 
       Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Тип | Базовый номер продукта | Программируемый НИЦ | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Архитектура | Всего бит оперативной памяти | Количество входов/выходов | Количество логических элементов/ячеек | Основной процессор процессора | Размер ядра | Скорость | Возможности подключения | Периферийные устройства | Размер памяти программы | Тип памяти программы | Размер EEPROM | Размер оперативной памяти | Напряжение-питание (Vcc/Vdd) | Конвертеры данных | Тип генератора | Интерфейс | Размер травмы | Первичные атрибуты | Количество ядер/ширина сиденья | Сопроцессоры/ЦОС | Модераторы оперативной памяти | Графическое ускорение | Контроллеры видеокарт и интерфейсов | Ethernet | САТА | USB | Напряжение – ввод/вывод | Функции безопасности | Дополнительные интерфейсы | Тактовая частота | Энергозависимая память | Встроенная оперативная память | Напряжение - яд | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | АТСАМ3Н1БА-АУ | - |  | 1005 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | САМ3Н | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | АТСАМ3Н | 64-ЛКФП (10х10) | скачать | Соответствует ROHS3 | 2 (1 год) | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 160 | 47 | ARM® Cortex®-M3 | 32-битный одноядерный | 48 МГц | I²C, ИК-порт, SPI, UART/USART | Обнаружение/сброс напряжения питания, DMA, POR, ШИМ, WDT | 64 КБ (64 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 8К х 8 | 1,62 В ~ 3,6 В | А/Ц 10х10б; Д/А 1х10б | Внутренний | ||||||||||||||||||||||||||
|  | АГФБ008Р24Д1Е2В | 24.0000 |  | 6157 | 0,00000000 | Интел | * | Поднос | Активный | - | 544-AGFB008R24D1E2V | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | R7FA6M1AD3CNB#AA0 | 9.3700 |  | 8040 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | РА6М1 | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-WFQFN Открытая колодка | Р7ФА6М1 | 64-HWQFN (8x8) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 559-R7FA6M1AD3CNB#AA0 | 260 | 67 | ARM® Cortex®-M4 | 32-битный одноядерный | 120 МГц | CANbus, EBI/EMI, I²C, IrDA, MMC/SD, SCI, SPI, UART/USART, USB | DMA, LVD, POR, ШИМ, WDT | 512 КБ (512 КБ х 8) | ВСПЫШКА | 8К х 8 | 256К х 8 | 2,7 В ~ 3,6 В | АЦП 10х12б САР; Д/А 2х12б | Внутренний | |||||||||||||||||||||||||||
|  | PIC12LF1571T-I/SN | 0,7900 |  | 3 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ПИК® 12Ф | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | PIC12LF1571 | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 3300 | 6 | ПОС | 8-битный | 32 МГц | - | Обнаружение/сброс провала напряжения, POR, ШИМ, WDT | 1,75 КБ (1 КБ х 14) | ВСПЫШКА | - | 128 х 8 | 1,8 В ~ 3,6 В | АЦП 4х10б; Д/А 1х5б | Внутренний | ||||||||||||||||||||||||||
|  | ATTINY1634-SUR | 2.2200 |  | 4167 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | AVR® ATtiny | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 20-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | АТТИНИ1634 | 20-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.31.0001 | 1000 | 18 | АВР | 8-битный | 12 МГц | I²C, SPI, UART/USART, USI | Обнаружение/сброс провала напряжения, POR, ШИМ, WDT | 16 КБ (16 КБ х 8) | ВСПЫШКА | 256 х 8 | 1К х 8 | 1,8 В ~ 5,5 В | А/Д 12х10б | Внутренний | ||||||||||||||||||||||||||
| PIC32MX350F256H-I/PT | 7.2300 |  | 2102 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ПИК® 32MX | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-TQFP | ПИК32MX350 | 64-ТКФП (10х10) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 160 | 53 | МИПС32® М4К™ | 32-битный одноядерный | 80 МГц | I²C, IrDA, LINbus, PMP, SPI, UART/USART | Обнаружение/сброс напряжения питания, DMA, POR, ШИМ, WDT | 256 КБ (256 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 64К х 8 | 2,3 В ~ 3,6 В | А/Д 28х10б | Внутренний | |||||||||||||||||||||||||||
|  | P1013NSE2EFB | - |  | 8950 | 0,00000000 | NXP США Инк. | QorIQ P1 | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 689-BBGA Открытая колодка | P1013 | 689-ТЭПБГА II (31х31) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 5А002А1 БЕСПЛАТНО | 8542.31.0001 | 1 | PowerPC e500v2 | 1055 ГГц | 1 ядро, 32-бит | Безопасность; SEC | ДДР2, ДДР3 | Нет | ЖК-дисплей | 10/100/1000 Мбит/с (2) | SATA 3 Гбит/с (2) | USB 2.0 + PHY (2) | - | Криптография, Генератор случайных чисел | ДУАРТ, I²C, I²S, MMC/SD, SPI | ||||||||||||||||||||||||||
|  | MSP430F1222IPWR | 5.9800 |  | 2 | 0,00000000 | Техасские инструменты | MSP430x1xx | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | MSP430F1222 | 28-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.31.0001 | 2000 г. | 22 | МСП430 ЦП16 | 16-битный | 8 МГц | SPI, UART/USART | Обнаружение/сброс провала напряжения, POR, ШИМ, WDT | 4 КБ (4 КБ х 8 + 256 Б) | ВСПЫШКА | - | 256 х 8 | 1,8 В ~ 3,6 В | А/Д 8х10б | Внутренний | ||||||||||||||||||||||||||
| XAZU7EV-1FBVB900I | 3.0000 |  | 2574 | 0,00000000 | АМД | Zynq® UltraScale+™ MPSoC EV | Поднос | Активный | -40°С ~ 100°С (ТДж) | 900-ББГА, ФКБГА | 900-FCBGA (31x31) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 122-XAZU7EV-1FBVB900I | 1 | микроконтроллер, ПЛИС | 220 | Quad ARM® Cortex®-A53 MPCore™ с CoreSight™, Dual ARM®Cortex™-R5 с CoreSight™, ARM Mali™-400 MP2 | 500 МГц, 600 МГц, 1,2 ГГц | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, MMC/SD/SDIO, SPI, UART/USART, USB OTG | ДМА, ВДТ | 256 КБ | - | Zynq®UltraScale+™ FPGA, более 192 тыс. руб. логических ячеек | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MC9S08SE8VWLR | 2,7041 |  | 7045 | 0,00000000 | NXP США Инк. | S08 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | MC9S08 | 28-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 935321432518 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1000 | 24 | S08 | 8-битный | 20 МГц | ЛИНБУС, ГНЦ | НВД, ПОР, ШИМ | 8 КБ (8 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 512 х 8 | 2,7 В ~ 5,5 В | А/Д 10х10б | Внутренний | |||||||||||||||||||||||||
|  | ATSAM4C8CA-AU | - |  | 7725 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | SAM4C | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | АТСАМ4C | 100-ЛКФП (14х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1611-ATSAM4C8CA-AU | 5А992С | 8542.31.0001 | 90 | 74 | ARM® Cortex®-M4/M4F | 32-битный двухъядерный процессор | 120 МГц | EBI/EMI, I²C, IrDA, SPI, UART/USART | Обнаружение/сброс напряжения питания, DMA, ЖК-дисплей, POR, ШИМ, WDT | 512 КБ (512 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 128 КБ х 8 | 1,62 В ~ 3,6 В | А/Д 8х10б | Внутренний | |||||||||||||||||||||||||
| LFXP6E-3QN208C | - |  | 5147 | 0,00000000 | Решётчатая полупроводниковая корпорация | XP | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 85°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 208-БФКФП | LFXP6 | Не проверено | 1,14 В ~ 1,26 В | 208-ПКФП (28х28) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.39.0001 | 24 | 73728 | 142 | 6000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PIC18LF46K80-И/П | 4.4331 |  | 4815 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | PIC® XLP™ 18K | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 40-ДИП (0,600", 15,24 мм) | ПИК18LF46 | 40-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | REACH не касается | ПИК18ЛФ46К80ИП | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 10 | 35 | ПОС | 8-битный | 64 МГц | ECANbus, I²C, LINbus, SPI, UART/USART | Обнаружение/сброс провала напряжения, LVD, POR, ШИМ, WDT | 64 КБ (32 КБ х 16) | ВСПЫШКА | 1К х 8 | 3,6К х 8 | 1,8 В ~ 3,6 В | А/Д 11х12б | Внутренний | ||||||||||||||||||||||||||
|  | UPD70F3380M2GJA1-GAE-E3-AX | - |  | 8956 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | UPD70F3380 | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | TNETV2667FIDZWT | 47.3149 |  | 3349 | 0,00000000 | Техасские инструменты | ТМС320C642x | Поднос | Активный | 0°С ~ 90°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 361-ЛФБГА | Фиксированная точка | ТНЕТВ2667 | 361-НФБГА (16х16) | скачать | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 90 | EBI/EMI, HPI, I²C, McASP, McBSP, UART, 10/100 Ethernet MAC | 1,8 В, 3,3 В | 700 МГц | ПЗУ (64кБ) | 240 КБ | 1,05 В, 1,20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | MB90467PFM-G-284-JNE1 | - |  | 7383 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | F²MC-16LX MB90460 | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | MB90467 | 64-КФП (12х12) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 119 | 51 | F²MC-16LX | 16-битный | 16 МГц | УАРТ/УСАРТ | ПОР, ШИМ, ВДТ | 64 КБ (64 КБ х 8) | Маска ПЗУ | - | 2К х 8 | 3 В ~ 5,5 В | А/Д 8х8/10б | Внешний | ||||||||||||||||||||||||||
|  | MB90F548GSPF-G | - |  | 5110 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | F²MC-16LX MB90545G | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-БКФП | МБ90Ф548 | 100-КФП (14х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.31.0001 | 66 | 81 | F²MC-16LX | 16-битный | 16 МГц | CANbus, EBI/EMI, SCI, последовательный ввод/вывод, UART/USART | ПОР, ВДТ | 128 КБ (128 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 4К х 8 | 4,5 В ~ 5,5 В | А/Д 8х8/10б | Внешний | ||||||||||||||||||||||||||
|  | LPC54S018JET180E | - |  | 3922 | 0,00000000 | NXP США Инк. | LPC540xx | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 180-ТФБГА | LPC54S018 | 180-ТФБГА (12х12) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 5А992С | 8542.31.0001 | 189 | 145 | ARM® Cortex®-M4 | 32-битный одноядерный | 180 МГц | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, MMC/SD/SDIO, SmartCard, SPI, SPIFI, UART/USART, USB | Обнаружение/сброс напряжения напряжения, DMA, I²S, LCD, POR, PWM, WDT | - | без ПЗУ | - | 360 тыс. х 8 | 1,71 В ~ 3,6 В | А/Д 12х12б | Внутренний | ||||||||||||||||||||||||||
| 1SX280LN2F43E2LG | 35.0000 |  | 6286 | 0,00000000 | Интел | Стратикс® 10 SX | Поднос | Активный | 0°С ~ 100°С (ТДж) | 1760-ББГА, ФКБГА | 1760-ФБГА, ФК (42,5х42,5) | скачать | Соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 5А002А1 | 8542.39.0001 | 1 | микроконтроллер, ПЛИС | 688 | Quad ARM® Cortex®-A53 MPCore™ с CoreSight™ | 1,5 ГГц | EBI/EMI, Ethernet, I²C, MMC/SD/SDIO, SPI, UART/USART, USB OTG | ДМА, ВДТ | 256 КБ | - | ПЛИС — 2800 тыс. логических элементов | |||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | EFM32LG232F128G-E-QFP64 | - |  | 8069 | 0,00000000 | Кремниевые лаборатории | Леопардовый геккон | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-TQFP | EFM32LG232 | 64-ТКФП (10х10) | скачать | 3 (168 часов) | -EFM32LG232F128G-E | 5А992С | 8542.31.0001 | 160 | 53 | ARM® Cortex®-M3 | 32-битный одноядерный | 48 МГц | I²C, ИК-порт, SmartCard, SPI, UART/USART | Обнаружение/сброс напряжения питания, DMA, POR, ШИМ, WDT | 128 КБ (128 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 32К х 8 | 1,98 В ~ 3,8 В | АЦП 8х12б; Д/А 2х12б | Внутренний | |||||||||||||||||||||||||||
|  | R5F111MJAFB#30 | 4.8100 |  | 7877 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | RL78/L1C | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 80-LQFP | Р5Ф111 | 80-ЛКФП (12х12) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | -1161-R5F111MJAFB#30 | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 119 | 55 | РЛ78 | 16-битный | 24 МГц | CSI, I²C, LINbus, UART/USART | ЖК, LVD, POR, ШИМ, WDT | 256 КБ (256 КБ х 8) | ВСПЫШКА | 8К х 8 | 16К х 8 | 1,6 В ~ 3,6 В | А/Д 11х8/12б; Д/А 2х8б | Внутренний | |||||||||||||||||||||||||
|  | XC7S6-1CPGA196C | 19.0400 |  | 9826 | 0,00000000 | АМД | Спартан®-7 | Поднос | Активный | 0°С ~ 85°С (ТДж) | Поверхностный монтаж | 196-ТФБГА, ЦСБГА | XC7S6 | Не проверено | 0,95 В ~ 1,05 В | 196-ЦСПБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 122-2236 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 184320 | 100 | 6000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
|  | XMC4400F64K256BAXQMA1 | 11.7100 |  | 2813 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ХМС4000 | Поднос | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP Открытая колодка | ХМС4400 | PG-LQFP-64-19 | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 160 | 31 | ARM® Cortex®-M4 | 32-битный одноядерный | 120 МГц | CANbus, Ethernet, I²C, LINbus, SPI, UART, USB | DMA, I²S, светодиод, POR, ШИМ, WDT | 256 КБ (256 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 80К х 8 | 3,13 В ~ 3,63 В | А/Д 14х12б; Д/А 2х12б | Внутренний | ||||||||||||||||||||||||||
|  | R5F563NDDDDFB#V0 | - |  | 1847 г. | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | RX600 | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 144-LQFP | Р5Ф563 | 144-ЛФКФП (20х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 60 | 111 | прием | 32-битный одноядерный | 100 МГц | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I²C, LINbus, SCI, SPI, USB | DMA, LVD, POR, ШИМ, WDT | 1,5 МБ (1,5 М х 8) | ВСПЫШКА | 32К х 8 | 128 КБ х 8 | 2,7 В ~ 3,6 В | АЦП 8х10б, 21х12б; Д/А 2х10б | Внутренний | ||||||||||||||||||||||||||
|  | ATMEGA165PA-МУР | 4.0810 |  | 1875 г. | 0,00000000 | Микрочиповая технология | AVR® ATmega | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-VFQFN Открытая колодка | АТМЕГА165 | 64-КФН (9х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.31.0001 | 4000 | 54 | АВР | 8-битный | 16 МГц | SPI, UART/USART, USI | Обнаружение/сброс провала напряжения, POR, ШИМ, WDT | 16 КБ (8 х 16) | ВСПЫШКА | 512 х 8 | 1К х 8 | 1,8 В ~ 5,5 В | А/Д 8х10б | Внутренний | ||||||||||||||||||||||||||
| PIC24FJ48GA002-E/SO | 3,6410 |  | 5118 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ПИК® 24Ф | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | PIC24FJ48GA002 | 28-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 27 | 21 | ПОС | 16-битный | 32 МГц | I²C, PMP, SPI, UART/USART | Обнаружение/сброс провала напряжения, LVD, POR, ШИМ, WDT | 48 КБ (16 КБ х 24) | ВСПЫШКА | - | 8К х 8 | 2 В ~ 3,6 В | А/Д 10х10б | Внутренний | |||||||||||||||||||||||||||
|  | С912ЗВМЛ32Ф1МХ | - |  | 9063 | 0,00000000 | NXP США Инк. | S12 МагниВ | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP Открытая колодка | S912 | 64-HLQFP (10x10) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 935323865557 | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 160 | 31 | S12Z | 16-битный | 50 МГц | CANbus, LINbus, SCI, SPI | ДМА, ПОР, ШИМ, ВДТ | 32 КБ (32 КБ х 8) | ВСПЫШКА | 512 х 8 | 4К х 8 | 3,5 В ~ 40 В | А/Д 9х12б | Внутренний | |||||||||||||||||||||||||
|  | CY9AF111KQN-G-AVE2 | 5,8275 |  | 4867 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | FM3 MB9A110K | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-VFQFN Открытая колодка | CY9AF111 | 48-КФН (7х7) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991А2 | 8542.31.0001 | 2600 | 36 | ARM® Cortex®-M3 | 32-битный одноядерный | 40 МГц | CSIO, I²C, LINbus, UART/USART | DMA, LVD, POR, ШИМ, WDT | 96 КБ (96 КБ х 8) | ВСПЫШКА | - | 16К х 8 | 2,7 В ~ 5,5 В | А/Д 8х12б | Внутренний | ||||||||||||||||||||||||||
|  | SP5746CHK1AMMJ6R | 29.3872 |  | 3026 | 0,00000000 | NXP США Инк. | MPC57xx | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 256-ЛБГА | СП5746 | 256-МАППБГА (17х17) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 935332839518 | 5А992С | 8542.31.0001 | 1000 | 178 | е200z2, е200z4 | 32-битный двухъядерный процессор | 80 МГц/160 МГц | CANbus, Ethernet, I²C, LINbus, SAI, SPI, USB, USB OTG | DMA, LVD, POR, WDT | 3 МБ (3 М х 8) | ВСПЫШКА | - | 512К х 8 | 3 В ~ 5,5 В | А/Д 80х10б, 64х12б | Внутренний | |||||||||||||||||||||||||
|  | HD64180R1F8 | 22.1000 |  | 244 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | 

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
 Список желаний (0 шт.)
Список желаний (0 шт.)