SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
7130LA55TFI8 Renesas Electronics America Inc 7130LA55TFI8 -
запросить цену
ECAD 1396 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-LQFP 7130ЛА SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 64-ТКФП (10х10) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.32.0041 500 Неустойчивый 8Кбит 55 нс СРАМ 1К х 8 Параллельно 55нс
CY7C25632KV18-400BZXI Infineon Technologies CY7C25632KV18-400BZXI 349,6200
запросить цену
ECAD 367 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C25632 SRAM — синхронный, QDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 136 400 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 4М х 18 Параллельно -
CY62147EV30LL-45B2XI Infineon Technologies CY62147EV30LL-45B2XI 6.9400
запросить цену
ECAD 4817 0,00000000 Инфинеон Технологии МоБЛ® Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА CY62147 SRAM — асинхронный 2,2 В ~ 3,6 В 48-ВФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 480 Неустойчивый 4 Мбит 45 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 45нс
W25X16VSFIG Winbond Electronics W25X16VSFIG -
запросить цену
ECAD 2798 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) W25X16 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 44 75 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 СПИ 3 мс
N25Q128A13ESFH0E TR Micron Technology Inc. N25Q128A13ESFH0E ТР -
запросить цену
ECAD 3144 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) N25Q128A13 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОП2 - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается N25Q128A13ESFH0ETR 3А991Б1А 8542.32.0071 1000 108 МГц Энергонезависимый 128Мбит ВСПЫШКА 32М х 4 СПИ 8 мс, 5 мс
IDT71V35761S166PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V35761S166PF8 -
запросить цену
ECAD 9507 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP IDT71V35761 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В35761С166ПФ8 3A991B2A 8542.32.0041 1000 166 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 3,5 нс СРАМ 128К х 36 Параллельно -
CAT24C08LI-G Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C08LI-Г -
запросить цену
ECAD 5126 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) КАТ24C08 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-ПДИП скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.32.0051 50 400 кГц Энергонезависимый 8Кбит 900 нс ЭСППЗУ 1К х 8 I²C 5 мс
S29GL064S80FHV030 Infineon Technologies S29GL064S80FHV030 4.1300
запросить цену
ECAD 3296 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-С Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА S29GL064 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (13х11) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1800 г. Энергонезависимый 64 Мбит 80 нс ВСПЫШКА 8м х 8, 4м х 16 Параллельно 60нс
MR5A16AUMA45 Everspin Technologies Inc. МР5А16АУМА45 77,7900
запросить цену
ECAD 2907 0,00000000 Эверспин Технологии Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ЛФБГА МР5А16 MRAM (магниторезистивное ОЗУ) 3 В ~ 3,6 В 48-ФБГА (10х10) - Соответствует ROHS3 6 (время на этикетке) REACH не касается 819-МР5А16АУМА45 EAR99 8542.32.0071 240 Энергонезависимый 32 Мбит 45 нс БАРАН 2М х 16 Параллельно 45нс
7024L17PFI Renesas Electronics America Inc 7024Л17ПФИ -
запросить цену
ECAD 2798 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 7024L17 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.32.0041 90 Неустойчивый 64Кбит 17 нс СРАМ 4К х 16 Параллельно 17нс
CY15B108QI-20BFXI Infineon Technologies CY15B108QI-20BFXI 23.2000
запросить цену
ECAD 7964 0,00000000 Инфинеон Технологии * Поднос Активный - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается 448-CY15B108QI-20BFXI 4900
W25Q20EWUXBE Winbond Electronics W25Q20EWUXBE -
запросить цену
ECAD 6388 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-УФДФН Открытая площадка W25Q20 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 1,95 В 8-УСОН (2х3) - 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q20EWUXBE УСТАРЕВШИЙ 1 104 МГц Энергонезависимый 2Мбит 6 нс ВСПЫШКА 256К х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 30 мкс, 800 мкс
MEM2821-256U512D-C ProLabs МЕМ2821-256U512D-C 62,5000
запросить цену
ECAD 1329 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-MEM2821-256U512D-C EAR99 8473.30.9100 1
71T75802S200PFG8 Renesas Electronics America Inc 71Т75802С200ПФГ8 38.9611
запросить цену
ECAD 3701 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 71Т75802 SRAM - синхронный, SDR (ZBT) 2375 В ~ 2625 В 100-ТКФП (14х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 200 МГц Неустойчивый 18 Мбит 3,2 нс СРАМ 1М х 18 Параллельно -
7024L12PF Renesas Electronics America Inc 7024Л12ПФ -
запросить цену
ECAD 7573 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Последняя покупка 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) - 800-7024Л12ПФ 1 Неустойчивый 64Кбит 12 нс СРАМ 4К х 16 Параллельно 12нс
CY62137CV30LL-55BVI Cypress Semiconductor Corp CY62137CV30LL-55BVI 1,3100
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА CY62137 SRAM — асинхронный 2,7 В ~ 3,3 В 48-ВФБГА (6х8) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Неустойчивый 2Мбит 55 нс СРАМ 128 КБ х 16 Параллельно 55нс
BR93L76-W Rohm Semiconductor БР93Л76-В -
запросить цену
ECAD 8821 0,00000000 Ром Полупроводник - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) БР93Л76 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2000 г. 2 МГц Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 512 х 16 Микропровод 5 мс
AS7C32096A-10TCN Alliance Memory, Inc. AS7C32096A-10TCN 5.0129
запросить цену
ECAD 5400 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) AS7C32096 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 135 Неустойчивый 2Мбит 10 нс СРАМ 256К х 8 Параллельно 10 нс
MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR -
запросить цену
ECAD 1661 г. 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ТФБГА SDRAM — мобильный LPDDR4X 1,06 В ~ 1,17 В 200-ТФБГА (10х14,5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046BAIT:БТР 1 2133 ГГц Неустойчивый 16Гбит 3,5 нс ДРАМ 512М х 32 Параллельно 18нс
CY7C1049CV33-10ZI Cypress Semiconductor Corp CY7C1049CV33-10ZI -
запросить цену
ECAD 7398 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY7C1049 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Неустойчивый 4 Мбит 10 нс СРАМ 512К х 8 Параллельно 10 нс
AT24C32D-MAHM-T Atmel АТ24С32Д-МАХМ-Т -
запросить цену
ECAD 4838 0,00000000 Атмел - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-УФДФН Открытая площадка АТ24С32 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-Мини-карта (2х3) скачать EAR99 8542.32.0051 1 1 МГц Энергонезависимый 32Кбит 550 нс ЭСППЗУ 4К х 8 I²C 5 мс
24FC256-I/MS Microchip Technology 24FC256-И/МС 1.2000
запросить цену
ECAD 8322 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюйма, 3,00 мм) 24FC256 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-МСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 1 МГц Энергонезависимый 256Кбит 400 нс ЭСППЗУ 32К х 8 I²C 5 мс
DS28E02P-W10+4 Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS28E02P-W10+4 -
запросить цену
ECAD 8701 0,00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Лента и катушка (TR) Устаревший -20°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 6-СМД, J-вывод DS28E02 ЭСППЗУ 1,75 В ~ 3,65 В 6-ТСОК - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 175-DS28E02P-W10+4TR УСТАРЕВШИЙ 4000 Энергонезависимый 1Кбит 2 мкс ЭСППЗУ 256 х 4 1-Wire® 25 мс
STK11C88-NF25 Infineon Technologies СТК11C88-NF25 -
запросить цену
ECAD 3074 0,00000000 Инфинеон Технологии - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) СТК11C88 NVSRAM (энергонезависимая SRAM) 4,5 В ~ 5,5 В 28-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 27 Энергонезависимый 256Кбит 25 нс НВСРАМ 32К х 8 Параллельно 25нс
IS39LV512-70JCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС39ЛВ512-70ДЖЦЕ -
запросить цену
ECAD 2106 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Трубка Устаревший -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-LCC (J-вывод) ИС39ЛВ512 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 32-ПЛСС (11,43х13,97) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 32 Энергонезависимый 512Кбит 70 нс ВСПЫШКА 64К х 8 Параллельно 70нс
IS61WV102416FBLL-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-8BLI 9.7363
запросить цену
ECAD 1319 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА SRAM — асинхронный 2,4 В ~ 3,6 В 48-ТФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-ИС61ВВ102416ФБЛЛ-8БЛИ 480 Неустойчивый 16Мбит 8 нс СРАМ 1М х 16 Параллельно 8нс
CY7C1041BNV33L-12VC Cypress Semiconductor Corp CY7C1041BNV33L-12VC 5.3400
запросить цену
ECAD 221 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY7C1041 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-СОЮ скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) Затронуто REACH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Неустойчивый 4 Мбит 12 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 12нс
S25FL128SAGBHEA00 Infineon Technologies S25FL128SAGBHEA00 52.9025
запросить цену
ECAD 5786 0,00000000 Инфинеон Технологии ФЛ-С Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ S25FL128 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-БГА (8х6) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 3380 133 МГц Энергонезависимый 128Мбит ВСПЫШКА 16М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод -
IS46LD32128B-25BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС46ЛД32128Б-25БПЛА1 -
запросить цену
ECAD 8282 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Поднос Активный -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 168-ВФБГА ИС46ЛД32128 SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В 168-ВФБГА (12х12) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 706-ИС46ЛД32128Б-25БПЛА1 EAR99 8542.32.0036 1 400 МГц Неустойчивый 4Гбит 5,5 нс ДРАМ 128М х 32 ХСУЛ_12 15нс
CAT24AA02WI-GT3 Catalyst Semiconductor Inc. CAT24AA02WI-GT3 -
запросить цену
ECAD 4868 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) КАТ24АА02 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.32.0051 3000 1 МГц Энергонезависимый 2Кбит 400 нс ЭСППЗУ 256 х 8 I²C 5 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе