SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Епако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
GD25Q64EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EYJGR 1.0249
RFQ
ECAD 8062 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x8) СКАХАТА 1970-GD25Q64EYJGRTR 3000 133 мг NeleTUSHIй 64 марта 7 млн В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 140 мкс, 4 мс
GD25LQ64EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EQEGR 1.2496
RFQ
ECAD 5677 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8-xdfn otkrыtai-anploщaudka Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Uson (4x4) СКАХАТА 1970-GD25LQ64EQEGRTR 3000 133 мг NeleTUSHIй 64 марта 6 м В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 100 мкс, 4 мс
GD9FS1G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F3ALGI 2.6557
RFQ
ECAD 4718 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Поднос Актифен - 1970-GD9FS1G8F3Algi 2100
GD25Q127CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSIG 1.2501
RFQ
ECAD 4780 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Трубка В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) GD25Q127 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 9500 104 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O 12 мкс, 2,4 мс
GD25D80CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CKIGR 0,5700
RFQ
ECAD 23 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA GD25D80 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Uson (1,5x1,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 100 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 Spi - dvoйnoйВон 50 мкс, 4 мс
GD25F256FB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FB2RY 3.4593
RFQ
ECAD 6033 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25F Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25F256FB2RY 4800 200 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O -
GD25VQ16CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CEIGR -
RFQ
ECAD 6231 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA GD25VQ16 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Uson (2x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 104 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
GD25LQ40ET2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ET2GY 0,5373
RFQ
ECAD 4717 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Sop - 1970-GD25LQ40ET2GY 4320 133 мг NeleTUSHIй 4 марта 6 м В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O 60 мкс, 2,4 мс
GD55LT512WEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT512WEBIRY 5.4414
RFQ
ECAD 5146 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LT512WEBIRY 4800 166 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1,2 мс
GD25Q64CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJGR 1.5500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) GD25Q64 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2000 120 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 2,4 мс
GD25LF32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF32enegr 0,9817
RFQ
ECAD 9351 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8-udfn oTkrыtaiNA-anploщadka Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Uson (3x4) СКАХАТА 1970-GD25LF32enegrtr 3000 133 мг NeleTUSHIй 32 мб 5,5 млн В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 100 мкс, 4 мс
GD25Q128EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128Eyigy 1.2080
RFQ
ECAD 1668 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x8) СКАХАТА 1970-GD25Q128Eyigy 4800 133 мг NeleTUSHIй 128 мб 7 млн В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O 70 мкс, 2,4 мс
GD25LQ80EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80EEGR 0,4368
RFQ
ECAD 6050 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Uson (3x2) СКАХАТА 1970-GD25LQ80EEIGRTR 3000 133 мг NeleTUSHIй 8 марта 6 м В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 мкс, 2,4 мс
GD25Q32CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CBIGY -
RFQ
ECAD 1367 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA GD25Q32 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4800 120 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 2,4 мс
GD25LQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CEIGR -
RFQ
ECAD 2521 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA GD25LQ20 Flash - нет 1,65, ~ 2,1 В. 8-Uson (2x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 104 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 2,4 мс
GD25B512MEYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512Meyegr 6.0164
RFQ
ECAD 5649 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x8) СКАХАТА 1970-GD25B512Meyegrtr 3000 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD25LX256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX256EFIRR 5.3600
RFQ
ECAD 9298 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 16-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 1000 200 мг NeleTUSHIй 256 мб 6 м В.С. 32 м х 8 Spi - ВОЗИМОГОВОД 50 мкс, 1,2 мс
GD25LQ32EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EIGR 0,7020
RFQ
ECAD 8164 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Uson (3x2) СКАХАТА 1970-GD25LQ32EEGRTR 3000 133 мг NeleTUSHIй 32 мб 6 м В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 мкс, 2,4 мс
GD25Q16ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETJGR 0,5515
RFQ
ECAD 7734 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Sop СКАХАТА 1970-GD25Q16ETJGRTR 3000 133 мг NeleTUSHIй 16 марта 7 млн В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 140 мкс, 4 мс
GD25WD20CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CKIGR 0,3619
RFQ
ECAD 9413 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA Flash - нет (SLC) 1,65, ~ 3,6 В. 8-Uson (1,5x1,5) СКАХАТА 1970-GD25WD20CKIGRTR 3000 100 мг NeleTUSHIй 2 марта 12 млн В.С. 256K x 8 Spi - dvoйnoйВон 97 мкс, 6 мс
GD55LX02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX02GEBIRY 26.2542
RFQ
ECAD 8747 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LX02GEBIRY 4800 166 мг NeleTUSHIй 2 Гит В.С. 256 м х 8 Spi - ВОЗИМОГОВОД -
GD25LE64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ESIGR 0,8045
RFQ
ECAD 7779 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Sop СКАХАТА 1970-GD25LE64ESIGRTR 2000 133 мг NeleTUSHIй 64 марта 6 м В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 мкс, 2,4 мс
GD25B256EFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EFIGR 2.3755
RFQ
ECAD 7941 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 16-Sop СКАХАТА 1970-GD25B256EFIGRTR 1000 NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O -
GD25LQ128DBAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DBagy 2.5210
RFQ
ECAD 8554 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25LQ128DBagy 4800 104 мг NeleTUSHIй 128 мб 6 м В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 4 мс
GD25LQ64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CWIGR 1.5800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o GD25LQ64 Flash - нет 1,65 -~ 2 В. 8-Wson (5x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 3000 120 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 2,4 мс
GD25Q16EEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EEJGR 0,5939
RFQ
ECAD 8216 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Uson (3x2) СКАХАТА 1970-GD25Q16EEJGRTR 3000 133 мг NeleTUSHIй 16 марта 7 млн В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 140 мкс, 4 мс
GD55B02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEB2RY 26.6125
RFQ
ECAD 7728 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55B Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55B02GEB2RY 4800 133 мг NeleTUSHIй 2 Гит В.С. 256 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD25LB512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512Mebiry 4.6550
RFQ
ECAD 1734 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА 1970-GD25LB512Mebiry 4800 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD55LB01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEFIRR 9.2951
RFQ
ECAD 9808 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 16-Sop СКАХАТА 1970-GD55LB01GEFIRRTRTRTRTRTRT 1000 166 мг NeleTUSHIй 1 Гит 6 м В.С. 128m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 70 мкс, 1,2 мс
GD25LD05CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD05CKIGR 0,2865
RFQ
ECAD 1092 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Uson (1,5x1,5) СКАХАТА 1970-GD25LD05CKIGRTR 3000 50 мг NeleTUSHIй 512 12 млн В.С. 64K x 8 Spi - dvoйnoйВон 55 мкс, 6 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе