SIC
close

Илинген (1326)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta Ток - Посткака Втипа Колист Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Колист Napraheneee - podaчa, odno/dvoйnoй (±) На Ток - Весу Ток - ТОК - Покоя (МАКСИМУМА) Cmrr, psrr (typ) Я Гистершис Степень -3db polosы propypuskanya Ток - ТИП ИСИЛИТЕЛ Poluhith Ток - На На На МАКСИМАЛАНСКА
LMV710M5 National Semiconductor LMV710M5 1.1600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 На самом деле LMV® МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SC-74A, SOT-753 1,17 Ма Жeleзnodoroghonyk 1 SOT-23-5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 1000 5 В/мкс 40 май CMOS 5 мг 4 п 400 мкв 2,7 В. 5,5 В.
LF256H National Semiconductor LF256H 17.4900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 На самом деле Bi-Fet ™ МАССА Активна -25 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru До-99-8 МЕТАЛЛИГАСКА 5 май - 1 ДО 99-8 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-LF256H-14 Ear99 8542.33.0001 1 12 В/мкс J-fet 5 кг 30 п 3 мк 10 44
LM1875T/S7002160 National Semiconductor LM1875T/S7002160 -
RFQ
 ECAD 3296 0,00000000 На самом деле * МАССА Активна СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-LM1875T/S7002160-14 1
LM4871M National Semiconductor LM4871M 1.0400
RFQ
 ECAD 577 0,00000000 На самом деле * МАССА Активна СКАХАТА Ear99 8542.33.0001 290
LM4875M/NOPB National Semiconductor LM4875M/NOPB 1.1000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 На самом деле Boomer® МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Класс Аб Depop, nicute, vыklючeniee, tteplowanavya зaщita, groemcostath 1-канадский 2,7 В ~ 5,5 В. 8 лейт СКАХАТА Ear99 8542.33.0001 1 1w x 1 @ 8ohm; 110 мт x 1 @ 32Om
LM4875MM/NOPB National Semiconductor LM4875MM/NOPB 0,8900
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 На самом деле Boomer® МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) Класс Аб Depop, nicute, vыklючeniee, tteplowanavya зaщita, groemcostath 1-канадский 2,7 В ~ 5,5 В. 8-VSSOP СКАХАТА Ear99 8542.33.0001 336 1w x 1 @ 8ohm; 110 мт x 1 @ 32Om
LM139AJRLQMLV National Semiconductor LM139AJRLQMLV 409 2800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 На самом деле - МАССА Активна -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 14-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) DIFERENцIAL Open-Collector, CMOS, DTL, ECL, MOS, TTL 14-CDIP СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 4 2 ~ 30 v, ± 1 n30 2 м. @ 30 В. 0,001PA 5- 6ma 2MA 70db cmrr, 60db psrr 1,3 мкс (тип) 10 м
LM4844TL/NOPB National Semiconductor LM4844TL/NOPB 2.1500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 На самом деле * МАССА Активна СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-LM4844TL/NOPB-14 1
LM4808LD National Semiconductor LM4808LD 0,1500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 На самом деле Boomer® МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wfdfn otkrыtai-anploщadca Класс Аб Depop Nauheшniki, 2-kanalhnый (Стеро) 2В ~ 5,5 В. 8-Wson (2,5x2,5) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 1000 150 м. X 2 @ 16om
LPC660IN National Semiconductor LPC660IN 2.7400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 На самом деле - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 160 мк (x4 kanalы) Толёк, жeleзnodoroghoжnый doliv 4 14-Pdip СКАХАТА Rohs Ear99 8542.33.0001 25 0,11 В/мкс 40 май CMOS 350 кг 0,002 п 1 м 4,75 В. 15,5 В.
LM348MX/NOPB National Semiconductor LM348MX/NOPB 0,4600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 На самом деле - МАССА Активна 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) 2,4 мая (x4 kanalы) - 4 14 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 2500 0,5 В/мкс 25 май О том, как 1 мг 30 NA 1 м 36 36
LM201AH National Semiconductor LM201AH 9.3700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 На самом деле - МАССА Активна -25 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru До-99-8 МЕТАЛЛИГАСКА 1,8 мая - 1 ДО 99-8 СКАХАТА Ear99 8542.33.0001 1 0,5 В/мкс О том, как 1 мг 30 NA 700 мкв 10 44
LM4911LD/NOPB National Semiconductor LM4911LD/NOPB 0,3400
RFQ
 ECAD 948 0,00000000 На самом деле Boomer® МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 10-wfdfn oTkrыTAIN-oploщadka Класс Аб Nemoй, в Nauheшniki, 2-kanalhnый (Стеро) 2В ~ 5,5 В. 10-Wson (3x3) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8542.33.0001 1000 145 мг x 2 @ 16om
LMH6714MA National Semiconductor LMH6714MA 2.0200
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 На самом деле VIP10 ™ МАССА Активна Техник обр. Ая Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) LMH6714 5,6 мая - 1 8 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 1 8 В ~ 12,5 -n, ± 4 ° ~ 6,25 1800-/мкс 400 мг 70 май
LMC6572AIM/NOPB-NS National Semiconductor LMC6572AIM/NOPB-NS -
RFQ
 ECAD 4391 0,00000000 На самом деле - МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 160 мка Жeleзnodoroghonyk 2 8 лейт - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 1 90 -мкс 6 май О том, как 220 0,02 п 500 мкв 2,7 В. 11
LMC6044AIMX-NS National Semiconductor LMC6044AIMX-NS 1.7300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 На самом деле LMC® МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) 52 мка (x4 kanalы) Толёк, жeleзnodoroghoжnый doliv 4 14 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 2500 0,02 В/мкс 40 май CMOS 100 kgц 0,002 п 1 м 4,5 В. 15,5 В.
LMV712MMX National Semiconductor LMV712MMX 0,6800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 На самом деле Automotive, AEC-Q100, LMV® МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 10-tfsop, 10-мав (0,118 ", ширина 3,00 мм) 1,22 мА (x2 канала) Жeleзnodoroghonyk 2 10-VSSOP СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 3500 5 В/мкс 50 май О том, как 5 мг 5,5 п 400 мкв 2,7 В. 5,5 В.
LMH6643MM-NS National Semiconductor LMH6643MM-NS 1.6600
RFQ
 ECAD 87 0,00000000 На самом деле LMH® МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) 2,7 мая (x2 канала) Жeleзnodoroghonyk 2 8-VSSOP СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 2000 135 В/мкс 130 мг 75 май Образеть 1,6 мка 1 м 2,7 В. 12,8 В.
LMC6044IN National Semiconductor LMC6044IN 3.0400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 На самом деле LMC® МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Чereз dыru 14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 52 мка (x4 kanalы) Толёк, жeleзnodoroghoжnый doliv 4 14-Pdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 1 0,02 В/мкс 40 май CMOS 100 kgц 0,002 п 1 м 4,5 В. 15,5 В.
LMH6881SQ/NOPB National Semiconductor LMH6881SQ/NOPB 6.3900
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 На самом деле - МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 24-wfqfn или 100 май - 1 24-wqfn (4x4) СКАХАТА Ear99 8542.33.0001 1 - 2,4 -е DIFERENцIAL 4,75 В. 5,25 В.
LM6162E/883 National Semiconductor LM6162E/883 33 6600
RFQ
 ECAD 120 0,00000000 На самом деле - МАССА Активна -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 20-CLCC 5 май DIFERENцIAL 1 20-LCCC (8,89x8,89) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.33.0001 1 300 -мкс О том, как 100 мг 2,2 мка 3 м 4,75 В. 32
LMC662AIN/NOPB National Semiconductor LMC662AIN/NOPB 1.1300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 На самом деле LMC® МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 750 мк (x2 kanalы) Толёк, жeleзnodoroghoжnый doliv 2 8-Pdip СКАХАТА Ear99 8542.33.0001 267 1,1 В/мкс 40 май CMOS 1,4 мг 0,002 п 1 м 4,75 В. 15,5 В.
LMC662CM National Semiconductor LMC662CM 1.6800
RFQ
 ECAD 9047 0,00000000 На самом деле LMC® МАССА Активна 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 750 мк (x2 kanalы) Толёк, жeleзnodoroghoжnый doliv 2 8 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 1 1,1 В/мкс 40 май CMOS 1,4 мг 0,002 п 1 м 4,75 В. 15,5 В.
LM4916LD/NOPB National Semiconductor LM4916LD/NOPB 0,9500
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 На самом деле Boomer® МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 10-wfdfn oTkrыTAIN-oploщadka Класс Аб Depop, Nicute, Offuthown, термическая защита 1-кайнан (моно) состо 900 мВ ~ 2,5 В. 10-Wson (3x3) СКАХАТА Ear99 8542.33.0001 1 85 мт x 1 @ 8Om; 14 мт x 2 @ 16om
LMV722LD/NOPB National Semiconductor LMV722LD/NOPB 0,7700
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 На самом деле Automotive, AEC-Q100, LMV® МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TJ) Пефер 8-wfdfn otkrыtai-anploщadca 181 мам (x2 канала) Жeleзnodoroghonyk 2 8-Wson (3x2,5) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8542.33.0001 1000 5,25 В/мкс 52,6 май О том, как 10 мг 260 NA 80 мкв 2,2 В. 5,5 В.
LMV854MT National Semiconductor LMV854MT 0,7100
RFQ
 ECAD 564 0,00000000 На самом деле LMV® МАССА Активна -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) 159 май (x4 канала) Жeleзnodoroghonyk 4 14-tssop СКАХАТА Ear99 8542.33.0001 1 4,5 В/мкс 65 май CMOS 8 мг 0,1 п 260 мкв 2,7 В. 5,5 В.
LMH6657MG National Semiconductor LMH6657MG 2.0300
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 На самом деле LMH® МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 6,5 мая - 1 SC-70-5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 1000 700 -мкс 270 мг 110 май Образеть 140 мг 5 Мка 1 м 3 В 12
LMV1088RL/NOPB National Semiconductor LMV1088RL/NOPB 2.0100
RFQ
 ECAD 375 0,00000000 На самом деле - МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-WFBGA, DSBGA Класс Аб - 1-канадский (моно) 2,7 В ~ 5,5 В. 36-DSBGA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 250 -
LM4902MM National Semiconductor LM4902MM 0,4600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 На самом деле Boumerr МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) Класс Аб - 1-канадский (моно) 2В ~ 5,5 В. 8-VSSOP СКАХАТА Ear99 8542.33.0001 1 675 мс x 1 @ 8omm
LMC6081IM National Semiconductor LMC6081im 1.3400
RFQ
 ECAD 352 0,00000000 На самом деле LMC® МАССА Активна -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 550 мка Жeleзnodoroghonyk 1 8 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 1 1,5 В/мкс 34 май CMOS 1,3 мг 0,01 п 150 мкв 4,5 В. 15,5 В.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть