SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верна, аписи -
W25M02GWZEIT Winbond Electronics W25M02GWZEIT -
RFQ
ECAD 4089 0,00000000 Винбонд Spiflash® Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25M02 Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25M02GWZEIT 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 мг NeleTUSHIй 2 Гит 8 млн В.С. 256 м х 8 SPI - Quad I/O 700 мкс
W632GG8NB15I TR Winbond Electronics W632GG8NB15I Tr 4.6281
RFQ
ECAD 3659 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-VFBGA W632GG8 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-VFBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W632GG8NB15ITR Ear99 8542.32.0036 2000 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 SSTL_15 15NS
W25Q64CVZPAG Winbond Electronics W25Q64CVZPAG -
RFQ
ECAD 3243 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25Q64 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q64CVZPAG Управо 1 80 мг NeleTUSHIй 64 марта 6 м В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
W29N08GVSIAA Winbond Electronics W29N08GVSIAA 17.4700
RFQ
ECAD 93 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48 т СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 256-W29N08GVSIAA 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 8 Гит 25 млн В.С. 1G x 8 Парлель 25NS, 700 мкс
W25Q81EWSSSG Winbond Electronics W25Q81EWSSSG -
RFQ
ECAD 6779 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) W25Q81 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт - 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q81EWSSSG 1 104 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O -
W63AH2NBVADE TR Winbond Electronics W63AH2NBVADE TR 4.1409
RFQ
ECAD 3602 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 178-VFBGA W63AH2 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 178-VFBGA (11x11,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W63AH2NBVADETR Ear99 8542.32.0032 2000 1 066 ГОГ Nestabilnый 1 Гит 5,5 млн Ддрам 32 м x 32 HSUL_12 15NS
W66CP2NQUAGJ TR Winbond Electronics W66cp2nquagj tr 6.6300
RFQ
ECAD 7321 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200-WFBGA W66CP2 SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200-WFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W66CP2NQUAGJTR Ear99 8542.32.0036 2500 2,133 Гер Nestabilnый 4 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 32 Lvstl_11 18ns
W66BL6NBUAGJ Winbond Electronics W66bl6nbuagj 6.8078
RFQ
ECAD 1650 0,00000000 Винбонд - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200-WFBGA W66bl6 SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200-WFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W66BL6NBUAGJ Ear99 8542.32.0036 144 1866 г Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 16 Lvstl_11 18ns
W25Q40EWZPBG Winbond Electronics W25Q40EWZPBG -
RFQ
ECAD 7608 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25Q40 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) - 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q40EWZPBG Управо 1 104 мг NeleTUSHIй 4 марта 6 м В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O, QPI 30 мкс, 800 мкс
W74M25JWZPIQ TR Winbond Electronics W74M25JWZPIQ TR 3.7350
RFQ
ECAD 8226 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W74M25 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W74M25JWZPIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5000 104 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 - -
W632GU8NB-11 TR Winbond Electronics W632GU8NB-11 Tr 4.2018
RFQ
ECAD 6444 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-VFBGA W632GU8 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-VFBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W632GU8NB-11TR Ear99 8542.32.0036 2000 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
W632GG6AB-15 Winbond Electronics W632GG6AB-15 -
RFQ
ECAD 7614 0,00000000 Винбонд - Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 95 ° C (TC) - - W632GG6 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель -
W25N02KWZEIR TR Winbond Electronics W25N02Kwzeir tr 3.6129
RFQ
ECAD 6953 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 256-W25N02Kwzeirtrt 3A991B1A 8542.32.0071 4000 104 мг NeleTUSHIй 2 Гит 8 млн В.С. 256 м х 8 SPI - Quad I/O 700 мкс
W97AH2NBVA1I Winbond Electronics W97ah2nbva1i 5.6900
RFQ
ECAD 117 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-VFBGA W97AH2 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4B 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 134-VFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W97ah2nbva1i Ear99 8542.32.0032 168 533 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 32 м x 32 HSUL_12 15NS
W25Q80BVSSSG Winbond Electronics W25Q80BVSSSG -
RFQ
ECAD 5839 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) W25Q80 Flash - нет 2,5 В ~ 3,6 В. 8 лейт - 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q80BVSSSG Управо 1 104 мг NeleTUSHIй 8 марта 6 м В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
W74M25JVZEIQ Winbond Electronics W74M25JVZEIQ 4.8800
RFQ
ECAD 1588 0,00000000 Винбонд Spiflash® Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W74M25 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W74M25JVZEIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 80 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
W9464G6JH-5I Winbond Electronics W9464G6JH-5I -
RFQ
ECAD 9301 0,00000000 Винбонд - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) W9464G6 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 200 мг Nestabilnый 64 марта 55 м Ддрам 4m x 16 Парлель 15NS
W25Q128JVFJM TR Winbond Electronics W25Q128JVFJM Tr -
RFQ
ECAD 9255 0,00000000 Винбонд Spiflash® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) W25Q128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH W25Q128JVFJMTR 3A991B1A 8542.32.0071 1000 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 3 мс
W25Q32FWXGBQ Winbond Electronics W25Q32FWXGBQ -
RFQ
ECAD 5046 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xdfn otkrыtai-anploщaudka W25Q32 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-xson (4x4) - 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q32FWXGBQ Управо 1 104 мг NeleTUSHIй 32 мб 6 м В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 мкс, 5 мс
W25Q16JVZPAM Winbond Electronics W25Q16JVZPAM -
RFQ
ECAD 7745 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25Q16 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) - 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q16JVZPAM 1 133 мг NeleTUSHIй 16 марта 6 м В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 3 мс
W25R128JWPIQ Winbond Electronics W25R128JWPIQ 3.1100
RFQ
ECAD 569 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25R128 Flash - нет 1,7 В ~ 1,95 В. 8-Wson (6x5) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25R128JWPIQ 3A991B1A 8542.32.0071 570 104 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI -
W25Q80DVSNSG Winbond Electronics W25Q80DVSNSG -
RFQ
ECAD 1843 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) W25Q80 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт - 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q80DVSNSG 1 104 мг NeleTUSHIй 8 марта 6 м В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O 30 мкс, 3 мс
W25Q16BVZPIG Winbond Electronics W25Q16BVZPIG -
RFQ
ECAD 5082 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25Q16 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
W98AD2KBJX6E TR Winbond Electronics W98AD2KBJX6E TR -
RFQ
ECAD 9224 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2500
W25Q32BVSSAG Winbond Electronics W25Q32BVSSAG -
RFQ
ECAD 7407 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) W25Q32 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт - 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q32BVSSAG Управо 1 104 мг NeleTUSHIй 32 мб 5 млн В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
W25R128JVPIQ Winbond Electronics W25R128JVPIQ 2.1494
RFQ
ECAD 2946 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25R128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25R128JVPIQ 3A991B1A 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O 3 мс
W25Q32JVZEJM Winbond Electronics W25Q32JVZEJM -
RFQ
ECAD 1704 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25Q32 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1 133 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O 3 мс
W74M00AVSNIG TR Winbond Electronics W74M00AVSNIG TR 0,8263
RFQ
ECAD 2752 0,00000000 Винбонд - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W74M00AVSNIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 80 мг NeleTUSHIй - В.С. - -
W631GU6NB09I Winbond Electronics W631GU6NB09I 4.9700
RFQ
ECAD 192 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-VFBGA W631GU6 SDRAM - DDR3L 1 283 $ 1,45, 1425 ЕГО ~ 1575 96-VFBGA (7,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W631GU6NB09I Ear99 8542.32.0032 198 1 066 ГОГ Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
W25Q80DVWS Winbond Electronics W25Q80DVWS -
RFQ
ECAD 4224 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) - - W25Q80 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. - - 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q80DVWS 1 104 мг NeleTUSHIй 8 марта 6 м В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O 30 мкс, 3 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе