- запрос цен
- спецификация
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- японский
- корейский
- арабский
- ирландский
- Греческий
- турецкий
- итальянский
- датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Польский
- Баскский
- каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаосский
- албанский
- амхарский
- Армянский
- азербайджанский
- белорусский
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- кебуано
- Чичева
- корсиканец
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинский
- финский
- фризский
- галисийский
- грузинский
- Гуджарати
- гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- яванский
- Каннада
- казахский
- кхмерский
- курдский
- киргизский
- латинский
- латышский
- литовский
- Люксембу..
- македонский
- малагасийский
- малайский
- малаялам
- мальтийский
- маори
- маратхи
- Монгольский
- бирманский
- непальский
- норвежский
- пушту
- персидский
- панджаби
- сербский
- сесото
- сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомали
- Самоанец
- Шотландский гэльский
- Шона
- Синдхи
- суданский
- суахили
- таджикский
- тамильский
- телугу
- тайский
- Украинский
- Урду
- Узбекский
- вьетнамский
- валлийский
- коса
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Киньяруанда
- татарский
- Ория
- туркменский
- уйгурский
Память(158)
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MB85RS64TPNF-G-JNE2 | 1,6913 |  | 8392 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS64TPNF-G-JNE2 | 95 | 10 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 18 нс | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||||||
 | MB85RS4MTPF-G-BCERE1 | 6,8681 | | 9282 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | МБ85РС4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS4MTPF-G-BCERE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 40 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | 9 нс | ФРАМ | 512К х 8 | СПИ | 400 мкс | ||
 | MB85AS4MTPF-G-BCERE1 | - | | 7055 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | МБ85АС4 | ReRAM (резистивная ОЗУ) | 1,65 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 5 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | БАРАН | 512К х 8 | СПИ | 17 мс | |||
| MB85RS256TYPNF-GS-AWE2 | 3.1288 | | 9201 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS256TYPNF-GS-AWE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 13 нс | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | ||
| MB85RS64VYPNF-GS-BCERE1 | 1,6536 | | 8197 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | ||||
| MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2 | 5.4170 | | 7226 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | ||||
| MB85RC256VPF-G-BCERE1 | 3,2589 | | 8743 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | MB85RC256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RC256VPF-G-BCERE1TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 550 нс | ФРАМ | 32К х 8 | I²C | - | ||
 | MB85RC64APNF-G-JNERE1 | 2.2200 | | 36 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 550 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | ||
| MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 | 4,9893 | | 7304 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | ||||
| MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 | 7.5500 | | 1 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS2MTYPNF-GS-AWE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | |||
| MB85RC64VPNF-G-JNE1 | 1,8604 | | 4426 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | 865-MB85RC64VPNF-G-JNE1 | 95 | 1 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 550 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | |||||||
| MB85RC16VPNF-G-AWE2 | 1,1187 | | 1144 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC16 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RC16VPNF-G-AWE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 1 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | 550 нс | ФРАМ | 2К х 8 | I²C | - | ||
| MB85RC512TPNF-G-JNE1 | 4.2289 | | 8015 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RC512TPNF-G-JNE1 | 95 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 130 нс | ФРАМ | 64К х 8 | I²C | - | |||||||
 | MB85R256FPFCN-G-BNDE1 | 6.4066 | | 5969 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | МБ85Р256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 3,6 В | 28-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 865-1170 | EAR99 | 8542.32.0071 | 128 | Энергонезависимый | 256Кбит | 150 нс | ФРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 150 нс | ||
| MB85RS128TYPNF-GS-BCE1 | 2,7060 | | 9340 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS128TYPNF-GS-BCE1TR | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | 13 нс | ФРАМ | 16К х 8 | СПИ | - | |||||||
| MB85RC128APNF-G-JNE1 | 3.4300 | | 11 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC128 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 95 | 1 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | 900 нс | ФРАМ | 16К х 8 | I²C | - | ||
| MB85R4M2TFN-G-JAE2 | 13.0321 | | 1312 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МБ85Р4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3A991B1B1 | 8542.32.0071 | 126 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 150 нс | ФРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 150 нс | ||||
| MB85RS1MTPNF-G-AWE2 | 4.4301 | | 5385 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS1MTPNF-G-AWE2TR | 85 | 40 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | 9 нс | ФРАМ | 128 КБ х 8 | СПИ | - | |||||||
| MB85RS4MLYPF-G-BCE1 | 7.2374 | | 8837 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | МБ85РС4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS4MLYPF-G-BCE1 | EAR99 | 8542.32.0071 | 80 | 50 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ФРАМ | 512К х 8 | СПИ | - | |||
| MB85RS4MTYPF-G-BCERE1 | 7.2374 | | 1922 год | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | МБ85РС4 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ФРАМ | 512К х 8 | СПИ | - | ||||
| MB85RS64VYPNF-G-AWE2 | 1,6913 | | 5111 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | МБ85РС64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОН (2х3) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS64VYPNF-G-AWE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 13 нс | ФРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | ||
| MB85RS2MLYPNF-G-AWE2 | 5.4363 | | 9510 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS2MLYPNF-G-AWE2 | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | |||
| MB85R8M1TABGL-G-JAE1 | 14.3327 | | 6270 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | МБ85Р8 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (8х6) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85R8M1TABGL-G-JAE1 | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | Энергонезависимый | 8 Мбит | 120 нс | ФРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 120 нс | |||
| MB85RS1MTPNF-G-JNE1 | 4,6134 | | 3125 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | - | 865-MB85RS1MTPNF-G-JNE1 | 95 | 40 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | 9 нс | ФРАМ | 128 КБ х 8 | СПИ | - | |||||||
| MB85RS2MLYPN-GS-AWEWE1 | 5.4170 | | 6446 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ВДФН Открытая площадка | МБ85РС2 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,7 В ~ 1,95 В | 8-ДФН (5х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 50 МГц | Энергонезависимый | 2Мбит | ФРАМ | 256К х 8 | СПИ | - | ||||
| MB85RC64VPNF-G-JNERE1 | 1,7324 | | 6310 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | |||
| MB85RC16VPNF-G-AWERE2 | 1,0873 | | 6278 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC16 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RC16VPNF-G-AWERE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | 550 нс | ФРАМ | 2К х 8 | I²C | - | ||
| MB85RC16VPNF-G-JNERE1 | - | | 6539 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC16 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 3 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 16Кбит | 550 нс | ФРАМ | 2К х 8 | I²C | - | |||
| MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 | 1,6900 | | 16 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC64 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 130 нс | ФРАМ | 8К х 8 | I²C | - | |||
| MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | 5,6800 | | 2 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MB85RC512 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 3,4 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 130 нс | ФРАМ | 64К х 8 | I²C | - |
2000+
Среднедневной объем запросов предложений
30 000 000
Стандартная единица продукта
2800+
Мировые производители
15 000 м2
В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)