SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
GD25LQ20CE2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CE2GR 0,5678
RFQ
ECAD 2925 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-xfdfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA Flash - нет (SLC) 1,65, ~ 2,1 В. 8-Uson (3x2) - 1970-GD25LQ20CE2GRTR 3000 90 мг NeleTUSHIй 2 марта 7 млн В.С. 256K x 8 SPI - Quad I/O 80 мкс, 3 мс
GD25Q80EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80EWIGR 0,6700
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o GD25Q80 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (5x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 133 мг NeleTUSHIй 8 марта 7 млн В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O 70 мкс, 2 мс
GD25WD80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80CSIGR 0,3786
RFQ
ECAD 5299 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) Flash - нет (SLC) 1,65, ~ 3,6 В. 8-Sop СКАХАТА 1970-GD25WD80CSIGRTR 2000 100 мг NeleTUSHIй 8 марта 12 млн В.С. 1m x 8 Spi - dvoйnoйВон 60 мкс, 6 мс
GD25LT256EYAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EYAGR 5.8677
RFQ
ECAD 2495 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Wson (6x8) - 1970-GD25LT256EYAGRTR 3000 166 мг NeleTUSHIй 256 мб 6 м В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 140 мкс, 3 мс
GD25Q16CTJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CTJG -
RFQ
ECAD 7744 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) GD25Q16 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 20 000 120 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 2,4 мс
GD25Q16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CTIG 0,3366
RFQ
ECAD 5701 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Трубка В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) GD25Q16 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 20 000 120 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 2,4 мс
GD25UF64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25UF64ESIGY 0,9547
RFQ
ECAD 4911 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25UF Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) Flash - нет (SLC) 1,14 n 1,26 8-Sop - 1970-GD25UF64ESIGY 3000 120 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, DTR -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе