SIC
close

Сингалн

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - Истошиник Сэма NeShaviMhemee цepi
74HCT253D-Q100,118 Nexperia USA Inc. 74HCT253D-Q100,118 0,2702
RFQ
 ECAD 6140 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автор, AEC-Q100, 74HCT Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Мультипрор 74HCT253 4,5 n 5,5. 16-й СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 6ma, 6ma Edinshennnnnnnnnnnanne 2 x 4: 1 1
NC7SZ157FHX onsemi NC7SZ157FHX -
RFQ
 ECAD 9383 0,00000000 OnSemi 7sz Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-ufdfn Мультипрор NC7SZ157 1,65 n 5,5 6-micropak2 ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 5000 32MA, 32MA Edinshennnnnnnnnnnanne 1 x 2: 1 1
QS74FCT257TS1 Quality Semiconductor QS74FCT257TS1 1.0800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Капюр QS74FCT257 МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер - Мультипрор 74FCT257 5в - СКАХАТА Rohs3 Ear99 8542.39.0001 1 12 май, 32 мая Edinshennnnnnnnnnnanne 1 x 8: 4 4
SN74CB3Q3345RGYR Texas Instruments SN74CB3Q3345RGYR 1.1600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Тел 74CB Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 20-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA Верхал 74CB3Q3345 2,3 В ~ 3,6 В. 20-VQFN (3,5x4,5) СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 - Edinshennnnnnnnnnnanne 8 x 1: 1 1
QS3VH16800PAG IDT, Integrated Device Technology Inc QS3VH16800Pag 0,6700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc 3vh Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 48-TFSOP (0,240 ", шIRINA 6,10 мм) Верхал 2,3 В ~ 3,6 В. 48-tssop СКАХАТА Rohs3 Ear99 8542.39.0001 39 - Edinshennnnnnnnnnnanne 10 x 1: 1 2
SN74CBT3244CDBQR Texas Instruments SN74CBT3244CDBQR 0,6400
RFQ
 ECAD 5998 0,00000000 Тел 74CBT Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 20-ssop (0,154 дюйма, Ирина 3,90 м) Верхал 74CBT3244 4 В ~ 5,5 В. 20-Ssop СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - Edinshennnnnnnnnnnanne 4 x 1: 1 2
74FCT257DTQG Renesas Electronics America Inc 74FCT257DTQG -
RFQ
 ECAD 4958 0,00000000 Renesas Electronics America Inc 74FCT Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16-ssop (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Мультипрор 74FCT257 - 16-QSOP СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 97 15 май, 48 маточков Edinshennnnnnnnnnnanne 4 x 2: 1 1
HVL142AM3KRF-E Renesas Electronics America Inc HVL142AM3KRF-E 0,1200
RFQ
 ECAD 830 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.10.0070 10000
74F251ASJ Fairchild Semiconductor 74F251ASJ 0,2000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Fairchild Semiconductor 74f Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер 16 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) Мультипрор 74F251 4,5 n 5,5. 16-Sop СКАХАТА Rohs3 Ear99 8542.39.0001 47 3MA, 24MA Edinshennnnnnnnnnnanne 1 x 8: 1 1
74AUP2G157GF,115 NXP USA Inc. 74AUP2G157GF, 115 0,1800
RFQ
 ECAD 84 0,00000000 NXP USA Inc. 74aup МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-xfdfn Мультипрор 74AUP2G157 0,8 В ~ 3,6 В. 8-xson (135x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 5000 4ma, 4ma Edinshennnnnnnnnnnanne 1 x 2: 1 1
74AC251MTC onsemi 74AC251MTC -
RFQ
 ECAD 6303 0,00000000 OnSemi 74AC Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) Мультипрор 74AC251 2 В ~ 6 В. 16-tssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2350 24ma, 24ma Edinshennnnnnnnnnnanne 1 x 8: 1 1
MC74LCX158DT onsemi MC74LCX158DT -
RFQ
 ECAD 2088 0,00000000 OnSemi 74lcx Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) Мультипрор 74LCX158 2 В ~ 3,6 В. 16-tssop СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 96 8 май, 8 мая Edinshennnnnnnnnnnanne 4 x 2: 1 1
CD74HCT157E Texas Instruments CD74HCT157E 0,7700
RFQ
 ECAD 387 0,00000000 Тел 74HCT Трубка Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) Мультипрор 74HCT157 4,5 n 5,5. 16-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 4ma, 4ma Edinshennnnnnnnnnnanne 4 x 2: 1 1
PI5C16861AEX Diodes Incorporated PI5C16861AEX -
RFQ
 ECAD 8145 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 48-TFSOP (0,240 ", шIRINA 6,10 мм) Верхал PI5C16861 - 48-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1500 - Edinshennnnnnnnnnnanne 10 x 1: 1 2
VSC9295SM Microchip Technology VSC9295SM -
RFQ
 ECAD 1694 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Пефер 1072-FCBGA Tsi - perekleTeLeHLAH obmena vrememnennnhmit VSC9295 +2,5 -1,2 В. 1072-FCBGA СКАХАТА 4 (72 чACA) DOSTISH 0000.00.0000 1 - Дон -
PI3B3126LEX Diodes Incorporated PI3B3126LEX 0,2240
RFQ
 ECAD 2832 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) Верхал PI3B3126 3 В ~ 3,6 В. 14-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - Edinshennnnnnnnnnnanne 1 x 1: 1 4
MAX96753FGT/V+CTH Analog Devices Inc./Maxim Integrated Max96753fgt/v+cth -
RFQ
 ECAD 4306 0,00000000 Analog Devices Inc./maxim Integrated - МАССА Прохл MAX96753 - DOSTISH 175-max96753fgt/v+cth 1
54LS253DM National Semiconductor 54LS253DM 0,6700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 На самом деле 54LS МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 16-CDIP (0,300 ", 7,62 ММ) Стеакция Джанн/Мюлхтипра 54LS253 4,5 n 5,5. 16-CDIP СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 1 1 май, 12 мая Edinshennnnnnnnnnnanne 2 x 4: 1 1
QS74FCT153ATS1X Quality Semiconductor Qs74fct153ats1x 1.1800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Капюр * МАССА Актифен 74FCT153 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1
5962-9223306MEA Texas Instruments 5962-9223306MEA -
RFQ
 ECAD 6782 0,00000000 Тел * Трубка Актифен СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 296-5962-9223306MEA 1
74ACT151SCX onsemi 74act151scx -
RFQ
 ECAD 5709 0,00000000 OnSemi 74act Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Мультипрор 74act151 4,5 n 5,5. 16 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 24ma, 24ma Edinshennnnnnnnnnnanne 1 x 8: 1 1
MC100E158FNR2 onsemi MC100E158FNR2 -
RFQ
 ECAD 3033 0,00000000 OnSemi 100e Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 85 ° C. Пефер 28-LCC (J-Lead) Мультипрор 100e158 ± 4,2 Е ~ 5,7 В. 28-PLCC (11,51x11,51) - Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 - Дон 5 x 2: 1 1
74CBTLV1G125GM,115 NXP Semiconductors 74CBTLV1G125GM, 115 0,0800
RFQ
 ECAD 68 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki 74cbtlv МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 6-xfdfn Верхал 74CBTLV1G125 2,3 В ~ 3,6 В. 6-xson, sot886 (145x1) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-74CBTLV1G125GM, 115-954 3615 - Edinshennnnnnnnnnnanne 1 x 1: 1 1
FST16211GX onsemi FST16211GX -
RFQ
 ECAD 1134 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 54-LFBGA Верхал FST16211 4 В ~ 5,5 В. 54-FBGA (5,5x8) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - Edinshennnnnnnnnnnanne 12 x 1: 1 2
PI3B3253ZHDEX Diodes Incorporated PI3B3253ZHDEX 0,5900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16-ufqfn oTkrыTAIN-AN-Ploщadka MULOTIPLEKSOR/DEMOLOTIPLEKзER PI3B3253 2,97 В ~ 3,63 В. 16-uqfn (3x3) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3500 - Edinshennnnnnnnnnnanne 2 x 4: 1 1
TC7QPB9307FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7QPB9307FT (EL) 0,5500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7QP Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) Верхал TC7QPB9307 1,65 $ 5 v, 2,3 n 5,5 14-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2000 - Дон 4 x 1: 1 1
74HCT139PW,118 Nexperia USA Inc. 74HCT139PW, 118 0,4700
RFQ
 ECAD 119 0,00000000 Nexperia USA Inc. 74HCT Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) Деко -дюр/де -молольх 74HCT139 4,5 n 5,5. 16-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 4ma, 4ma Edinshennnnnnnnnnnanne 1 x 2: 4 2
74VHC157FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC157FT 0,4900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee 74VHC Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) Мультипрор 74VHC157 2В ~ 5,5 В. 16-tssopb СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 8 май, 8 мая Edinshennnnnnnnnnnanne 4 x 2: 1 1
MC14028BDR2G onsemi MC14028BDR2G 0,7500
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 OnSemi 4000b Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Деко MC14028 3v ~ 18v 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 8,8 мая, 8,8 мая Edinshennnnnnnnnnnanne 1 x 4:10 1
BCM56843B1KFRBG Broadcom Limited BCM56843B1KFRBG -
RFQ
 ECAD 2626 0,00000000 Broadcom Limited - Поднос Управо - - - BCM56843 - - - Продан Управо 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть