SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS45S16320F-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7BLA2 15.8813
RFQ
 ECAD 1049 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS42S32160F-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75EBLI-TR 12.9150
RFQ
 ECAD 2785 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS42S16160B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7TL -
RFQ
 ECAD 5263 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42S32200C1-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TL -
RFQ
 ECAD 6490 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3,15 В ~ 3,45 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS62C1024AL-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024AL-35TLI 2.4500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS62C1024 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 156 Nestabilnый 1 март 35 м Шram 128K x 8 Парлель 35NS
IS42S32200C1-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TI-TR -
RFQ
 ECAD 3868 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3,15 В ~ 3,45 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS61LPS25672A-250B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25672A-250B1 -
RFQ
 ECAD 6525 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61LPS25672 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 256K x 72 Парлель -
IS25LQ512B-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JDLE-TR -
RFQ
 ECAD 8195 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) IS25LQ512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-tssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3500 104 мг NeleTUSHIй 512 В.С. 64K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS42VM32400H-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400H-75BLI-TR 4.1105
RFQ
 ECAD 1416 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32400 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 128 мб 6 м Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS61NVP51236B-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236B-200B3I-TR -
RFQ
 ECAD 4796 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NVP51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS46LQ32640AL-062TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062TBLA1 -
RFQ
 ECAD 5977 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32640AL-062TBLA1 136 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 64M x 32 Lvstl 18ns
IS42S32800J-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6TL 6.9700
RFQ
 ECAD 661 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS43LR32640A-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640A-5BLI-TR 12.8850
RFQ
 ECAD 1124 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS43LR32640 SDRAM - DDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-WBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2500 200 мг Nestabilnый 2 Гит 5 млн Ддрам 64M x 32 Парлель 15NS
IS43LD16128B-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-18BLI 11.4046
RFQ
 ECAD 2607 0,00000000 Issi, ина - Поднос Прохл -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA IS43LD16128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 171 533 мг Nestabilnый 2 Гит Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS45S16800F-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-6BLA1-TR 4.8260
RFQ
 ECAD 3191 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS34MW01G164-BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW01G164-BLI-TR 3.4331
RFQ
 ECAD 7691 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 63-VFBGA (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS34MW01G164-BLI-TR 2500 NeleTUSHIй 1 Гит 30 млн В.С. 64 м х 16 Парлель 45NS
IS61VF102418A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-6.5B3 -
RFQ
 ECAD 6047 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VF102418 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS46TR85120AL-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120AL-107MBLA2 -
RFQ
 ECAD 5051 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS46TR85120 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (9x10,5) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR85120AL-107MBLA2 Ear99 8542.32.0036 136 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 512M x 8 Парлель 15NS
IS46QR16512A-083TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-083TBLA1-TR 18.9924
RFQ
 ECAD 5318 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 96-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46QR16512A-083TBLA1-TR 2000 1,2 -е Nestabilnый 8 Гит 18 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS62WV10248HBLL-45B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45B2LI 4.1520
RFQ
 ECAD 1967 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS62WV10248HBLL-45B2LI 480 Nestabilnый 8 марта 45 м Шram 1m x 8 Парлель 45NS
IS42S16160J-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6BLI-TR 2.9790
RFQ
 ECAD 5683 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS62WV5128BLL-55T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55T2LI-TR 3.3915
RFQ
 ECAD 8226 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-soic (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS62WV5128 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 32-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 512K x 8 Парлель 55NS
IS49NLC96400-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400-25B -
RFQ
 ECAD 1539 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC96400 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 64M x 9 Парлель -
IS43R86400D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6TLI-TR 7,5000
RFQ
 ECAD 8559 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS42S32160A-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160A-75BLI -
RFQ
 ECAD 1001 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-LFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1062 Ear99 8542.32.0024 144 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS43TR82560CL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-125KBL-TR 3.8489
RFQ
 ECAD 7671 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR82560CL-125KBL-TR 2000 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS62WV25616BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55TI-TR -
RFQ
 ECAD 8017 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV25616 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 256K x 16 Парлель 55NS
IS61LF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3I-TR -
RFQ
 ECAD 6667 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS46TR16128A-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128A-15HBLA2 -
RFQ
 ECAD 4514 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS62WV6416FBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416FBLL-45TLI 1.5722
RFQ
 ECAD 2647 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS62WV6416FBLL-45TLI 135 Nestabilnый 1 март 45 м Шram 64K x 16 Парлель 45NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть