SIC
close

СПАМАТА (70500)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный ТИП КОНТРОЛЕРА Sic programmirueTSARY
S99-50303 Infineon Technologies S99-50303 -
RFQ
 ECAD 9295 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо - Продан DOSTISH Управо 0000.00.0000 1
S25FL512SDSMFBG13 Infineon Technologies S25FL512SDSMFBG13 10.5875
RFQ
 ECAD 9505 0,00000000 Infineon Technologies Автор, AEC-Q100, FL-S Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) S25FL512 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1450 80 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O -
DP8422AVX-20 National Semiconductor DP842222AVX-20 43 6700
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 На самом деле DP8422A МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 84-LCC (J-Lead) 4,5 n 5,5. 84-PLCC (29,31x29,31) СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.39.0001 1 Динамия в Апер.
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L512M64D4PQ-107 WT: b -
RFQ
 ECAD 3933 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 253-VFBGA MT52L512 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,2 В. 253-VFBGA (11x11.5) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1890 933 мг Nestabilnый 32 Гит Ддрам 512M x 64 - -
CY7C1520JV18-300BZXES Cypress Semiconductor Corp CY7C1520JV18-300BZXES -
RFQ
 ECAD 1789 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-CY7C1520JV18-300BZXES-428 1 Nprovereno
CY7C1245KV18-400BZXI Infineon Technologies CY7C1245KV18-400BZXI -
RFQ
 ECAD 7524 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-LBGA CY7C1245 SRAM - Synchronous, QDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В. 165-FBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 680 400 мг Nestabilnый 36 мб Шram 1m x 36 Парлель -
IS62WV25616DALL-55TI -TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL -55TI -TR -
RFQ
 ECAD 9934 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV25616 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 256K x 16 Парлель 55NS
S39MS01GR25WPW009 Infineon Technologies S39MS01GR25WPW009 -
RFQ
 ECAD 1573 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1
40060108-001 Infineon Technologies 40060108-001 -
RFQ
 ECAD 2198 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо - DOSTISH Управо 91
S70KL1282GABHB023 Infineon Technologies S70KL1282GABHB023 9.8525
RFQ
 ECAD 4176 0,00000000 Infineon Technologies Hyperram ™ Kl Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-VBGA PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-FBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B2A 8542.32.0041 2500 200 мг Nestabilnый 128 мб 35 м Псром 16m x 8 Гипербус 35NS
AS4C128M16D2A-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2A-25BCN 12.5200
RFQ
 ECAD 283 0,00000000 Alliance Memory, Inc. - Поднос Актифен 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 84-TFBGA AS4C128 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-FBGA (10,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 1450-1312 Ear99 8542.32.0036 209 400 мг Nestabilnый 2 Гит Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
W25M512JVCIQ Winbond Electronics W25M512JVCIQ -
RFQ
 ECAD 9972 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA W25M512 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI -
24LC04BT-I/MNY Microchip Technology 24LC04BT-I/MNY 0,3900
RFQ
 ECAD 7163 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wfdfn otkrыtai-anploщadca 24LC04B Eeprom 2,5 В ~ 5,5. 8-tdfn (2x3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 3300 400 kgц NeleTUSHIй 4 кбит 900 млн Eeprom 256 x 8 x 2 I²C 5 мс
IS46TR81280BL-125JBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280BL-125JBLA2 -
RFQ
 ECAD 2694 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR81280BL-125JBLA2 Ear99 8542.32.0032 136 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
MT52L512M32D2PF-093 WT:B Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PF-093 WT: b -
RFQ
 ECAD 9388 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 178-VFBGA MT52L512 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,2 В. 178-FBGA (11,5x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1890 1067 мг Nestabilnый 16 -й Гит Ддрам 512M x 32 - -
S29AL016J70BAI010 Infineon Technologies S29AL016J70BAI010 2.0992
RFQ
 ECAD 7583 0,00000000 Infineon Technologies Альб Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA S29AL016 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48-FBGA (8.15x6.15) - Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 676 NeleTUSHIй 16 марта 70 млн В.С. 2m x 8, 1m x 16 Парлель 70NS
S29GL064S70TFI060 Infineon Technologies S29GL064S70TFI060 52000
RFQ
 ECAD 330 0,00000000 Infineon Technologies Гли-с Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) S29GL064 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48 т СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 64 марта 70 млн В.С. 4m x 16 Парлель 60ns
BR24S32FVT-WE2 Rohm Semiconductor BR24S32FVT-WE2 0,5502
RFQ
 ECAD 8829 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) BR24S32 Eeprom 1,7 В ~ 5,5. 8-tssop-b СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 3000 400 kgц NeleTUSHIй 32 Eeprom 4K x 8 I²C 5 мс
CY27C256A-70WC Cypress Semiconductor Corp CY27C256A-70WC 2.6400
RFQ
 ECAD 3499 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Чereз dыru 28-cdip (0,600 ", 15,24 мм) окра CY27C256 Eprom - uv 4,5 n 5,5. 28-Cerdip СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0061 1 NeleTUSHIй 256 70 млн Eprom 32K x 8 Парлель -
N25Q128A11ESE40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11ESE40F Tr -
RFQ
 ECAD 8727 0,00000000 Micron Technology Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) N25Q128A11 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1500 108 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 32 м x 4 SPI 8 мс, 5 мс
S29GL256P10FAI022 Infineon Technologies S29GL256P10FAI022 9.1700
RFQ
 ECAD 4187 0,00000000 Infineon Technologies Гли-п Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-lbga S29GL256 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 64-FBGA (13x11) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 400 NeleTUSHIй 256 мб 100 млн В.С. 32 м х 8 Парлель 100ns
N25Q128A23BSF40E Micron Technology Inc. N25Q128A23BSF40E -
RFQ
 ECAD 4742 0,00000000 Micron Technology Inc. - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) N25Q128A23 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16-Sop2 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 3A991B1A 8542.32.0071 240 108 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 32 м x 4 SPI 8 мс, 5 мс
71V424L12PHGI8 Renesas Electronics America Inc 71V424L12PHGI8 8.4001
RFQ
 ECAD 2458 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) 71V424 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 4 марта 12 млн Шram 512K x 8 Парлель 12NS
AS4C16M32MD1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MD1-5BIN 5.7164
RFQ
 ECAD 3580 0,00000000 Alliance Memory, Inc. - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер 90-VFBGA AS4C16 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-FBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 1450-1121 Ear99 8542.32.0028 160 200 мг Nestabilnый 512 мб 5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель 15NS
IS25LX256-JHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX256-JHLA3-TR 4.3200
RFQ
 ECAD 2460 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25LX256 В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LX256-JHLA3-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 133 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
CAT24C128WGI Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C128WGI -
RFQ
 ECAD 9641 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) CAT24C128 Eeprom 1,8 В ~ 5,5 В. 8 лейт СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.32.0051 1 1 мг NeleTUSHIй 128 400 млн Eeprom 16K x 8 I²C 5 мс
CT51264BF160B-C ProLabs CT51264BF160B-C 19.7500
RFQ
 ECAD 9443 0,00000000 Пролабс * Rrowзoniчnый pakeT Актифен - ROHS COMPRINT 4932-CT51264BF160B-C Ear99 8473.30.5100 1
W25M02GVTBIR Winbond Electronics W25M02GVTBIR -
RFQ
 ECAD 4974 0,00000000 Винбонд Spiflash® Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA W25M02 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W25M02GVTBIR Управо 480 104 мг NeleTUSHIй 2 Гит 7 млн В.С. 256 м х 8 SPI - Quad I/O 700 мкс
MT29F1T08EELEEJ4-QJ:E Micron Technology Inc. MT29F1T08EELEEJ4-QJ: E. 26.4750
RFQ
 ECAD 2373 0,00000000 Micron Technology Inc. - Коробка Актифен - 557-MT29F1T08EELEEJ4-QJ: E. 1
GVT71256D36T-5 Galvantech GVT71256D36T-5 4.4500
RFQ
 ECAD 9444 0,00000000 Galvantech - МАССА Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP GVT71256D SRAM - Станодар 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 мг Nestabilnый 9 марта 3 млн Шram 256K x 36 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть