SIC
close

Шlepanцы (7956)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Колист Коли Ток - Файнкхия ТАКТОВА ТИП Mmakcymalnavan -a -derжca rasprostrannenina @ v, максимум cl Tykuщiй - pocoayщiй (iq) Взёд
74HC378N Rochester Electronics, LLC 74HC378N 9.8000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Rochester Electronics, LLC 74HC МАССА Актифен 74HC378 - Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 1
ASNT5013-KMC ADSANTEC ASNT5013-KMC 550.0000
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Adsantec - МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 24-CFLATPACK D-Thep - 3,1 В ~ 3,5 В. 24-CQFP (8x8) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2837-ASNT5013-KMC Ear99 8542.39.0001 1 1 1 - Станода 30 гг - - 15 май
SN74ALVCH16374DGVR Texas Instruments SN74ALVCH16374DGVR 1,6000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Тел 74Alvch Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,173 », шirina 4,40 мм) D-Thep 74ALVCH16374 Три-Госхарство, neryrtyrovano 1,65, ~ 3,6 В. 48-TVSOP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 2 8 24ma, 24ma Станода 150 мг Poloshitelgnый kraй 4,2ns @ 3,3 -v, 50pf 40 мк 3 пф
SN74ABT534APWG4 Texas Instruments SN74ABT534APWG4 -
RFQ
 ECAD 6635 0,00000000 Тел 74abt Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) D-Thep 74abt534 Три-иуджрадво, 4,5 n 5,5. 20-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 980 1 8 32 май, 64 мА Станода 175 мг Poloshitelgnый kraй 6,7ns @ 5V, 50pf 250 мк 3,5 пф
MC100EL52D onsemi MC100EL52D -
RFQ
 ECAD 7005 0,00000000 OnSemi 100 Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) D-Thep MC100EL52 Додер -4,2v ~ -5,7 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 98 1 1 - Станода 2,8 -е Poloshitelgnый, otriцaTeLnый - 25 май
74HCT109PW,112 Nexperia USA Inc. 74HCT109PW, 112 -
RFQ
 ECAD 8552 0,00000000 Nexperia USA Inc. 74HCT Трубка Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) ТИП JK 74HCT109 Додер 4,5 n 5,5. 16-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 96 2 1 4ma, 4ma Набор (предустановка) и сброс 55 мг Poloshitelgnый kraй 35NS @ 4,5 - 4 мка 3,5 пф
SY55852UKI Microchip Technology Sy55852uki -
RFQ
 ECAD 1811 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Sy55 МАССА Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 10-tfsop, 10-мав (0,118 ", ширина 3,00 мм) D-Thep Sy55852 Додер 2,3 В ~ 5,7 В. 10-марсоп СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 100 1 1 - Псевдоним 2,5 -е Poloshitelgnый kraй - 36 май
SN74HC109NE4 Texas Instruments SN74HC109NE4 0,2585
RFQ
 ECAD 5217 0,00000000 Тел 74HC Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ТИП JK Додер 2 В ~ 6 В. 16-pdip СКАХАТА Rohs3 296-SN74HC109NE4 Ear99 8542.39.0001 25 2 1 5,2 мая, 5,2 мая Набор (предустановка) и сброс 60 мг Poloshitelgnый kraй 30ns @ 6V, 50pf 4 мка 3 пф
DM74ALS534WM Fairchild Semiconductor DM74ALS534WM 0,4100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor 74 -LETNIй Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) D-Thep 74ALS534 Три-иуджрадво, 4,5 n 5,5. 20 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8542.39.0001 1080 1 8 2,6 май, 24 мая Станода 35 мг Poloshitelgnый kraй 16ns @ 5V, 50pf 19 май
TC7W74FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W74FK, LF 0,4100
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7W Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-VFSOP (0,091 ", шIRINA 2,30 мм) D-Thep 7W74 Додер 2 В ~ 6 В. 8-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 1 1 5,2 мая, 5,2 мая Набор (предустановка) и сброс 67 мг Poloshitelgnый kraй 26ns @ 6V, 50pf 2 мка 5 пф
MC74VHCT74ADR2 onsemi MC74VHCT74ADR2 -
RFQ
 ECAD 8996 0,00000000 OnSemi 74VHCT Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) D-Thep 74VHCT74 Додер 4,5 n 5,5. 14 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 2 1 8 май, 8 мая Набор (предустановка) и сброс 140 мг Poloshitelgnый kraй 8.8ns @ 5V, 50pf 2 мка 4 пф
74HCT377D,652 Nexperia USA Inc. 74HCT377D, 652 0,8300
RFQ
 ECAD 149 0,00000000 Nexperia USA Inc. 74HCT Трубка Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) D-Thep 74HCT377 Нюртировано 4,5 n 5,5. 20 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 38 1 8 4ma, 5,2 мая Станода 53 мг Poloshitelgnый kraй 32NS @ 4,5 - 8 мка 3,5 пф
74AC74SJ onsemi 74AC74SJ -
RFQ
 ECAD 2318 0,00000000 OnSemi 74AC Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 14 SOIC (0,209 ", Ирина 5,30 мм) D-Thep 74AC74 Додер 2 В ~ 6 В. 14-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 47 2 1 24ma, 24ma Набор (предустановка) и сброс 160 мг Poloshitelgnый kraй 10NS @ 5V, 50pf 20 мк 4,5 пф
74LVCH16374APVG Renesas Electronics America Inc 74LVCH16374APVG 1.5200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Renesas Electronics America Inc 74LVCH Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-BSSOP (0,295 ", шIRINA 7,50 мм) D-Thep 74LVCH16374 Три-Госхарство, neryrtyrovano 2,7 В ~ 3,6 В. 48-ssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 30 2 8 24ma, 24ma Станода 150 мг Poloshitelgnый kraй 4,5ns @ 3,3 -v, 50pf 10 мк 4,5 пф
MC74HCT273ADWR2G onsemi MC74HCT273ADWR2G 0,8300
RFQ
 ECAD 606 0,00000000 OnSemi 74HCT Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) D-Thep 74HCT273 Нюртировано 4,5 n 5,5. 20 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1000 1 8 4ma, 4ma Псевдоним 30 мг Poloshitelgnый kraй 25NS @ 5V, 50pf 4 мка
MC100LVEL51DTR2 onsemi MC100LVEL51DTR2 -
RFQ
 ECAD 9857 0,00000000 OnSemi 100lvel Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) D-Thep MC100LVEL51 Додер -3V ~ -3,8V 8-tssop СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 1 1 - Псевдоним 2,8 -е Poloshitelgnый, otriцaTeLnый - 35 май
MC74HC377ADTR2G onsemi MC74HC377ADTR2G 0,6700
RFQ
 ECAD 9199 0,00000000 OnSemi 74HC Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 20-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) D-Thep 74HC377 Нюртировано 2 В ~ 6 В. 20-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 1 8 5,2 мая, 5,2 мая Станода 35 мг Poloshitelgnый kraй 27ns @ 6V, 50pf 4 мка 10 с
SN74AUC2G79YEPR Texas Instruments SN74AUC2G79YEPR -
RFQ
 ECAD 7580 0,00000000 Тел 74auc Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xFBGA, DSBGA D-Thep 74auc2g79 Нюртировано 0,8 В ~ 2,7 В. 8-DSBGA (1,9x0,9) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 2 1 9ma, 9ma Станода 275 мг Poloshitelgnый kraй 1,8ns @ 2,5 v, 30pf 10 мк 2,5 пф
MC10EL35DG onsemi MC10EL35DG -
RFQ
 ECAD 8383 0,00000000 OnSemi 10el Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) D-Thep MC10EL35 Додер -4,2v ~ -5,7 В. 8 лейт - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 98 1 1 - Псевдоним 2,2 -е Poloshitelgnый kraй - 32 май
JM54ACT74SDA-RH National Semiconductor JM54ACT74SDA-RH 319 5200
RFQ
 ECAD 96 0,00000000 На самом деле 54act МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 14-CFLATPACK D-Thep Додер 4,5 n 5,5. 14-CFP СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 2 1 24ma, 24ma Набор (предустановка) и сброс 85 мг Poloshitelgnый kraй 14ns @ 5V, 50pf 40 мк 4,5 пф
SN74ABT273DWR Texas Instruments SN74ABT273DWR 0,4755
RFQ
 ECAD 1863 0,00000000 Тел 74abt Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) D-Thep 74abt273 Нюртировано 4,5 n 5,5. 20 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 1 8 32 май, 64 мА Мастера 150 мг Poloshitelgnый kraй 6,8ns @ 5V, 50pf 400 мк 7 пф
74LVT574PW/AUJ NXP USA Inc. 74LVT574PW/AUJ -
RFQ
 ECAD 1421 0,00000000 NXP USA Inc. 74LVT Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) D-Thep 74LVT574 Три-Госхарство, neryrtyrovano 2,7 В ~ 3,6 В. 20-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 935302059118 Ear99 8542.39.0001 2500 1 8 32 май, 64 мА Станода 150 мг Poloshitelgnый kraй 5,9ns @ 3,3 -v, 50pf 190 мка 4 пф
SN74HC174DRG4 Texas Instruments SN74HC174DRG4 0,8800
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Тел 74HC Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) D-Thep 74HC174 Нюртировано 2 В ~ 6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 1 6 5,2 мая, 5,2 мая Мастера 50 мг Poloshitelgnый kraй 27ns @ 6V, 50pf 8 мка 3 пф
CD54HCT173F3A Texas Instruments CD54HCT173F3A -
RFQ
 ECAD 6783 0,00000000 Тел * Трубка Актифен - Rohs3 Neprigodnnый 296-CD54HCT173F3A 1
IDT74FCT374TK IDT, Integrated Device Technology Inc IDT74FCT374TK 0,5400
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc * МАССА Управо 74FCT374 - Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 1
SN74ALS374ADW Texas Instruments SN74ALS374ADW 1.3100
RFQ
 ECAD 626 0,00000000 Тел 74 -LETNIй Трубка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) D-Thep 74ALS374 Три-Госхарство, neryrtyrovano 4,5 n 5,5. 20 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 1 8 2,6 май, 24 мая Станода 35 мг Poloshitelgnый kraй 16ns @ 5V, 50pf 19 май
SN74LVC1G79YZAR Texas Instruments SN74LVC1G79YZAR -
RFQ
 ECAD 1841 0,00000000 Тел 74LVC Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 5-xfbga, dsbga D-Thep 74LVC1G79 Нюртировано 1,65 n 5,5 5-DSBGA (1,4x0,9) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 1 1 32MA, 32MA Станода 160 мг Poloshitelgnый kraй 4,5NS @ 5V, 50pf 10 мк 4 пф
74ABT374CSJX onsemi 74ABT374CSJX -
RFQ
 ECAD 7963 0,00000000 OnSemi 74abt Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,209 ", Ирина 5,30 мм) D-Thep 74abt374 Три-Госхарство, neryrtyrovano 4,5 n 5,5. 20-Sop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 1 8 32 май, 64 мА Станода 200 мг Poloshitelgnый kraй 5NS @ 5V, 50pf 50 мк 5 пф
74LVC1G79GN,132 Nexperia USA Inc. 74LVC1G79GN, 132 0,5300
RFQ
 ECAD 87 0,00000000 Nexperia USA Inc. 74LVC Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 6-xfdfn D-Thep 74LVC1G79 Нюртировано 1,65 n 5,5 6-xson (0,9x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 5000 1 1 32MA, 32MA Станода 500 мг Poloshitelgnый kraй 3,8ns @ 5V, 50pf 500 мк 5 пф
74FCT574ATSOG Renesas Electronics America Inc 74fct574atsog -
RFQ
 ECAD 4847 0,00000000 Renesas Electronics America Inc 74FCT Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) D-Thep 74FCT574 Три-Госхарство, neryrtyrovano 4,5 n 5,5. 20 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 37 1 8 15 май, 48 маточков Станода Poloshitelgnый kraй 6,5ns @ 5V, 50pf 1 май 6 с
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть