DMA, Wdt 256 кб - FPGA - 2,7 Млн Лойгиски
CY91F127PMC-G-N2E1 Infineon Technologies CY91F127PMC-G-N2E1 -
RFQ
 ECAD 5877 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо CY91F127 - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 90
R5F521A8BDFN#30 Renesas Electronics America Inc R5F521A8BDFN#30 9.8549
RFQ
 ECAD 5048 0,00000000 Renesas Electronics America Inc RX200 Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 80-LQFP R5F521 80-LQFP (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 5A002A Ren 8542.31.0001 119 51 Rx 32-битвен 50 мг I²C, Irda, Sci, Spi DMA, LVD, POR, PWM, WDT 512KB (512K x 8) В.С. 8K x 8 64K x 8 1,8 В ~ 3,6 В. A/D 4x24b, 7x10b; D/A 2x10b Внутронни
ATTINY2313A-SUR Microchip Technology Attiny2313a-Sur 1.6900
RFQ
 ECAD 4547 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА AVR® Attiny Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) Attiny2313 20 лейт СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.31.0001 1000 18 Аварийный 8-Bytnый 20 мг I²C, SPI, UART/USART Brown-Out Detect/Reset, POR, PWM, WDT 2 кб (1K x 16) В.С. 128 x 8 128 x 8 1,8 В ~ 5,5 В. - Внутронни
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть