SIC
close
Ибрагейн NoMerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Sic programmirueTSARY
71V016SA10BFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA10BFGI -
RFQ
ECAD 1825 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-LFBGA 71V016 SRAM - Асинров 3,15 n 3,6 В. 48-Cabga (7x7) СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 64K x 16 Парлель 10NS
71V65603S133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65603S133PFG 19.8800
RFQ
ECAD 812 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V65603 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 9 марта 4,2 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71V016SA15YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA15YG 1.7600
RFQ
ECAD 2289 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71V016 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-Soj СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 125 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 64K x 16 Парлель 15NS
71T75802S100PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S100PF -
RFQ
ECAD 1849 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71T75802 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 18 марта 5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
71V546XS133PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V546XS133PFI -
RFQ
ECAD 6225 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V546 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 4,5 мб 4,2 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71V65803S100PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65803S100PFGI 27.5600
RFQ
ECAD 75 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V65803 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 9 марта 5 млн Шram 512K x 18 Парлель -
71256SA12YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA12YGI -
RFQ
ECAD 6346 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 71256SA SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 256 12 млн Шram 32K x 8 Парлель 12NS
71V016SA12Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12Y -
RFQ
ECAD 6232 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71V016 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-Soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 64K x 16 Парлель 12NS
71V416L12YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L12YI -
RFQ
ECAD 3261 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71V416L SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-Soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 12 млн Шram 256K x 16 Парлель 12NS
71T75802S200BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S200BGG 44 5700
RFQ
ECAD 30 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71T75802 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 мг Nestabilnый 18 марта 3,2 млн Шram 1m x 18 Парлель -
71V3557S80PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3557S80PF -
RFQ
ECAD 4214 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3557 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб 8 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71V016SA12YGI8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12YGI8 -
RFQ
ECAD 8615 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71V016 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-Soj СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 64K x 16 Парлель 12NS
71T016SA15PHGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T016SA15PHGI 1.3400
RFQ
ECAD 9359 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71T016 SRAM - Асинров 2 375 $ 2625 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 64K x 16 Парлель 15NS
IDT71V416S15PHG IDT, Integrated Device Technology Inc IDT71V416S15PHG -
RFQ
ECAD 5859 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II - 3277-IDT71V416S15PHG Ear99 8542.32.0041 45 Nestabilnый 4 марта Шram 256K x 16 Парлель 15NS Nprovereno
71V67602S150PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67602S150PFI -
RFQ
ECAD 6237 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V67602 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 мг Nestabilnый 9 марта 3,8 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71V416L10PHGI8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L10PHGI8 -
RFQ
ECAD 7826 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71V416L SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
71V124SA20TYI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA20TYI -
RFQ
ECAD 8157 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 71V124 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 20 млн Шram 128K x 8 Парлель 20ns
71024S20TYG IDT, Integrated Device Technology Inc 71024S20tyg 2.8500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 71024S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Soj СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 106 Nestabilnый 1 март 20 млн Шram 128K x 8 Парлель 20ns Nprovereno
71024S15YI IDT, Integrated Device Technology Inc 71024S15YI -
RFQ
ECAD 1625 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71024S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 128K x 8 Парлель 15NS
71V2556S166PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2556S166PFG 7.6600
RFQ
ECAD 332 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V2556 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 4,5 мб 3,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71V416L12PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L12PHG 6.5100
RFQ
ECAD 50 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71V416L SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 50 Nestabilnый 4 марта 12 млн Шram 256K x 16 Парлель 12NS Nprovereno
71V416S12Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12Y -
RFQ
ECAD 1189 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71V416S SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-Soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 12 млн Шram 256K x 16 Парлель 12NS
71256SA25Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA25Y -
RFQ
ECAD 8433 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 71256SA SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 256 25 млн Шram 32K x 8 Парлель 25NS
7164S35FB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S35FB -
RFQ
ECAD 8717 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 7164S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан 3A001A2C 8542.32.0041 1 Nestabilnый 64 35 м Шram 8K x 8 Парлель 35NS
71256S55DB IDT, Integrated Device Technology Inc 71256S55DB 44,7000
RFQ
ECAD 4731 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru 28-CDIP (0,600 ", 15,24 ММ) 71256s SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-CDIP СКАХАТА 3A001A2C 8542.32.0041 5 Nestabilnый 256 55 м Шram 32K x 8 Парлель 55NS
71V424YL10PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424YL10PH 2.0100
RFQ
ECAD 199 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71V424 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
71V3556SA100BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556SA100BQI 10.8200
RFQ
ECAD 9730 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V3556 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 4,5 мб 5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71256SA15TPG IDT, Integrated Device Technology Inc 71256SA15TPG 3.3600
RFQ
ECAD 179 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Чereз dыru 28-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 71256SA SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-pdip СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 256 15 млн Шram 32K x 8 Парлель 15NS
71T75802S200BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S200BG 44 5700
RFQ
ECAD 16 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71T75802 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 мг Nestabilnый 18 марта 3,2 млн Шram 1m x 18 Парлель -
71V65703S85PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S85PFG -
RFQ
ECAD 1060 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V65703 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 9 марта 8,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе