SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
N25Q128A13BSFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13BSFH0F Tr -
RFQ
ECAD 2483 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) N25Q128A13 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16-й СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 108 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 32 м x 4 SPI 8 мс, 5 мс
N25W032A11EF640F TR Micron Technology Inc. N25W032A11EF640F Tr -
RFQ
ECAD 6897 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-vdfn oTkrыTAIN N25W032 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 8-VDFPN (6x5) (MLP8) - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 4000 108 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 8m x 4 SPI -
NAND256W3A0BN6F TR Micron Technology Inc. NAND256W3A0BN6F Tr -
RFQ
ECAD 6763 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) NAND256 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1500 NeleTUSHIй 256 мб 50 млн В.С. 32 м х 8 Парлель 50NS
PC28F256P30BFB TR Micron Technology Inc. PC28F256P30BFB TR -
RFQ
ECAD 8357 0,00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-TBGA PC28F256 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 64-айсибга (10x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 2000 52 мг NeleTUSHIй 256 мб 100 млн В.С. 16m x 16 Парлель 100ns
PC48F4400P0VB02F TR Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB02F Tr -
RFQ
ECAD 6250 0,00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 64-lbga PC48F4400 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 64-айсибга (10x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 2000 52 мг NeleTUSHIй 512 мб 85 м В.С. 32 м х 16 Парлель 85ns
PZ28F032M29EWBB TR Micron Technology Inc. PZ28F032M29EWBB Tr -
RFQ
ECAD 6861 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA PZ28F032M29 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48-BGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 2500 NeleTUSHIй 32 мб 60 млн В.С. 4m x 8, 2m x 16 Парлель 60ns
JS28F256M29EWHD Micron Technology Inc. JS28F256M29EWHD -
RFQ
ECAD 5766 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) JS28F256M29 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 56-geantrow СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 256 мб 110 млн В.С. 32m x 8, 16m x 16 Парлель 110ns
M25P128-VME6GB Micron Technology Inc. M25P128-VME6GB -
RFQ
ECAD 6983 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-vdfn oTkrыTAIN M25P128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-VDFPN (MLP8) (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 320 54 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI 15 мс, 5 мс
M25P16-VMN3YPB Micron Technology Inc. M25P16-VMN3YPB -
RFQ
ECAD 4965 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) M25P16 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 280 75 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI 15 мс, 5 мс
M29W128GH70ZS3E Micron Technology Inc. M29W128GH70ZS3E -
RFQ
ECAD 5437 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 64-lbga M29W128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 64-FBGA (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 160 NeleTUSHIй 128 мб 70 млн В.С. 16m x 8, 8m x 16 Парлель 70NS
M29W256GL7AZA6E Micron Technology Inc. M29W256GL7AZA6E -
RFQ
ECAD 8919 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-TBGA M29W256 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 64-TBGA (10x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 136 NeleTUSHIй 256 мб 70 млн В.С. 32m x 8, 16m x 16 Парлель 70NS
M29W320DB7AN6E Micron Technology Inc. M29W320DB7AN6E -
RFQ
ECAD 1730 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) M29W320 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 32 мб 70 млн В.С. 4m x 8, 2m x 16 Парлель 70NS
MTFC8GLVEA-1F WT TR Micron Technology Inc. MTFC8GLEA-1F WT Tr -
RFQ
ECAD 4410 0,00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-WFBGA MTFC8 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 153-WFBGA (11,5x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 64 Гит В.С. 8G x 8 MMC -
MTFC8GLVEA-1M WT TR Micron Technology Inc. MTFC8GleA-1M WT Tr -
RFQ
ECAD 3563 0,00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Lenta и катахка (tr) Управо -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-WFBGA MTFC8 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 153-WFBGA (11,5x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 64 Гит В.С. 8G x 8 MMC -
MT29F128G08AMCABH2-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABH2-10Z: a -
RFQ
ECAD 1542 0,00000000 Micron Technology Inc. - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-TBGA MT29F128G08 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 100-TBGA (12x18) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1120 100 мг NeleTUSHIй 128 Гит В.С. 16G x 8 Парлель -
MT29F128G08AMCABK3-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABK3-10Z: a -
RFQ
ECAD 6593 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F128G08 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. - - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 100 мг NeleTUSHIй 128 Гит В.С. 16G x 8 Парлель -
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAMD-IT: E. -
RFQ
ECAD 6194 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 130-VFBGA MT29F1G16 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 130-VFBGA (8x9) - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 1 Гит В.С. 64 м х 16 Парлель -
MT29F256G08CMCABK3-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABK3-10Z: a -
RFQ
ECAD 6676 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер - MT29F256G08 Flash - nand (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В. - - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 100 мг NeleTUSHIй 256 Гит В.С. 32G x 8 Парлель -
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAWP-IT: E. -
RFQ
ECAD 1255 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) MT29F4G08 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 960 NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 512M x 8 Парлель -
MT29F4G16ABAEAH4:E Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAEAH4: E. -
RFQ
ECAD 9942 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA MT29F4G16 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 256 м x 16 Парлель -
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBEAH4-IT: E. -
RFQ
ECAD 4269 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA MT29F4G16 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 63-VFBGA (9x11) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1260 NeleTUSHIй 4 Гит В.С. 256 м x 16 Парлель -
M58WR064KT70D16 Micron Technology Inc. M58WR064KT70D16 -
RFQ
ECAD 7835 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - M58WR064 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. - - Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1 66 мг NeleTUSHIй 64 марта 70 млн В.С. 4m x 16 Парлель 70NS
N25Q032A11EF440F TR Micron Technology Inc. N25Q032A11EF440F Tr -
RFQ
ECAD 8556 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-udfn oTkrыtaiNA-anploщadka N25Q032A11 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 8-updfn (4x3) (MLP8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 4000 108 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 8m x 4 SPI 8 мс, 5 мс
MT25QL256ABA1EW9-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1EW9-0SIT 5.9500
RFQ
ECAD 50 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o MT25QL256 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8-WPDFN (8x6) (MLP8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1920 133 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI 8 мс, 2,8 мс
MT28EW256ABA1HJS-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW256ABA1HJS-0SIT -
RFQ
ECAD 2292 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) MT28EW256 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 56-geantrow СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 576 NeleTUSHIй 256 мб 75 м В.С. 32m x 8, 16m x 16 Парлель 60ns
N25Q064A13E12D1E Micron Technology Inc. N25Q064A13E12D1E -
RFQ
ECAD 2973 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA N25Q064A13 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1122 108 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 16m x 4 SPI 8 мс, 5 мс
N25Q064A13E14D1E Micron Technology Inc. N25Q064A13E14D1E -
RFQ
ECAD 4920 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA N25Q064A13 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1122 108 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 16m x 4 SPI 8 мс, 5 мс
MT25QU128ABA1EW7-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1EW7-0SIT TR 4.4800
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o MT25QU128 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 8-WPDFN (6x5) (MLP8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4000 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI 8 мс, 2,8 мс
MT28EW128ABA1HPC-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1HPC-0SIT 7.7300
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-lbga MT28EW128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 64-lbga (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 NeleTUSHIй 128 мб 95 м В.С. 16m x 8, 8m x 16 Парлель 60ns
JS28F256P30T2E Micron Technology Inc. JS28F256P30T2E -
RFQ
ECAD 6618 0,00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) JS28F256P30 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 56-geantrow - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 576 40 мг NeleTUSHIй 256 мб 110 млн В.С. 16m x 16 Парлель 110ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе