Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Программируемый НИЦ | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Программируемый тип | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S25FS512SDSMFV010 | 9.4325 | ![]() | 1989 год | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФС-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | С25ФС512 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2400 | 80 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | ВСПЫШКА | 64М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | |||||
![]() | IDT71V65603S150PF8 | - | ![]() | 2864 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИДТ71В65603 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В65603С150ПФ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | 150 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 3,8 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | |||
![]() | АТ25128АН-10СИ-2,7-Т | - | ![]() | 7371 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | АТ25128 | ЭСППЗУ | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | 20 МГц | Энергонезависимый | 128Кбит | ЭСППЗУ | 16К х 8 | СПИ | 5 мс | |||||
![]() | CY7C024-25JC | 12.4000 | ![]() | 126 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-LCC (J-вывод) | CY7C024 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 84-ПЛЦК (29,31х29,31) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 64Кбит | 25 нс | СРАМ | 4К х 16 | Параллельно | 25нс | |||||
![]() | S99F032B | - | ![]() | 6848 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT47H64M16HR-25E IT:H TR | - | ![]() | 5626 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | МТ47Х64М16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-ФБГА (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 1000 | 400 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 400 пс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15нс | |||||
![]() | АТ27С040-70Ю-Т | 8.8500 | ![]() | 6602 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | AT27C040 | СППЗУ-ОТП | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (11,43х13,97) | скачать | Соответствует ROHS3 | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0061 | 750 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 70 нс | СППЗУ | 512К х 8 | Параллельно | - | |||||
![]() | LC3564BM-70 | - | ![]() | 9201 | 0,00000000 | Саньо | - | Масса | Устаревший | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,330 дюйма, 8,40 мм) | SRAM — асинхронный | 28-СОП | - | 2156-LC3564БМ-70 | 1 | Неустойчивый | 64Кбит | 200 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | |||||||||||||
![]() | MTFC16GJGEF-AIT З ТР | - | ![]() | 5925 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | e•MMC™ | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 169-ТФБГА | МТФК16Г | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 1,65 В ~ 3,6 В | 169-ТФБГА (14х18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 128Гбит | ВСПЫШКА | 16Г х 8 | ММК | - | ||||||
![]() | 7130SA35PFI8 | - | ![]() | 2436 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | 7130SA | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 64-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0041 | 500 | Неустойчивый | 8Кбит | 35 нс | СРАМ | 1К х 8 | Параллельно | 35 нс | ||||||
| MX25L512EMI-10G | 0,4900 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Макроникс | - | Трубка | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | MX25L512 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 98 | 104 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | ВСПЫШКА | 64К х 8 | СПИ | 50 мкс, 3 мс | ||||||
![]() | FT24C512A-USG-T | 0,7700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Фремонт Микро Девайс Лтд. | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | FT24C512 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 64К х 8 | I²C | 5 мс | ||||
| IS61WV51216EDALL-20TLI | 12.2476 | ![]() | 6509 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | IS61WV51216 | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,2 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 8Мбит | 20 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 20нс | ||||||
![]() | 7005L20G | - | ![]() | 2212 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | 68-БПГА | 7005L20 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 68-ПГА (29,46х29,46) | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 3 | Неустойчивый | 64Кбит | 20 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 20нс | |||||
![]() | АТ49Ф040-70ТИ | - | ![]() | 1740 г. | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | AT49F040 | ВСПЫШКА | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ЦОП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 512К х 8 | Параллельно | 50 мкс | |||||
![]() | MT25QU128ABA8E54-0SIT ТР | 3.9000 | ![]() | 8010 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 15-XFBGA, WLCSP | MT25QU128 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 15-XFWLBGA | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 5000 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | СПИ | 8 мс, 2,8 мс | |||||
| 25ЛК040-И/П | 0,8100 | ![]() | 274 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 25LC040 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | Непригодный | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 2 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 8 | СПИ | 5 мс | ||||||
![]() | AS4C4M16SA-6TANTR | 2,8952 | ![]() | 5737 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS4C4M16 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 1000 | 166 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 4М х 16 | Параллельно | 2нс | ||||
| AS4C128M16D3-12BCNTR | - | ![]() | 6556 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | AS4C128 | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-ФБГА (9х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15нс | |||||
| X28HC256JI-90R5697 | - | ![]() | 6381 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Масса | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | X28HC256 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (11,43х13,97) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | Энергонезависимый | 256Кбит | 90 нс | ЭСППЗУ | 32К х 8 | Параллельно | 5 мс | ||||||
![]() | CY7C1320KV18-250BZCT | - | ![]() | 1417 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1320 | SRAM — синхронный, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | 250 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | |||||
![]() | AS7C4098A-12ДЖИН | 6.2900 | ![]() | 171 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C4098 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | Неустойчивый | 4 Мбит | 12 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 12нс | |||||
![]() | IS65WV25616EBLL-55CTLA3 | - | ![]() | 1996 год | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС65ВВ25616 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4 Мбит | 55 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 55нс | |||||
![]() | CG8098AAT | - | ![]() | 4792 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 750 | |||||||||||||||||||
![]() | А5816813-С | 27.5000 | ![]() | 1078 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-А5816813-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | АТ17Ф32-30БЖК | - | ![]() | 3205 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С | Поверхностный монтаж | 44-LCC (J-вывод) | АТ17Ф32 | Не проверено | 2,97 В ~ 3,63 В | 44-ПЛСС (16,6х16,6) | скачать | не соответствует RoHS | 2 (1 год) | REACH не касается | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 25 | ВСПЫШКА | 32Мб | ||||||||||
![]() | ИС42С16160ДЖ-6ТЛИ | 3.2512 | ![]() | 9372 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С16160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 МГц | Неустойчивый | 256Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 16М х 16 | Параллельно | - | ||||
![]() | 25AA080C-E/MNY16KVAO | - | ![]() | 2679 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WFDFN Открытая площадка | 25АА080 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ТДФН (2х3) | скачать | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 10 МГц | Энергонезависимый | 8Кбит | ЭСППЗУ | 1К х 8 | СПИ | 5 мс | ||||||
![]() | AS4C64M16MD2-25BCNTR | - | ![]() | 8889 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -30°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 134-ВФБГА | AS4C64 | SDRAM — мобильный LPDDR2 | 1,14 В ~ 1,95 В | 134-ФБГА (10х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 1000 | 400 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15нс | |||||
| АТ93С66А-10ТУ-1,8 | - | ![]() | 8374 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 93С66А | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 8, 256 х 16 | 3-проводной последовательный порт | 10 мс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)