SIC
close

СПАМАТА (10402)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (Dollar) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
N25Q064A13E12D1E Micron Technology Inc. N25Q064A13E12D1E -
RFQ
 ECAD 2973 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA N25Q064A13 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1122 108 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 16m x 4 SPI 8 мс, 5 мс
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT TR -
RFQ
 ECAD 3471 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) MT25QL512 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16-й СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI 8 мс, 2,8 мс
MT25QL256ABA8E12-1SIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E12-1SIT 6.2400
RFQ
 ECAD 4353 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA MT25QL256 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-T-PBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1122 133 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI 8 мс, 2,8 мс
M29W400DB55ZE6E Micron Technology Inc. M29W400DB55ZE6E -
RFQ
 ECAD 7214 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA M29W400 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 187 NeleTUSHIй 4 марта 55 м В.С. 512K x 8, 256K x 16 Парлель 55NS
MT48H8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-10 IT Tr -
RFQ
 ECAD 2341 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-VFBGA MT48H8M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-VFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 100 мг Nestabilnый 256 мб 7 млн Ддрам 8m x 32 Парлель 15NS
PC28F128P30T85A Micron Technology Inc. PC28F128P30T85A -
RFQ
 ECAD 3569 0,00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-TBGA PC28F128 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 64-айсибга (10x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 мг NeleTUSHIй 128 мб 85 м В.С. 8m x 16 Парлель 85ns
MT48H8M16LFB4-75:K Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-75: K. -
RFQ
 ECAD 8209 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 В ~ 1,95 В. 54-VFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель 15NS
MT46V32M16TG-75E:C Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75E: c -
RFQ
 ECAD 3398 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop - Rohs 4 (72 чACA) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 133 мг Nestabilnый 512 мб 750 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
M45PE20S-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M45PE20S-VMN6TP Tr -
RFQ
 ECAD 3369 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) M45PE20 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 8 ТАКОГО - Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0071 2500 75 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI 15 мс, 3 мс
MT44K16M36RB-107:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107: a -
RFQ
 ECAD 2021 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 168-TBGA MT44K16M36 Ддрам 1,28 В ~ 1,42 В. 168-BGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0024 1000 933 мг Nestabilnый 576 мб 10 млн Ддрам 16m x 36 Парлель -
MT46V64M8TG-6T:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-6T: F Tr -
RFQ
 ECAD 5828 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop СКАХАТА Rohs 4 (72 чACA) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 167 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12ITZ: C TR -
RFQ
 ECAD 1782 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-VBGA MT29F64G08 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 100-VBGA (12x18) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 83 мг NeleTUSHIй 64 Гит В.С. 8G x 8 Парлель -
MT28F008B5VG-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F008B5VG-8 B Tr -
RFQ
 ECAD 7280 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 40-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) MT28F008B5 Flash - нет 4,5 n 5,5. 40-tsop i СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 1000 NeleTUSHIй 8 марта 80 млн В.С. 1m x 8 Парлель 80ns
M29W800DB70N6T TR Micron Technology Inc. M29W800DB70N6T Tr -
RFQ
 ECAD 5605 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) M29W800 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 1500 NeleTUSHIй 8 марта 70 млн В.С. 1m x 8, 512k x 16 Парлель 70NS
MT28EW512ABA1HPC-1SIT Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1HPC-1SIT -
RFQ
 ECAD 2614 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-lbga MT28EW512 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 64-lbga (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 557-1788 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 NeleTUSHIй 512 мб 95 м В.С. 64m x 8, 32m x 16 Парлель 60ns
MT46H32M32LFJG-5 IT:A TR Micron Technology Inc. Mt46h32m32lfjg-5 it: a tr -
RFQ
 ECAD 6703 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 168-VFBGA MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1000 200 мг Nestabilnый 1 Гит 5 млн Ддрам 32 м x 32 Парлель 15NS
M58LT128KST7ZA6F TR Micron Technology Inc. M58lt128kst7za6f tr -
RFQ
 ECAD 2698 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-TBGA M58LT128 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 64-TBGA (10x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 2500 52 мг NeleTUSHIй 128 мб 70 млн В.С. 8m x 16 Парлель 70NS
MT48LC16M16A2P-7E:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E: D Tr -
RFQ
 ECAD 2740 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", шIrINA 10,16 мм) MT48LC16M16A2 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1000 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель 14ns
RC28F640P33T85A Micron Technology Inc. RC28F640P33T85A -
RFQ
 ECAD 8866 0,00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 64-TBGA RC28F640 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 64-айсибга (8x10) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1800 52 мг NeleTUSHIй 64 марта 85 м В.С. 4m x 16 Парлель 85ns
MT29F256G08CJABBWP-12:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CJABBWP-12: b -
RFQ
 ECAD 2026 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) MT29F256G08 Flash - nand (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 960 83 мг NeleTUSHIй 256 Гит В.С. 32G x 8 Парлель -
MT41K256M8DA-125 IT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 IT: K TR 4.4332
RFQ
 ECAD 4174 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-FBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 800 мг Nestabilnый 2 Гит 13,75 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель -
MTFC8GLVEA-1M WT Micron Technology Inc. MTFC8GLEA-1M WT -
RFQ
 ECAD 1614 0,00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Поднос Управо -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-WFBGA MTFC8 Flash - nand 2,7 В ~ 3,6 В. 153-WFBGA (11,5x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8523.51.0000 1000 NeleTUSHIй 64 Гит В.С. 8G x 8 MMC -
MT28FW512ABA1LJS-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1LJS-0AAT -
RFQ
 ECAD 3621 0,00000000 Micron Technology Inc. Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) MT28FW512 Flash - нет 1,7 В ~ 3,6 В. 56-geantrow - DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 576 NeleTUSHIй 512 мб 105 м В.С. 32 м х 16 Парлель 60ns
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABBFDWB-IT: F TR 3.4600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-udfn MT29F1G01 Flash - nand 1,7 В ~ 1,95 В. 8-updfn (8x6) (MLP8) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4000 NeleTUSHIй 1 Гит В.С. 1G x 1 SPI -
M29F400FB55M3T2 TR Micron Technology Inc. M29F400FB55M3T2 Tr -
RFQ
 ECAD 6437 0,00000000 Micron Technology Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-soic (0,496 ", шIrINA 12,60 мм) M29F400 Flash - нет 4,5 n 5,5. 44-то СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Управо 0000.00.0000 500 NeleTUSHIй 4 марта 55 м В.С. 512K x 8, 256K x 16 Парлель 55NS
N25Q512A83G12H0F TR Micron Technology Inc. N25Q512A83G12H0F Tr -
RFQ
 ECAD 9590 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA N25Q512A83 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-T-PBGA (6x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 2500 108 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 128m x 4 SPI 8 мс, 5 мс
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D Micron Technology Inc. Mt29vzzzbd8hqowl-053 W.G8d -
RFQ
 ECAD 6059 0,00000000 Micron Technology Inc. - МАССА Актифен MT29VZZZBD8 - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 0000.00.0000 1520
MT25QL128ABA1ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA1ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 6427 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) MT25QL128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16-й СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI 8 мс, 2,8 мс
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AAT ES: D. -
RFQ
 ECAD 6648 0,00000000 Micron Technology Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1,1 В. 200-WFBGA (10x14,5) - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1360 2,133 Гер Nestabilnый 16 -й Гит Ддрам 512M x 32 - -
MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208EGHBBG1-3R: B TR -
RFQ
 ECAD 2933 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 272-VFBGA MT29F1T208 Flash - nand 2,5 В ~ 3,6 В. 272-VBGA (14x18) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 333 мг NeleTUSHIй 1.125tbit В.С. 144G x 8 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть