SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
71V3579S80PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3579S80PFGI 11.0800
RFQ
ECAD 251 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3579 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 4,5 мб 8 млн Шram 256K x 18 Парлель -
71V2576S150PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2576S150PFI -
RFQ
ECAD 4540 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V2576 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 мг Nestabilnый 4,5 мб 3,8 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71T75802S100PFI8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75802S100PFI8 -
RFQ
ECAD 2110 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71T75802 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 18 марта 5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
6116LA25TPG IDT, Integrated Device Technology Inc 6116LA25TPG -
RFQ
ECAD 5643 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Чereз dыru 24-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 6116LA SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 24-Pdip СКАХАТА Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 16 25 млн Шram 2k x 8 Парлель 25NS
71V016SA15Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA15Y 1.0700
RFQ
ECAD 5121 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71V016 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-Soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 64K x 16 Парлель 15NS
6116SA25SO IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA25SO 2.8000
RFQ
ECAD 165 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 24 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) 6116SA SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 24 года СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 16 25 млн Шram 2k x 8 Парлель 25NS
71T75902S75BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75902S75BGG 55 7200
RFQ
ECAD 2062 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71T75902 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 4 Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
71V3577S75BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S75BG 8.6800
RFQ
ECAD 5324 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71V3577 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 мг Nestabilnый 4,5 мб 7,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71V256SA10PZ IDT, Integrated Device Technology Inc 71V256SA10PZ -
RFQ
ECAD 7474 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 28-tssop (0,465 ", ширина 11,80 мм) 71V256 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 28-tsop СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 256 10 млн Шram 32K x 8 Парлель 10NS
71V3556S166PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3556S166PFG 7.9600
RFQ
ECAD 3 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3556 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 4,5 мб 3,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71V3576S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3576S133PF 2.0100
RFQ
ECAD 548 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3576 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 4,5 мб 4,2 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71V416S15PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S15PH 2.3100
RFQ
ECAD 5227 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71V416S SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 15 млн Шram 256K x 16 Парлель 15NS
71V35761SA166BGGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761SA166BGGI -
RFQ
ECAD 6710 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71V35761S SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА 0000.00.0000 1 166 мг Nestabilnый 4,5 мб 3,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71V67603S133BGGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S133BGGI 35,0200
RFQ
ECAD 4593 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71V67603 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 6 133 мг Nestabilnый 9 марта 4,2 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71V2576S150PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2576S150PF 15000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V2576 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 150 мг Nestabilnый 4,5 мб 3,8 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71V3559S75PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S75PF -
RFQ
ECAD 2755 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3559 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб 7,5 млн Шram 256K x 18 Парлель -
71V67603S133PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S133PFI -
RFQ
ECAD 1523 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V67603 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 мг Nestabilnый 9 марта 4,2 млн Шram 256K x 36 Парлель -
71016S20PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S20PHI 1.5100
RFQ
ECAD 4436 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71016s SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 20 млн Шram 64K x 16 Парлель 20ns
71V3579YS85PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3579YS85PFG 2.0100
RFQ
ECAD 959 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3579 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб 8,5 млн Шram 256K x 18 Парлель -
71T75602S100BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S100BG 42.2200
RFQ
ECAD 132 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71T75602 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 18 марта 5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
71V256SA15Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71V256SA15Y 0,8000
RFQ
ECAD 7889 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 71V256 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 28-soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1 Nestabilnый 256 15 млн Шram 32K x 8 Парлель 15NS
71V3559S80BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S80BQI 10.8200
RFQ
ECAD 746 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V3559 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб 8 млн Шram 256K x 18 Парлель -
71V321S35J IDT, Integrated Device Technology Inc 71V321S35J -
RFQ
ECAD 3453 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 52-LCC (J-Lead) 71V321S Sram - dvoйnoй port 3 В ~ 3,6 В. 52-PLCC (19.13x19.13) СКАХАТА Rohs Ear99 8542.32.0041 24 Nestabilnый 16 35 м Шram 2k x 8 Парлель 35NS
71124S15Y IDT, Integrated Device Technology Inc 71124S15Y 1.3400
RFQ
ECAD 7040 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) 71124S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 128K x 8 Парлель 15NS
71V321L25TF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V321L25TF -
RFQ
ECAD 6687 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 64-LQFP 71V321L Sram - dvoйnoй port 3 В ~ 3,6 В. 64-TQFP (10x10) СКАХАТА Rohs Ear99 8542.32.0041 40 Nestabilnый 16 25 млн Шram 2k x 8 Парлель 25NS
71V67903S80BQI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67903S80BQI 29.1800
RFQ
ECAD 499 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA 71V67903 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-Cabga (13x15) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 мг Nestabilnый 9 марта 8 млн Шram 512K x 18 Парлель -
71V016SA12BFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA12BFGI 5.2700
RFQ
ECAD 3 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-LFBGA 71V016 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 48-кабаба (7x7) СКАХАТА 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 64K x 16 Парлель 12NS
71V3577YS85PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577YS85PFG 2.0100
RFQ
ECAD 906 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3577 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3A991B2A 8542.32.0041 72 87 мг Nestabilnый 4,5 мб 8,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
71T75602S166BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71T75602S166BGI 46.5600
RFQ
ECAD 17 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71T75602 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 119-pbga (14x22) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 мг Nestabilnый 18 марта 3,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
71024S12TYI IDT, Integrated Device Technology Inc 71024s12tyi -
RFQ
ECAD 3761 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) 71024S SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе