- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синдхи
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
СПАМАТА (847)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25WD20EK6IGR | 0,3368 |  | 6405 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-xfdfn oTkrыTAIN-AN-PloщaDCA | Flash - нет (SLC) | 1,65, ~ 3,6 В. | 8-Uson (1,5x1,5) | СКАХАТА | 1970-GD25WD20EK6IGRTR | 3000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 2 марта | 6 м | В.С. | 256K x 8 | Spi - dvoйnoйВон | 100 мкс, 6 мс | |||||||
| GD25LB256EFIRR | 2.4606 | | 7001 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 16-Sop | СКАХАТА | 1970-GD25LB256EFIRRTR | 1000 | 166 мг | NeleTUSHIй | 256 мб | 6 м | В.С. | 32 м х 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 70 мкс, 1,2 мс | |||||||
| GD5F1GM7UEWIGY | 2.0685 | | 9754 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - nand (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Wson (5x6) | СКАХАТА | 1970-GD5F1GM7UEWIGY | 5700 | 133 мг | NeleTUSHIй | 1 Гит | 7 млн | В.С. | 256 м х 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 мкс | |||||||
| GD25LD40EKIGR | 0,3619 | | 4375 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LD | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-xfdfn oTkrыTAIN-AN-PloщaDCA | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Uson (1,5x1,5) | СКАХАТА | 1970-GD25LD40EKIGRTR | 3000 | 50 мг | NeleTUSHIй | 4 марта | 12 млн | В.С. | 512K x 8 | Spi - dvoйnoйВон | 100 мкс, 6 мс | |||||||
| GD55LX01GEFIRR | 18.7900 | | 5406 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | - | Пефер | 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 16-Sop | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 1000 | 200 месяцев | NeleTUSHIй | 1 Гит | В.С. | 128m x 8 | Spi - ВОЗИМОГОВОД | - | ||||||
| GD25Q40ETJGR | 0,3640 | | 9044 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | Flash - нет (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Sop | СКАХАТА | 1970-GD25Q40ETJGRTR | 3000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 4 марта | 7 млн | В.С. | 512K x 8 | SPI - Quad I/O | 140 мкс, 4 мс | |||||||
| GD25LB512Meyigy | 4.5752 | | 9443 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Wson (6x8) | СКАХАТА | 1970-GD25LB512Meyigy | 4800 | 133 мг | NeleTUSHIй | 512 мб | В.С. | 64 м х 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD25WQ128EWIGY | 1.3445 | | 6874 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - нет (SLC) | 1,65, ~ 3,6 В. | 8-Wson (5x6) | СКАХАТА | 1970-GD25WQ128EWIGY | 5700 | 104 мг | NeleTUSHIй | 128 мб | 8 млн | В.С. | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 120 мкс, 4 мс | |||||||
| GD25LQ32ETIGY | 0,6080 | | 4126 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Sop | СКАХАТА | 1970-GD25LQ32ETIGY | 4320 | 133 мг | NeleTUSHIй | 32 мб | 6 м | В.С. | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 мкс, 2,4 мс | |||||||
| GD5F2GQ5UEYIHY | 3.9235 | | 4314 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - nand (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Wson (6x8) | - | 1970-GD5F2GQ5UEYIHY | 4800 | 104 мг | NeleTUSHIй | 2 Гит | 9 млн | В.С. | 512M x 4 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 600 мкс | |||||||
| GD25B256EFIRR | 2.4461 | | 8258 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | Flash - нет (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 16-Sop | СКАХАТА | 1970-GD25B256EFIRRTR | 1000 | NeleTUSHIй | 256 мб | В.С. | 32 м х 8 | SPI - Quad I/O | - | |||||||||
 | GD25Q80CTIGR | 0,6100 | | 30 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Lenta и катахка (tr) | В аспекте | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | GD25Q80 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Sop | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 3000 | 120 мг | NeleTUSHIй | 8 марта | В.С. | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 мкс, 2,4 мс | |||
| GD25F128FB2RY | 2.2364 | | 9481 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 24-TBGA | Flash - нет (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25F128FB2RY | 4800 | 200 месяцев | NeleTUSHIй | 128 мб | В.С. | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
| GD5F4GQ6UEYIGY | 6.6500 | | 4052 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - nand (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Wson (6x8) | СКАХАТА | 1970-GD5F4GQ6UEYIGY | 4800 | 104 мг | NeleTUSHIй | 4 Гит | 9 млн | В.С. | 512M x 8 | SPI - Quad I/O | 600 мкс | |||||||
| GD55LE511Mewigy | 4.1663 | | 2768 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Поднос | Актифен | - | 1970-gd55le511mewigy | 5700 | |||||||||||||||||||||
| GD25LQ128DW2GR | 2.2408 | | 8751 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Wson (5x6) | - | 1970-GD25LQ128DW2GRTR | 3000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 128 мб | 6 м | В.С. | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 2,4 мс | |||||||
| GD25LB512meyigr | 4.6509 | | 1068 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Wson (6x8) | СКАХАТА | 1970-GD25LB512Meyigrtr | 3000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 512 мб | В.С. | 64 м х 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD25S512MDYEGR | 6.0164 | | 9308 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25S | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - нет (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Wson (6x8) | СКАХАТА | 1970-GD25S512MDYEGRTR | 3000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 512 мб | 7 млн | В.С. | 64 м х 8 | SPI - Quad I/O | 60 мкс, 2,5 мс | |||||||
| GD25X512MEF2RR | 12.9053 | | 2768 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25X | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | Flash - нет (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 16-Sop | - | 1970-GD25X512MEF2RRTR | 1000 | 200 месяцев | NeleTUSHIй | 512 мб | В.С. | 64 м х 8 | Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД | - | ||||||||
 | GD25LD05CEIGR | 0,2725 | | 3135 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-xfdfn oTkrыTAIN-AN-PloщaDCA | GD25LD05 | Flash - нет | 1,65 -~ 2 В. | 8-Uson (2x3) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 3000 | 50 мг | NeleTUSHIй | 512 | В.С. | 64K x 8 | Spi - dvoйnoйВон | 55 мкс, 6 мс | |||
 | GD5F1GQ4RF9IGR | - | | 8267 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-Vlga-stavalennamannyamnanny-ploщadka | GD5F1GQ4 | Flash - nand | 1,7 В ~ 2 В. | 8-LGA (6x8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3000 | 120 мг | NeleTUSHIй | 1 Гит | В.С. | 128m x 8 | SPI - Quad I/O | 700 мкс | |||
| GD25VQ16CSIGR | - | | 9920 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) | GD25VQ16 | Flash - нет | 2,3 В ~ 3,6 В. | 8-Sop | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 2000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 16 марта | В.С. | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 мкс, 3 мс | |||
 | GD5F4GQ4RBYIGR | - | | 8884 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | GD5F4GQ4 | Flash - nand | 1,7 В ~ 2 В. | 8-Wson (6x8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3000 | 120 мг | NeleTUSHIй | 4 Гит | В.С. | 512M x 8 | SPI - Quad I/O | ||||
| GD25VE16CTIGR | - | | 8137 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | GD25VE16 | Flash - нет | 2,1 В ~ 3,6 В. | 8-Sop | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 3000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 16 марта | В.С. | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| GD25LQ32EQEGR | 0,9828 | | 3861 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 8-xdfn otkrыtai-anploщaudka | Flash - нет (SLC) | 1,65 -~ 2 В. | 8-Uson (4x4) | СКАХАТА | 1970-GD25LQ32EQEGRTR | 3000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 32 мб | 6 м | В.С. | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 100 мкс, 4 мс | |||||||
| GD25WD05CTIGR | - | | 9512 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Lenta и катахка (tr) | Пркрэно | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | GD25WD05 | Flash - нет | 1,65, ~ 3,6 В. | 8-Sop | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 3000 | 100 мг | NeleTUSHIй | 512 | В.С. | 64K x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| GD9FS2G8F2ALGI | 4.7455 | | 9013 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 63-VFBGA | Flash - nand (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В. | 63-FBGA (9x11) | СКАХАТА | 1970-gd9fs2g8f2algi | 2100 | NeleTUSHIй | 2 Гит | 20 млн | В.С. | 256 м х 8 | Onfi | 25NS | ||||||||
| GD5F4GM8UEYIGY | 55550 | | 3581 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - nand (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Wson (6x8) | СКАХАТА | 1970-GD5F4GM8UEYIGY | 4800 | 133 мг | NeleTUSHIй | 4 Гит | 7 млн | В.С. | 1G x 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 мкс | |||||||
| GD5F1GQ5UEYIHR | 2.3508 | | 9700 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | Flash - nand (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-Wson (6x8) | - | 1970-GD5F1GQ5UEYIHRTR | 3000 | 133 мг | NeleTUSHIй | 1 Гит | 7 млн | В.С. | 256 м х 4 | SPI - Quad I/O, DTR | 600 мкс | |||||||
| GD25LQ64CQIGR | - | | 9390 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-xdfn otkrыtai-anploщaudka | GD25LQ64 | Flash - нет | 1,65 -~ 2 В. | 8-Uson (4x4) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3000 | 120 мг | NeleTUSHIй | 64 марта | В.С. | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 2,4 мс |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)