SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS49NLS18160A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160A-25WBLI 30.5534
RFQ
ECAD 2942 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLS18160A-25WBLI 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 16m x 18 HSTL -
IS46TR16640C-107MBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-107MBLA2-TR 3.8590
RFQ
ECAD 4841 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16640C-107MBLA2-TR 1500 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS29GL128-70FLEB-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70FLEB-TR 4.5047
RFQ
ECAD 3464 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 64-lbga Flash - нет (SLC) 3 В ~ 3,6 В. 64-LFBGA (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS29GL128-70FLEB-TR 2000 NeleTUSHIй 128 мб 70 млн В.С. 16m x 8 CFI 70NS, 200 мкс
IS49RL18320-125FBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-125FBL -
RFQ
ECAD 8407 0,00000000 Issi, ина - МАССА Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 168-lbga Rldram 3 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49RL18320-125FBL Управо 1 800 мг Nestabilnый 576 мб 8 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS43LR16320C-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320C-5BLI-TR 6.1327
RFQ
ECAD 5612 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LR16320C-5BLI-TR 2000 200 мг Nestabilnый 512 мб 5 млн Ддрам 32 м х 16 LVCMOS 15NS
IS46TR16128DL-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-107MBLA1-TR 5.1404
RFQ
ECAD 8120 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16128DL-107MBLA1-TR 1500 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS25LQ512B-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JBLE -
RFQ
ECAD 4790 0,00000000 Issi, ина - МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25LQ512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1323 Ear99 8542.32.0071 90 104 мг NeleTUSHIй 512 В.С. 64K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS42S16100F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-6TL -
RFQ
ECAD 2492 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 166 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42VM16800G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800G-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 9058 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42VM16800 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS46LQ16256A-062TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062TBLA2-TR 14.1246
RFQ
ECAD 4878 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ16256A-062TBLA2-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит 3,5 млн Ддрам 256 м x 16 Lvstl 18ns
IS42S32800B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 7409 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS25WP01G-RILA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP01G-RILA3 13.3836
RFQ
ECAD 7343 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-lbga Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-LFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP01G-RILA3 480 104 мг NeleTUSHIй 1 Гит 10 млн В.С. 128m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS49NLS18160A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160A-25WBL 27.7833
RFQ
ECAD 1384 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLS18160A-25WBL 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 16m x 18 HSTL -
IS26KL512S-DABLI00 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS26KL512S-DABLI00 -
RFQ
ECAD 3738 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-VBGA IS26KL512 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS26KL512S-DABLI00 3A991B1A 8542.32.0071 338 100 мг NeleTUSHIй 512 мб 96 м В.С. 64 м х 8 Парлель -
IS61NLP204818A-166TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP204818A-166TQ-TR -
RFQ
ECAD 1018 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP204818 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 мг Nestabilnый 36 мб 3,5 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS42S83200B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-7TLI -
RFQ
ECAD 8607 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S83200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 8 Парлель -
IS49RL36160A-093FBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160A-093FBL 94.2300
RFQ
ECAD 119 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 168-lbga IS49RL36160 Rldram 3 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49RL36160A-093FBL Ear99 8542.32.0032 119 1 066 ГОГ Nestabilnый 576 мб 7,5 млн Ддрам 16m x 36 Парлель -
IS61WV51216EEALL-20TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEALL-20TLI 7.4957
RFQ
ECAD 7133 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV51216EEALL-20TLI 135 Nestabilnый 8 марта 20 млн Шram 512K x 16 Парлель 20ns
IS25LX128-JHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX128-JHLA3-TR 3.5489
RFQ
ECAD 6927 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25LX128 В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LX128-JHLA3-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS42S32800J-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75ETLI-TR 5.9374
RFQ
ECAD 9907 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS66WV25616BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV25616BLL-55TLI -
RFQ
ECAD 9585 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS66WV25616 PSRAM (Psewdo sram) 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 4 марта 55 м Псром 256K x 16 Парлель 55NS
IS43R32400E-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32400E-5BL-TR 4.2471
RFQ
ECAD 5571 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-LFBGA IS43R32400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 144-LFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 200 мг Nestabilnый 128 мб 700 с Ддрам 4m x 32 Парлель 15NS
IS43R86400D-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5TLI 8.3656
RFQ
ECAD 2664 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R86400 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS46TR16256B-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256B-125KBLA1 8.4090
RFQ
ECAD 5195 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16256B-125KBLA1 Ear99 8542.32.0036 190 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS25WX512M-JHE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX512M-JHE-TR 7.5600
RFQ
ECAD 2425 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25WX512M В.С. 1,7 В ~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WX512M-JHE-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 200 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS42S16160G-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7TLI-TR 6.6224
RFQ
ECAD 8018 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS21TF128G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF128G-JCLI 66.7335
RFQ
ECAD 6275 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS21TF128G-JCLI 152 200 мг NeleTUSHIй 1tbit В.С. 128G x 8 EMMC_5.1 -
IS45S32400F-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-6BLA2 9.5190
RFQ
ECAD 6414 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS45S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS43LD16640D-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640D-18BLI-TR 68495
RFQ
ECAD 4778 0,00000000 Issi, ина * Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LD16640D-18BLI-TR 2000
IS42S86400D-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400D-7TLI 14.1882
RFQ
ECAD 2540 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S86400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 64 м х 8 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе