SIC
close

СПАМАТА (4449)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Sic programmirueTSARY
CY7C1320JV18-300BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1320JV18-300BZXC 39 2900
RFQ
 ECAD 394 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA CY7C1320 SRAM - Synchronous, DDR II 1,7 В ~ 1,9 В. 165-FBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3A991B2A 8542.32.0041 8 300 мг Nestabilnый 18 марта Шram 512K x 36 Парлель - Nprovereno
S34ML02G200BHA000 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G200BHA000 -
RFQ
 ECAD 3533 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp Автомобиль, AEC-Q100, ML-2 Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34ML02 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 210 NeleTUSHIй 2 Гит В.С. 256 м х 8 Парлель 25NS
S25FL132K0XMFI043 Cypress Semiconductor Corp S25FL132K0XMFI043 2.4400
RFQ
 ECAD 9622 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp Fl1-k Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) S25FL132 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3A991B1A 8542.32.0071 103 108 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O 3 мс
S34MS04G200BHI903 Cypress Semiconductor Corp S34MS04G200BHI903 -
RFQ
 ECAD 8943 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-2 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34MS04 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2300 NeleTUSHIй 4 Гит 45 м В.С. 512M x 8 Парлель 45NS
CY7C1145KV18-450BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1145KV18-450BZXC 41.2200
RFQ
 ECAD 333 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA CY7C1145 SRAM - Synchronous, QDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В. 165-FBGA (13x15) СКАХАТА 8 450 мг Nestabilnый 18 марта Шram 512K x 36 Парлель - Nprovereno
CY7C1525KV18-333BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C1525KV18-333BZC 148.6700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA CY7C1525 SRAM - Synchronous, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В. 165-FBGA (13x15) СКАХАТА Rohs 3A991B2A 8542.32.0041 136 333 мг Nestabilnый 72 мб Шram 8m x 9 Парлель - Nprovereno
CY7C1021CV33-12BAI Cypress Semiconductor Corp CY7C1021CV33-12BAI 2.4000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA CY7C1021 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 48-FBGA (7x7) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 64K x 16 Парлель 12NS
S34ML01G100BHB003 Cypress Semiconductor Corp S34ML01G100BHB003 -
RFQ
 ECAD 6854 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34ML01 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2300 NeleTUSHIй 1 Гит В.С. 128m x 8 Парлель 25NS
S34ML04G100BHB000 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G100BHB000 -
RFQ
 ECAD 6049 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34ML04 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 210 NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 512M x 8 Парлель 25NS
S34ML01G100BHI000 Cypress Semiconductor Corp S34ML01G100BHI000 -
RFQ
 ECAD 2529 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34ML01 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 210 NeleTUSHIй 1 Гит В.С. 128m x 8 Парлель 25NS
S25FL064P0XBHI020 Cypress Semiconductor Corp S25FL064P0XBHI020 15000
RFQ
 ECAD 1334 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp FL-P Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA S25FL064 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-BGA (8x6) СКАХАТА Rohs3 2832-S25FL064P0XBHI020 3A991B1A 8542.32.0071 421 104 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 5 мкс, 3 мс Nprovereno
S34MS01G100BHI000 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G100BHI000 -
RFQ
 ECAD 4058 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-1 Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34MS01 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 210 NeleTUSHIй 1 Гит 45 м В.С. 128m x 8 Парлель 45NS
S34ML04G200TFI000 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G200TFI000 -
RFQ
 ECAD 8270 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp Мл-2 Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) S34ML04 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 48 т СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 512M x 8 Парлель 25NS
S34MS04G200BHI000 Cypress Semiconductor Corp S34MS04G200BHI000 -
RFQ
 ECAD 8023 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-2 Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34MS04 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 210 NeleTUSHIй 4 Гит 45 м В.С. 512M x 8 Парлель 45NS
S34ML01G100TFI503 Cypress Semiconductor Corp S34ML01G100TFI503 -
RFQ
 ECAD 8626 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) S34ML01 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 48 т СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 1 Гит В.С. 128m x 8 Парлель 25NS
S34ML02G104BHI010 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G104BHI010 -
RFQ
 ECAD 5965 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34ML02 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH -S34ML02G104BHI010 3A991B1A 8542.32.0071 210 NeleTUSHIй 2 Гит В.С. 128m x 16 Парлель 25NS
S34ML04G104BHI013 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G104BHI013 -
RFQ
 ECAD 3520 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34ML04 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2300 NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 256 м x 16 Парлель 25NS
S34ML04G200BHI500 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G200BHI500 -
RFQ
 ECAD 3931 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp Мл-2 Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34ML04 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 63-BGA (11x9) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 210 NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 512M x 8 Парлель 25NS
S34ML04G200BHI900 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G200BHI900 -
RFQ
 ECAD 1814 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp Мл-2 Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34ML04 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 210 NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 512M x 8 Парлель 25NS
S34MS01G200BHI000 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200BHI000 -
RFQ
 ECAD 8380 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-2 Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34MS01 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH -S34MS01G200BHI000 3A991B1A 8542.32.0071 210 NeleTUSHIй 1 Гит 45 м В.С. 128m x 8 Парлель 45NS
S34MS04G200BHI900 Cypress Semiconductor Corp S34MS04G200BHI900 -
RFQ
 ECAD 3084 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-2 Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34MS04 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 210 NeleTUSHIй 4 Гит 45 м В.С. 512M x 8 Парлель 45NS
S34ML01G100TFI900 Cypress Semiconductor Corp S34ML01G100TFI900 -
RFQ
 ECAD 5649 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) S34ML01 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 48 т СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 1 Гит В.С. 128m x 8 Парлель 25NS
S34ML02G104TFI013 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G104TFI013 -
RFQ
 ECAD 8856 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) S34ML02 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 48 т СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 2 Гит В.С. 128m x 16 Парлель 25NS
CY7C1049CV33-12ZSXA Cypress Semiconductor Corp CY7C1049CV33-12ZSXA -
RFQ
 ECAD 3410 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) CY7C1049 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 4 марта 12 млн Шram 512K x 8 Парлель 12NS
S34ML02G200TFV003 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G200TFV003 -
RFQ
 ECAD 5429 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp Мл-2 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) S34ML02 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 48 т СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 2 Гит В.С. 256 м х 8 Парлель 25NS
S34ML04G200BHV003 Cypress Semiconductor Corp S34ML04G200BHV003 -
RFQ
 ECAD 8284 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp Мл-2 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34ML04 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2300 NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 512M x 8 Парлель 25NS
S34ML08G101BHA003 Cypress Semiconductor Corp S34ML08G101BHA003 -
RFQ
 ECAD 9297 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34ML08 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2300 NeleTUSHIй 8 Гит В.С. 1G x 8 Парлель 25NS
S34ML08G101TFB003 Cypress Semiconductor Corp S34ML08G101TFB003 -
RFQ
 ECAD 8161 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) S34ML08 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 8 Гит В.С. 1G x 8 Парлель 25NS
S34MS01G104BHB013 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G104BHB013 -
RFQ
 ECAD 8182 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-1 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34MS01 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2300 NeleTUSHIй 1 Гит 45 м В.С. 64 м х 16 Парлель 45NS
S34MS01G200BHV003 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200BHV003 -
RFQ
 ECAD 1711 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-2 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA S34MS01 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 63-BGA (11x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2300 NeleTUSHIй 1 Гит 45 м В.С. 128m x 8 Парлель 45NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть