SIC
close

Логика (744)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta ТИПВ Втипа Колист Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Eccn Htsus Станодадж ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Колист Коли Ток - Файнкхия ТОК - Покоя (МАКСИМУМА) Колист Истошиник Mmakcymalnavan -a -derжca rasprostrannenina @ v, максимум cl Ведоджеса Ведоджес ШMITTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTHERNыйVOD Сэма NeShaviMhemee цepi Я
74HC123D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC123D 0,5900
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee 74HC Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 74HC123 2 ~ 6 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 МООНОССТАБИЛЯН 5,2 мая, 5,2 мая В дар 2 40 млн
TC4049BF-ELNF Toshiba Semiconductor and Storage TC4049BF-ELNF 0,7600
RFQ
 ECAD 7567 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Т. Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) - TC4049 6 3v ~ 18v 16-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2000 Иртор 8 май, 48 мат 4 мка 1 50NS @ 15V, 50pf 1,5 В ~ 4 В. 3,5 В ~ 11 В.
74VHC126FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC126FT 0,0990
RFQ
 ECAD 3251 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC74VHC Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) 74VHC126 - 3-шТат 2В ~ 5,5 В. 14-tssopb СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 Бер, neryrtiruющiй 4 1 8 май, 8 мая
TC74HC123AF(ELNE,F Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC123AF (Elne, f 0,6200
RFQ
 ECAD 8596 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee 74HC Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) TC74HC123 2 ~ 6 16-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2000 МООНОССТАБИЛЯН 5,2 мая, 5,2 мая В дар 2 22 млн
74LCX540FT Toshiba Semiconductor and Storage 74lcx540ft 0,1820
RFQ
 ECAD 5506 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC74LCX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 20-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) 74LCX540 - 3-шТат 1,65, ~ 3,6 В. 20-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 БУР, ИНВЕРИРОВАН 1 8 24ma, 24ma
TC4066BFELNF Toshiba Semiconductor and Storage TC4066BFELNF 0,2107
RFQ
 ECAD 4928 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 14 SOIC (0,209 ", Ирина 5,30 мм) Дюпра, Фет TC4066 3v ~ 18v 14-Sop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2000 - Дон 1 x 1: 1 4
TC74VHC165FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC165FK (EL, K) 0,6300
RFQ
 ECAD 6767 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC74VHC Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16-vfsop (0,118 ", 3,00 мк) 74VHC165 Додер 2В ~ 5,5 В. 16-VSSOP - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 СДВИГР 1 8 Парлэлн или Сейрихан -длсейригно
TC74VHC221AFK(EL,K Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC221AFK (EL, K. 0,6100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee 74VHC Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16-vfsop (0,118 ", 3,00 мк) TC74VHC221 2 ~ 5,5 16-VSSOP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 МООНОССТАБИЛЯН 8 май, 8 мая В дар 2
TC7SH14FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH14FSTPL3 -
RFQ
 ECAD 6204 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7SH Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SOT-953 ШMITTTTTTTTTT 7SH14 1 2В ~ 5,5 В. FSV - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 Иртор 8 май, 8 мая 2 мка 1 10,6ns @ 5V, 50pf 0,9 В ~ 1,65 В. 2,2 В ~ 3,85 В.
TC7SZ02F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ02F, LJ (Ct 0,0721
RFQ
 ECAD 7018 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7SZ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SC-74A, SOT-753 - 7sz02 1 1,8 В ~ 5,5 В. SMV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 NvoROROTA 32MA, 32MA 2 мка 2 4.3ns @ 5V, 50pf - -
TC7SZ32FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ32FE, LJ (Ct 0,3700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7SZ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SOT-553 - 7sz32 1 1,65 n 5,5 Эs СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 4000 Илиором 32MA, 32MA 2 мка 2 4.3ns @ 5V, 50pf - -
TC7WB66CFK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WB66CFK, LF 0,1597
RFQ
 ECAD 6508 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7WB Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-VFSOP (0,091 ", шIRINA 2,30 мм) Верхал TC7WB66 1,65 n 5,5 8-Ssop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 - Edinshennnnnnnnnnnanne 2 x 1: 1 1
TC7WH126FK,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH126FK, LJ 0,0886
RFQ
 ECAD 7263 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee 7WH Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8-VFSOP (0,091 ", шIRINA 2,30 мм) TC7WH126 - 3-шТат 2В ~ 5,5 В. US8 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Бер, neryrtiruющiй 2 1 8 май, 8 мая
74VHC00FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC00FT 0,4300
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC74VHC Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) - 74VHC00 4 2В ~ 5,5 В. 14-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 Nand 8 май, 8 мая 2 мка 2 7,5NS @ 5V, 50pf 0,5 В. 1,5 В.
TC7USB221FT(EL,M) Toshiba Semiconductor and Storage TC7USB221FT (EL, M) -
RFQ
 ECAD 1719 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7USB Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) MULOTIPLEKSOR/DEMOLOTIPLEKзER TC7USB221 2,3 В ~ 3,6 В. 14-tssop - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2000 - Edinshennnnnnnnnnnanne 2 x 1: 2 1
74HC157D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC157D 0,5900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee 74HC Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Мультипрор 74HC157 2 В ~ 6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 5,2 мая, 5,2 мая Edinshennnnnnnnnnnanne 4 x 2: 1 1
TC7SH04FUT5LJFT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH04FUT5LJFT -
RFQ
 ECAD 6870 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7SH Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7sh04 1 2В ~ 5,5 В. 5-Ssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Иртор 8 май, 8 мая 2 мка 1 7,5NS @ 5V, 50pf 0,5 В. 1,5 В.
TC74VHC86FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC86FTELM -
RFQ
 ECAD 3270 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC74VHC Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) - 74VHC86 4 2В ~ 5,5 В. 14-tssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2000 XOR (эkpklshinый или) 8 май, 8 мая 2 мка 2 8.8ns @ 5V, 50pf 0,5 В. 1,5 В.
TC7SZ126FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ126FU, LJ (Ct 0,3400
RFQ
 ECAD 6067 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7SZ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 TC7SZ126 - 3-шТат 1,8 В ~ 5,5 В. 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Бер, neryrtiruющiй 1 1 32MA, 32MA
TC7W08FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W08FU, LF 0,1190
RFQ
 ECAD 7202 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7W Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-tssop, 8-март (0,110 ", ширина 2,80 мм) - 7W08 2 2 В ~ 6 В. 8-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 И -в 5,2 мая, 5,2 мая 1 мка 2 13ns @ 6V, 50pf 0,5 В ~ 1,8 В. 1,5 n 4,2 В.
TC74VCX08FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX08FTEL 0,1292
RFQ
 ECAD 2630 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC74VCX Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) - 74VCX08 4 1,2 n 3,6 В. 14-tssop СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2000 И -в 24ma, 24ma 20 мк 2 2,8NS @ 3,3 В, 30pf 0,8 В. 2в
TC74LCX00FN(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX00FN (F, M) -
RFQ
 ECAD 9949 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee 74lcx Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 14 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм) - 74LCX00 4 2 В ~ 3,6 В. 14-Sol СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 1000 Nand 24ma, 24ma 10 мк 2 5,2ns @ 3,3 -v, 50pf 0,8 В. 2в
TC7SH34FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH34FU, LJ (Ct 0,3400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7SH Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 TC7SH34 - Толкат 2В ~ 5,5 В. 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Бер, neryrtiruющiй 1 1 8 май, 8 мая
TC7WH123FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH123FUTE12LF -
RFQ
 ECAD 5347 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7WH Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-tssop, 8-март (0,110 ", ширина 2,80 мм) TC7WH123 2 ~ 5,5 8-Ssop СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 МООНОССТАБИЛЯН 8 май, 8 мая Не 1 10,3 млн
TC74HC86APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC86APF -
RFQ
 ECAD 3899 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee 74HC Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) - 74HC86 4 2 В ~ 6 В. 14-Dip - 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 25 XOR (эkpklshinый или) 5,2 мая, 5,2 мая 1 мка 2 17ns @ 6V, 50pf 0,5 В ~ 1,8 В. 1,5 n 4,2 В.
TC7WB66CFK,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WB66CFK, LF (Ct 0,3600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7WB Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-VFSOP (0,091 ", шIRINA 2,30 мм) Верхал TC7WB66 1,65 n 5,5 8-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 - Edinshennnnnnnnnnnanne 2 x 1: 1 1
TC7SZ34FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ34FU, LJ (Ct 0,3300
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7SZ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 TC7SZ34 - Толкат 1,65 n 5,5 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Бер, neryrtiruющiй 1 1 32MA, 32MA
TC74LCX02FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX02FT (EL) -
RFQ
 ECAD 3144 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee 74lcx Digi-Reel® Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) - 74LCX02 4 1,65, ~ 3,6 В. 14-tssop СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2000 NvoROROTA 24ma, 24ma 10 мк 2 5,2ns @ 3,3 -v, 50pf 0,8 В. 2в
TC7SZ125FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ125FU, LJ (Ct 0,3400
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC7SZ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 TC7SZ125 - 3-шТат 1,8 В ~ 5,5 В. 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 3000 Бер, neryrtiruющiй 1 1 32MA, 32MA
74VHC165FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC165FT 0,4300
RFQ
 ECAD 525 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TC74VHC Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) 74VHC165 Додер 2В ~ 5,5 В. 16-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 2500 СДВИГР 1 8 Парлэлн или Сейрихан -длсейригно
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть