SIC
close

СПАМАТА (70500)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный ТИП КОНТРОЛЕРА Sic programmirueTSARY
25LC040AT-I/ST Microchip Technology 25LC040AT-I/ST 0,6300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) 25lc040 Eeprom 2,5 В ~ 5,5. 8-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 2500 10 мг NeleTUSHIй 4 кбит Eeprom 512 x 8 SPI 5 мс
25AA040/P Microchip Technology 25AA040/p 0,7950
RFQ
 ECAD 6417 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 25AA040 Eeprom 1,8 В ~ 5,5 В. 8-Pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 25AA040/p-ndr Ear99 8542.32.0051 60 1 мг NeleTUSHIй 4 кбит Eeprom 512 x 8 SPI 5 мс
NM93C46AEN Fairchild Semiconductor NM93C46AEN 0,2000
RFQ
 ECAD 8783 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 93C46A Eeprom 4,5 n 5,5. 8-Dip СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.32.0051 1 1 мг NeleTUSHIй 1 кбит Eeprom 128 x 8, 64 x 16 МИКРОПРЕЙХОВОД 10 мс
IS61VVF409618B-7.5TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VVF409618B-7.5TQL-TR 125,3000
RFQ
 ECAD 3230 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61VVF409618 SRAM - Synchronous, SDR 1,71 В ~ 1,89 В. 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 72 мб 7,5 млн Шram 4m x 18 Парлель -
CY7C027-20AXC Cypress Semiconductor Corp CY7C027-20AXC 38.2700
RFQ
 ECAD 3815 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP CY7C027 Sram - dvoйnoй port 4,5 n 5,5. 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 512 20 млн Шram 32K x 16 Парлель 20ns
S29GL032N90TFI040 Cypress Semiconductor Corp S29GL032N90TFI040 7.4700
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp Гли-н Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) S29GL032 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48 т СКАХАТА Rohs3 2832-S29GL032N90TFI040 70 NeleTUSHIй 32 мб 90 млн В.С. 4m x 8, 2m x 16 Парлель 90ns Прорунн
71V3557S80PFG8 Renesas Electronics America Inc 71V3557S80PFG8 8.5003
RFQ
 ECAD 2910 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3557 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4,5 мб 8 млн Шram 128K x 36 Парлель -
34VL02T/OT Microchip Technology 34VL02T/OT 0,4400
RFQ
 ECAD 1148 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер SOT-23-6 34VL02 Eeprom 1,5 В ~ 3,6 В. SOT-23-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 3000 400 kgц NeleTUSHIй 2 900 млн Eeprom 256 x 8 I²C 5 мс
71V416L10BE IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416L10BE 8.3300
RFQ
 ECAD 406 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA 71V416L SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 48-кабан (9x9) СКАХАТА 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
7164L20TPG Renesas Electronics America Inc 7164L20TPG -
RFQ
 ECAD 5880 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Чereз dыru 28-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) 7164L SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-pdip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 14 Nestabilnый 64 20 млн Шram 8K x 8 Парлель 20ns
W25Q32JVSFIQ Winbond Electronics W25Q32JVSFIQ 0,9800
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) W25Q32 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O 3 мс
PAL16R8AJ/883 National Semiconductor PAL16R8AJ/883 8.6600
RFQ
 ECAD 198 0,00000000 На самом деле * МАССА Актифен - Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан 3A001A2C 8542.39.0001 1
CY7C266-25WC Cypress Semiconductor Corp CY7C266-25WC 20.6300
RFQ
 ECAD 1399 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) CY7C266 Eprom - uv 4,5 n 5,5. - Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 2156-CY7C266-25WC Ear99 8542.32.0061 1 NeleTUSHIй 64 25 млн Eprom 8K x 8 Парлель - Nprovereno
AT24HC04BN-SP25-T Microchip Technology AT24HC04BN-SP25-T -
RFQ
 ECAD 3949 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) AT24HC04 Eeprom 2,5 В ~ 5,5. 8 лейт - 150-AT24HC04BN-SP25-TTR Управо 1000 400 kgц NeleTUSHIй 4 кбит 900 млн Eeprom 512 x 8 I²C 5 мс
AS4C512M16D3LA-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BINTR 26.3250
RFQ
 ECAD 9522 0,00000000 Alliance Memory, Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA AS4C512 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-FBGA (13,5x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 1450-AS4C512M16D3LA-10BINTR Ear99 8542.32.0036 2000 933 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
M95M01-DFCS6TP/K STMicroelectronics M95M01-DFCS6TP/K. 2,5000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-UFBGA, WLCSP M95M01 Eeprom 1,7 В ~ 5,5. 8-WLCSP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 2500 16 мг NeleTUSHIй 1 март Eeprom 128K x 8 SPI 5 мс
GD25LQ80CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CSIG 0,3752
RFQ
 ECAD 2893 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - Трубка В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) GD25LQ80 Flash - нет 1,65, ~ 2,1 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 9500 104 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O 50 мкс, 2,4 мс
W63AH6NBVACI Winbond Electronics W63AH6NBVACI 4.9953
RFQ
 ECAD 6374 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 178-VFBGA W63AH6 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 178-VFBGA (11x11,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W63AH6NBVACI Ear99 8542.32.0032 189 933 мг Nestabilnый 1 Гит 5,5 млн Ддрам 64 м х 16 HSUL_12 15NS
S34ML08G101BHB003 SkyHigh Memory Limited S34ML08G101BHB003 -
RFQ
 ECAD 4813 0,00000000 Skyhigh Memory Limited - Lenta и катахка (tr) Пркрэно S34ML08 - ROHS COMPRINT 3 (168 чASOW) 2120-S34ML08G101BHB003 3A991B1A 8542.32.0071 2300 Nprovereno
FM24C17ULEM8 Fairchild Semiconductor FM24C17ULEM8 0,4100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) FM24C17 Eeprom 4,5 n 5,5. 8 лейт СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.32.0051 1 100 kgц NeleTUSHIй 16 3,5 мкс Eeprom 2k x 8 I²C 10 мс
R8207-10 Intel R8207-10 45 4600
RFQ
 ECAD 200 0,00000000 Intel - МАССА Актифен - Пефер 68-CLCC - 68-CLCC СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Динамия в Апер.
4RCD0232KC0ATG8 Renesas Electronics America Inc 4RCD0232KC0ATG8 -
RFQ
 ECAD 7435 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер 253-LFBGA, FCCSP 4RCD0232 1,2 В. 253-FCCSP (8x13.5) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 800-4RCD0232KC0ATG8TR 2000 Динамия в Апер.
4DB0226EMKB0AVG Renesas Electronics America Inc 4DB0226EMKB0AVG -
RFQ
 ECAD 6893 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Поднос Прохл - 800-4DB0226EMKB0AVG 1
LE82P965 Intel LE82P965 14.6700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Intel * МАССА Актифен - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 0000.00.0000 360
RG82848P Intel RG82848P 3.3300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Intel 82848p МАССА Актифен - Пефер 932-BGA, FCBGA - 932-FCBGA (37.5x37.5) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 360 Динамия в Апер.
R82078 Intel R82078 -
RFQ
 ECAD 5875 0,00000000 Intel - МАССА Актифен - Пефер 68-CLCC - 68-CLCC СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) DOSTISH 0000.00.0000 1 Динамия в Апер.
DP8422AVX-25 National Semiconductor DP842222AVX-25 52.0000
RFQ
 ECAD 750 0,00000000 На самом деле - МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер 84-LCC (J-Lead) 4,5 n 5,5. 84-PLCC (29,31x29,31) СКАХАТА Rohs Ear99 8542.31.0001 250 Динамия в Апер.
CY7C68023-56LTXC Cypress Semiconductor Corp CY7C68023-56LTXC 24.2200
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp EZ-USB NX2LP ™ МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер 56-VFQFN PAD CY7C68023 3 В ~ 3,6 В. 56-qfn-ep (8x8) СКАХАТА 13 Nand Flash - USB
KU82309-16 Intel KU82309-16 37.3300
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Intel - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TC) Пефер 100-QFP 4,5 n 5,5. 100-QFP СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1 Динамия в Апер.
UPD48576218F1-E18-DW1-E2-A Renesas Electronics America Inc UPD48576218F1-E18-DW1-E2-A 43 3200
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.32.0032 1000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть