- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
СПАМАТА (10402)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (Dollar) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодар | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT41J128M8JP-125: g | - |  | 7080 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 78-TFBGA | MT41J128M8 | SDRAM - DDR3 | 1425 ЕГО ~ 1575 a. | 78-FBGA (8x11.5) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0032 | 1000 | 800 мг | Nestabilnый | 1 Гит | Ддрам | 128m x 8 | Парлель | - | |||
 | MT29F256G08CMCABH2-10Z: A TR | - | | 6716 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-TBGA | MT29F256G08 | Flash - nand (MLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | 100-TBGA (12x18) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 100 мг | NeleTUSHIй | 256 Гит | В.С. | 32G x 8 | Парлель | - | |||
 | MT44K32M18RB-093F: B Tr | - | | 2499 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 168-TBGA | MT44K32M18 | Ддрам | 1,28 В ~ 1,42 В. | 168-BGA (13,5x13,5) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Управо | 0000.00.0000 | 1000 | 1 066 ГОГ | Nestabilnый | 576 мб | 7,5 млн | Ддрам | 32 м х 18 | Парлель | - | ||
 | MT53B384M64D4EZ-062 WT: b | - | | 5330 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | - | - | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 1120 | 1,6 -е | Nestabilnый | 24 -gbiot | Ддрам | 384M x 64 | - | - | ||||
 | MT41K128M16JT-125: K Tr | 3.7064 | | 4 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM - DDR3L | 1283 ЕГО 1,45 | 96-FBGA (8x14) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0036 | 2000 | 800 мг | Nestabilnый | 2 Гит | 13,75 млн | Ддрам | 128m x 16 | Парлель | - | ||
 | MT46V128M8TG-75: tr | - | | 2443 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT46V128M8 | SDRAM - DDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 66-tsop | СКАХАТА | Rohs | 5 (48 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0032 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 1 Гит | 750 с | Ддрам | 128m x 8 | Парлель | 15NS | ||
| M29W064FT6AZA6F Tr | - | | 6156 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-TFBGA | M29W064 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-TFBGA (6x8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2500 | NeleTUSHIй | 64 марта | 60 млн | В.С. | 8m x 8, 4m x 16 | Парлель | 60ns | |||
 | MT48LC16M16A2FG-75 IT: D TR | - | | 9090 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 54-VFBGA (8x14) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 мг | Nestabilnый | 256 мб | 5,4 млн | Ддрам | 16m x 16 | Парлель | 15NS | ||
 | MT53E512M64D4NW-053 WT: E TR | - | | 6303 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 432-VFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,1 В. | 432-VFBGA (15x15) | - | Управо | 0000.00.0000 | 1000 | 1866 г | Nestabilnый | 32 Гит | Ддрам | 512M x 64 | - | - | ||||||
 | N25Q00AA13GSF40G | - | | 5717 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Трубка | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | N25Q00AA13 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 16-й | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 557-1571-5 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1225 | 108 мг | NeleTUSHIй | 1 Гит | В.С. | 256 м х 4 | SPI | 8 мс, 5 мс | ||
 | MT29F64G08CBABAWP: B Tr | - | | 7865 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT29F64G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 64 Гит | В.С. | 8G x 8 | Парлель | - | ||||
| M29W800FB7AN6F Tr | - | | 6098 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | M29W800 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Ear99 | 8542.32.0071 | 1500 | NeleTUSHIй | 8 марта | 70 млн | В.С. | 1m x 8, 512k x 16 | Парлель | 70NS | ||||
 | MT28EW01GABA1LJS-0SIT | - | | 9755 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT28EW01 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 56-geantrow | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | NeleTUSHIй | 1 Гит | 95 м | В.С. | 128m x 8, 64m x 16 | Парлель | 60ns | |||
 | MT29F2G16ABBFAH4: ф | - | | 9796 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 63-VFBGA | MT29F2G16 | Flash - nand | 1,7 В ~ 1,95 В. | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Управо | 0000.00.0000 | 1260 | NeleTUSHIй | 2 Гит | В.С. | 128m x 16 | Парлель | - | |||||
 | N25W128A11EF740F Tr | - | | 4635 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-vdfn oTkrыTAIN | N25W128 | Flash - нет | 1,7 В ~ 2 В. | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4000 | 108 мг | NeleTUSHIй | 128 мб | В.С. | 32 м x 4 | SPI | - | ||||
 | MTFC32GAKAEJP-5M AIT | - | | 1324 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 153-VFBGA | MTFC32G | Flash - nand | - | 153-VFBGA (11,5x13) | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1520 | NeleTUSHIй | 256 Гит | В.С. | 32G x 8 | MMC | - | |||||||
| MT49H32M9BM-33: B Tr | - | | 7474 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Пефер | 144-TFBGA | MT49H32M9 | Ддрам | 1,7 В ~ 1,9 В. | 144 мкгга (18,5x11) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 300 мг | Nestabilnый | 288 мб | 20 млн | Ддрам | 32 м х 9 | Парлель | - | ||
 | MT48V4M32LFF5-8: G. | - | | 1387 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 90-VFBGA | MT48V4M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 90-VFBGA (8x13) | СКАХАТА | Rohs | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 125 мг | Nestabilnый | 128 мб | 7 млн | Ддрам | 4m x 32 | Парлель | 15NS | ||
| MT25QL256ABA1EW9-0AAT | - | | 8904 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 8-wdfn otkrыtaina-o | MT25QL256 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8-WPDFN (6x8) (MLP8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1920 | 133 мг | NeleTUSHIй | 256 мб | В.С. | 32 м х 8 | SPI | 8 мс, 2,8 мс | |||
| MT46V16M8TG-6T IT: D TR | 8.7400 | | 219 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT46V16M8 | SDRAM - DDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 66-tsop | СКАХАТА | Rohs | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 167 мг | Nestabilnый | 128 мб | 700 с | Ддрам | 16m x 8 | Парлель | 15NS | ||
 | MT28EW512ABA1HPC-0AAT | - | | 8685 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Автомобиль, AEC-Q100 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 64-lbga | MT28EW512 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 64-lbga (11x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | NeleTUSHIй | 512 мб | 105 м | В.С. | 64m x 8, 32m x 16 | Парлель | 60ns | ||||
| MT28EW256ABA1HPC-0SIT | 9.0300 | | 4 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 64-lbga | MT28EW256 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 64-lbga (11x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | NeleTUSHIй | 256 мб | 75 м | В.С. | 32m x 8, 16m x 16 | Парлель | 60ns | |||
| MT29F4G08Abadah4: d | - | | 5540 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Актифен | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1260 | NeleTUSHIй | 4 Гит | В.С. | 512M x 8 | Парлель | - | ||||
 | Mtfc16gakaecn-4M it tr | - | | 8826 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 153-VFBGA | MTFC16 | Flash - nand | 1,7 В ~ 1,9 В. | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | NeleTUSHIй | 128 Гит | В.С. | 16G x 8 | MMC | - | |||||
| MT53D512M16D1Z11MWC2 | 14.9600 | | 5629 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | * | МАССА | Актифен | MT53D512 | - | DOSTISH | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT48LC4M32LFB5-8: G TR | - | | 2312 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 90-VFBGA | MT48LC4M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 3 В ~ 3,6 В. | 90-VFBGA (8x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 2 (1 годы) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0002 | 1000 | 125 мг | Nestabilnый | 128 мб | 7 млн | Ддрам | 4m x 32 | Парлель | 15NS | ||
| MT28HL32GQBB6EBL-0GCT | - | | 5850 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | MT28HL32 | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Управо | 0000.00.0000 | 270 | ||||||||||||||||
 | M25px16stvzm6tp tr | - | | 8644 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 24-TBGA | M25PX16 | Flash - нет | 2,3 В ~ 3,6 В. | 24-TBGA (6x8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | Ear99 | 8542.32.0071 | 2500 | 75 мг | NeleTUSHIй | 16 марта | В.С. | 2m x 8 | SPI | 15 мс, 5 мс | ||||
| MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-M | - | | 3431 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | Умират | MT29F64G08 | Flash - nand (MLC) | 2,7 В ~ 3,6 В. | Умират | - | Rohs3 | Продан | Управо | 0000.00.0000 | 1 | NeleTUSHIй | 64 Гит | В.С. | 8G x 8 | Парлель | - | |||||
| MT29F1G08ABADAH4-ITE: d | - | | 2641 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 63-VFBGA (9x11) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1260 | NeleTUSHIй | 1 Гит | В.С. | 128m x 8 | Парлель | - |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)