SIC
close

СПАМАТА (70500)

Ибрагейн NoMerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Sic programmirueTSARY
S25FL128LDPMFB003 Infineon Technologies S25FL128LDPMFB003 4.2875
RFQ
 ECAD 9795 0,00000000 Infineon Technologies Автомобиль, AEC-Q100, FL-L Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) S25FL128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1450 66 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI -
819800-001-C ProLabs 819800-001-c 73,5000
RFQ
 ECAD 4189 0,00000000 Пролабс * Rrowзoniчnый pakeT Актифен - ROHS COMPRINT 4932-819800-001-c Ear99 8473.30.5100 1
24C01CT-E/MNY Microchip Technology 24C01CT-E/MNY 0,5100
RFQ
 ECAD 9394 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8-wfdfn otkrыtai-anploщadca 24C01C Eeprom 4,5 n 5,5. 8-tdfn (2x3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 3300 100 kgц NeleTUSHIй 1 кбит 3,5 мкс Eeprom 128 x 8 I²C 1,5 мс
C-1333D3QRLPR/16G ProLabs C-1333D3QRLPR/16G 105 0000
RFQ
 ECAD 9255 0,00000000 Пролабс * Rrowзoniчnый pakeT Актифен - ROHS COMPRINT 4932-C-1333D3QRLPR/16G Ear99 8473.30.5100 1
IS61LV6416-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10bli-tr -
RFQ
 ECAD 8177 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61LV6416 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 64K x 16 Парлель 10NS
689375-001-C ProLabs 689375-001-c 28.7500
RFQ
 ECAD 8725 0,00000000 Пролабс * Rrowзoniчnый pakeT Актифен - ROHS COMPRINT 4932-689375-001-c Ear99 8473.30.5100 1
IS43LR16640C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640C-6BLI 7.7181
RFQ
 ECAD 4633 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LR16640C-6BLI 300 166 мг Nestabilnый 1 Гит 5 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
CY62256VNLL-70ZXC Cypress Semiconductor Corp CY62256VNLL-70ZXC -
RFQ
 ECAD 5884 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 28-tssop (0,465 ", ширина 11,80 мм) Cy62256 SRAM - Асинров 2,7 В ~ 3,6 В. 28-tsop i СКАХАТА 1 Nestabilnый 256 70 млн Шram 32K x 8 Парлель 70NS Nprovereno
AA951241-C ProLabs AA951241-C 113,5000
RFQ
 ECAD 1212 0,00000000 Пролабс * Rrowзoniчnый pakeT Актифен - ROHS COMPRINT 4932-AA951241-C Ear99 8473.30.5100 1
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C TR Micron Technology Inc. Mt29vzzzzad8hqkpr-053 w es.g8c tr -
RFQ
 ECAD 5061 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо MT29VZZZAD8 - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1000
EM008LXOAB320CS1T Everspin Technologies Inc. EM008LXOAB320CS1T 18.7500
RFQ
 ECAD 5006 0,00000000 Everspin Technologies Inc. Emxxlx Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер 24-TBGA MRAM (MMAGNITORESHT 1,65 -~ 2 В. 24-TBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 819-EM008LXOAB320CS1T Ear99 8542.32.0071 480 200 мг NeleTUSHIй 8 марта Барен 1m x 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
FCELS26361-F3389-L425-C ProLabs FCELS26361-F3389-L425-C 102,5000
RFQ
 ECAD 4496 0,00000000 Пролабс * Rrowзoniчnый pakeT Актифен - ROHS COMPRINT 4932-FCELS26361-F3389-L425-C Ear99 8473.30.5100 1
7025S12PFI8 Renesas Electronics America Inc 7025S12PFI8 -
RFQ
 ECAD 1995 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Прохл -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP Sram - dvoйnoй port 4,5 n 5,5. 100-TQFP (14x14) - 800-7025S12PFI8TR 1 Nestabilnый 128 12 млн Шram 8K x 16 Парлель 12NS
S29GL064N90FFIS20 Cypress Semiconductor Corp S29GL064N90FFIS20 12.9100
RFQ
 ECAD 718 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp Гли-н Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-lbga S29GL064 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 64-FBGA (13x11) СКАХАТА 39 NeleTUSHIй 64 марта 90 млн В.С. 8m x 8, 4m x 16 Парлель 90ns Nprovereno
IS43TR16512BL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-107MBL-TR 18.3008
RFQ
 ECAD 9409 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16512BL-107MBL-TR 2000 933 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
CY7C1021DV33-10BVXIKB Cypress Semiconductor Corp CY7C1021DV33-10BVXIKB 1.9100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-CY7C1021DV33-10BVXIKB-428 1
IS42S16160B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-6BL -
RFQ
 ECAD 5461 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-LFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-LFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
MT49H16M16FM-5 TR Micron Technology Inc. MT49H16M16FM-5 Tr -
RFQ
 ECAD 6053 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 144-TFBGA MT49H16M16 Ддрам 1,7 В ~ 1,95 В. 144 мкгга (18,5x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1000 200 мг Nestabilnый 256 мб Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43TR82560B-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-15HBL -
RFQ
 ECAD 8242 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 242 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS43LR32800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800G-6BLI 6.3864
RFQ
 ECAD 6355 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS43LR32800 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель 15NS
CY62256NLL-70SNXA Cypress Semiconductor Corp CY62256NLL-70SNXA 22.2700
RFQ
 ECAD 129 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp Mobl® Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) Cy62256 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28 SOIC СКАХАТА Rohs3 Ear99 8542.32.0041 23 Nestabilnый 256 70 млн Шram 32K x 8 Парлель 70NS
IS25WJ064F-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ064F-JBLE-TR 0,9320
RFQ
 ECAD 6199 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WJ064F-JBLE-TR 2000 133 мг NeleTUSHIй 64 марта 6 м В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1,6 мс
MT47H128M4CF-25E:G Micron Technology Inc. MT47H128M4CF-25E: g -
RFQ
 ECAD 1015 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 60-TFBGA MT47H128M4 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-FBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1000 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 128m x 4 Парлель 15NS
AS6C62256-55STINTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55Stintr 2.5643
RFQ
 ECAD 1601 0,00000000 Alliance Memory, Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-tssop (0,465 ", ширина 11,80 мм) AS6C62256 SRAM - Асинров 2,7 В ~ 5,5 В. 28-stsop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 256 55 м Шram 32K x 8 Парлель 55NS
MT62F1G64D4EK-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AIT: B TR 58.0650
RFQ
 ECAD 1705 0,00000000 Micron Technology Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C. Пефер 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1,05 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023AIT: Btr 2000 2,133 Гер Nestabilnый 64 Гит Ддрам 1G x 64 Парлель -
S25FL164K0XMFA000 Nexperia USA Inc. S25FL164K0XMFA000 -
RFQ
 ECAD 3041 0,00000000 Nexperia USA Inc. - МАССА Актифен - 2156-S25FL164K0XMFA000 1
CY7C1565V18-375BZC Infineon Technologies CY7C1565V18-375BZC -
RFQ
 ECAD 1013 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA CY7C1565 SRAM - Synchronous, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В. 165-FBGA (15x17) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 375 мг Nestabilnый 72 мб Шram 2m x 36 Парлель -
500658-B21-C ProLabs 500658-b21-c 35 0000
RFQ
 ECAD 8941 0,00000000 Пролабс * Rrowзoniчnый pakeT Актифен - ROHS COMPRINT 4932-500658-b21-c Ear99 8473.30.5100 1
W25Q64JWWA Winbond Electronics W25Q64JWWA -
RFQ
 ECAD 5870 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) - - W25Q64 Flash - нет 1,7 В ~ 1,95 В. - - 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25Q64JWWA 1 133 мг NeleTUSHIй 64 марта 6 м В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 3 мс
CY62128ELL-45SXAT Infineon Technologies CY62128ELL-45SXAT 7.1500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Mobl® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-SOIC (0,445 ", шIRINA 11,30 мм) Cy62128 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Soic СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 1 март 45 м Шram 128K x 8 Парлель 45NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть