SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Sic programmirueTSARY
71V65803S133BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65803S133BQG -
RFQ
ECAD 5519 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V65803 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 9 марта 4,2 млн Шram 512K x 18 Парлель -
71V67903S85BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67903S85BQI 29.1800
RFQ
ECAD 294 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V67903 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 87 мг Nestabilnый 9 марта 8,5 млн Шram 512K x 18 Парлель -
71V67603ZS133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603ZS133PFG 6.0000
RFQ
ECAD 293 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V67603 SRAM - Станодар 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 9 марта 4,2 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71016S15YG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S15YG8 -
RFQ
ECAD 9936 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71016s SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-Soj СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 64K x 16 Парлель 15NS
71016S20YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S20YGI 2.0100
RFQ
ECAD 8408 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71016s SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-Soj СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 20 млн Шram 64K x 16 Парлель 20ns
71V547S80PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V547S80PFG 7.1700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V547 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб 8 млн Шram 128K x 36 Парлель -
7164L25YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 7164L25YGI 4.1900
RFQ
ECAD 322 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 7164L SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-soj СКАХАТА Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 64 25 млн Шram 8K x 8 Парлель 25NS
7164S25TPG IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S25TPG 7.3700
RFQ
ECAD 131 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Чereз dыru 28-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 7164S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-pdip СКАХАТА Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 64 25 млн Шram 8K x 8 Парлель 25NS
71T75602S166PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S166PFGI -
RFQ
ECAD 1012 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71T75602 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 100-TQFP (14x20) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 18 марта 3,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
71T75602S200BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S200BGG 8.6600
RFQ
ECAD 214 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71T75602 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 мг Nestabilnый 18 марта 3,2 млн Шram 512K x 36 Парлель -
71V2546S100PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2546S100PFG 7.6600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V2546 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 4,5 мб 5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71V3556SA133BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556SA133BGG 11.1600
RFQ
ECAD 35 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71V3556 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 4,5 мб 4,2 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71V321L35JGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V321L35JGI -
RFQ
ECAD 3576 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 52-LCC (J-Lead) 71V321L Sram - dvoйnoй port 3 В ~ 3,6 В. 52-PLCC (19.13x19.13) СКАХАТА Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 16 35 м Шram 2k x 8 Парлель 35NS
71V3557S75BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3557S75BGG -
RFQ
ECAD 2764 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71V3557 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб 7,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
7164S20YG IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S20YG 3.3600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 7164S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-soj СКАХАТА Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 64 20 млн Шram 8K x 8 Парлель 20ns
71016S15PHG IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S15PHG 3.3600
RFQ
ECAD 528 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71016s SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-TSOP II СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 64K x 16 Парлель 15NS
71T75602S166BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S166BGG 44 5700
RFQ
ECAD 11 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71T75602 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 18 марта 3,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
71V016SA20PHGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA20PHGI -
RFQ
ECAD 3658 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71V016 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 20 млн Шram 64K x 16 Парлель 20ns
71V3579S85PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3579S85PFG 7.6600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3579 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 87 мг Nestabilnый 4,5 мб 8,5 млн Шram 256K x 18 Парлель -
71V416S12YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12YG -
RFQ
ECAD 4633 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71V416S SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-Soj - 0000.00.0000 1 Nestabilnый 4 марта 12 млн Шram 256K x 16 Парлель 12NS
71V424L12YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424L12YG -
RFQ
ECAD 7932 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 36-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71V424 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 36-SOJ СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 12 млн Шram 512K x 8 Парлель 12NS
71T75902S85BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75902S85BGG 46.4400
RFQ
ECAD 52 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71T75902 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 18 марта 8,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
71V416S15YGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S15YGI -
RFQ
ECAD 8272 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71V416S SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-Soj СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 15 млн Шram 256K x 16 Парлель 15NS
71V3557S85BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3557S85BG 10.1900
RFQ
ECAD 817 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71V3557 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб 8,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71V65703S80BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S80BG 26.6900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71V65703 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 9 марта 8 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71V65803S133BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65803S133BQI 35,0200
RFQ
ECAD 7666 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V65803 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 6 133 мг Nestabilnый 9 марта 4,2 млн Шram 512K x 18 Парлель -
71V67703S85BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67703S85BQG 26.6900
RFQ
ECAD 65 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V67703 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 87 мг Nestabilnый 9 марта 8,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71016S20YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S20YG -
RFQ
ECAD 5400 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71016s SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-Soj СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 154 Nestabilnый 1 март 20 млн Шram 64K x 16 Парлель 20ns Nprovereno
71V67803S150BQ IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67803S150BQ 26.6900
RFQ
ECAD 133 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V67803 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 мг Nestabilnый 9 марта 3,8 млн Шram 512K x 18 Парлель -
71V67803S150PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67803S150PFG 14.8000
RFQ
ECAD 28 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V67803 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 мг Nestabilnый 9 марта 3,8 млн Шram 512K x 18 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе