SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Епако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
GD25LF255EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF255EWIGY 2.1590
RFQ
ECAD 8261 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Wson (5x6) СКАХАТА 1970-GD25LF25555EWIGY 5700 166 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD5F2GQ5UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIGR 3.9884
RFQ
ECAD 8461 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5F Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x8) СКАХАТА 1970-gd5f2gq5ueyigrtr 3000 104 мг NeleTUSHIй 2 Гит 9 млн В.С. 256 м х 8 SPI - Quad I/O 600 мкс
GD25LX512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX512MEB2RY 10.5735
RFQ
ECAD 4718 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25LX512MEB2RY 4800 200 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 Spi - ВОЗИМОГОВОД -
GD25Q64EWEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EWEGR 1.1653
RFQ
ECAD 9016 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (5x6) СКАХАТА 1970-GD25Q64EWEGRTR 3000 133 мг NeleTUSHIй 64 марта 7 млн В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 140 мкс, 4 мс
GD55LX02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX02GEB2RY 41.2965
RFQ
ECAD 8222 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LX02GEB2RY 4800 166 мг NeleTUSHIй 2 Гит В.С. 256 м х 8 Spi - ВОЗИМОГОВОД -
GD25WD40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40CEIGR 0,3752
RFQ
ECAD 7679 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA GD25WD40 Flash - нет 1,65, ~ 3,6 В. 8-Uson (2x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O -
GD25Q128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128ESIGR 1.9300
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) GD25Q128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2000 133 мг NeleTUSHIй 128 мб 7 млн В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O 70 мкс, 2,4 мс
GD25Q16CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJGR 0,6937
RFQ
ECAD 9373 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) GD25Q16 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 2000 120 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 2,4 мс
GD25VQ40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ40CEIGR -
RFQ
ECAD 6660 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA GD25VQ40 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Uson (2x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 104 мг NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
GD25B512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512Meyigy 4.2560
RFQ
ECAD 2864 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x8) СКАХАТА 1970-GD25B512Meyigy 4800 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD55B01GEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEY2GY 13.1250
RFQ
ECAD 2399 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55B Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x8) - 1970-GD55B01GEY2GY 8542.32.0071 4800 133 мг NeleTUSHIй 1 Гит В.С. 128m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD25B256EFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EFIRY 2.4461
RFQ
ECAD 9293 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 16-Sop СКАХАТА 1970-GD25B256EFIRY 1760 NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O -
GD5F2GQ4RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4RF9IGY -
RFQ
ECAD 6035 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-Vlga-stavalennamannyamnanny-ploщadka GD5F2GQ4 Flash - nand 1,7 В ~ 2 В. 8-LGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4800 120 мг NeleTUSHIй 2 Гит В.С. 256 м х 8 SPI - Quad I/O 700 мкс
GD25WQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128EWIGR 1.4385
RFQ
ECAD 7179 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 1,65, ~ 3,6 В. 8-Wson (5x6) СКАХАТА 1970-GD25WQ128EWIGRTR 3000 104 мг NeleTUSHIй 128 мб 8 млн В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O 120 мкс, 4 мс
GD25LQ16CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CNIGR 1.0600
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-udfn oTkrыtaiNA-anploщadka GD25LQ16 Flash - нет 1,65, ~ 2,1 В. 8-Uson (4x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 104 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 2,4 мс
GD25LF255ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF255ELIGR 2.3876
RFQ
ECAD 7722 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Uson (3x2) СКАХАТА 1970-GD25LF25555ELIGRTR 3000 166 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD55LT01GEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEY2GY 16.9841
RFQ
ECAD 7137 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Wson (6x8) - 1970-GD55LT01GEY2GY 4800 NeleTUSHIй 1 Гит В.С. 128m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR -
GD25LE255ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE255ELIGR 2.4585
RFQ
ECAD 4956 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Uson (3x2) СКАХАТА 1970-GD25LE25555ELIGRTR 3000 133 мг NeleTUSHIй 256 мб 6 м В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 мкс, 2,4 мс
GD25VQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CTIGR -
RFQ
ECAD 6230 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) GD25VQ20 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 104 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
GD25LQ16CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CWIGR -
RFQ
ECAD 8392 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o GD25LQ16 Flash - нет 1,65, ~ 2,1 В. 8-Wson (5x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 104 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 2,4 мс
GD25VQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CTIG -
RFQ
ECAD 9944 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) GD25VQ16 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 20 000 104 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 3 мс
GD25Q16CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CNIGR -
RFQ
ECAD 7715 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-udfn oTkrыtaiNA-anploщadka GD25Q16 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Uson (4x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 120 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 2,4 мс
GD25B64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B64EWIGR 1.4100
RFQ
ECAD 2128 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (5x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3000 133 мг NeleTUSHIй 64 марта 7 млн В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 70 мкс, 2,4 мс
GD25B16EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16EEAGR 0,8845
RFQ
ECAD 5550 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Uson (3x2) - 1970-GD25B16EEAGRTR 3000 NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O -
GD25Q40CT2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CT2GR 0,4949
RFQ
ECAD 9389 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Sop - 1970-GD25Q40CT2GRTR 3000 80 мг NeleTUSHIй 4 марта 7 млн В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O 60 мкс, 4 мс
GD25LQ80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CEIGR -
RFQ
ECAD 4175 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA GD25LQ80 Flash - нет 1,65, ~ 2,1 В. 8-Uson (2x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 104 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 2,4 мс
GD25LE32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32ENIGR 0,7090
RFQ
ECAD 6615 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-udfn oTkrыtaiNA-anploщadka Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Uson (3x4) СКАХАТА 1970-GD25LE32EIGRTR 3000 133 мг NeleTUSHIй 32 мб 6 м В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 мкс, 2,4 мс
GD25Q64CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJG -
RFQ
ECAD 5785 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) GD25Q64 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 9500 120 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 2,4 мс
GD25VE40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CEIGR -
RFQ
ECAD 6852 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA GD25VE40 Flash - нет 2,1 В ~ 3,6 В. 8-Uson (2x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 104 мг NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O -
GD25WD05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CEIGR 0,2885
RFQ
ECAD 1652 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA GD25WD05 Flash - нет 1,65, ~ 3,6 В. 8-Uson (2x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 100 мг NeleTUSHIй 512 В.С. 64K x 8 SPI - Quad I/O -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе