- RFQ
- Категория
- Связаться с нами
Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
- китайский
- Английский
- Французский
- немецкий
- португальский
- испанский
- Русский
- Японский
- корейский
- арабский
- Ирландский
- Греческий
- турецкий
- Итальянский
- Датский
- румынский
- индонезийский
- чешский
- африкаанс
- Шведский
- Лак
- Баск
- Каталонский
- эсперанто
- хинди
- Лаос
- албанский
- Амхарский
- Армянский
- Азербайджани
- Белорус
- Бенгальский
- Боснийский
- болгарский
- Себуано
- Чичева
- Корсикан
- хорватский
- Голландский
- эстонский
- Филиппинец
- Финский
- фризский
- Галиц
- Грузинец
- Гуджарати
- Гаитянский
- Хауса
- Гавайский
- иврит
- Хмонг
- венгерский
- исландский
- Игбо
- Яванский
- Каннада
- Казах
- Кхмер
- Курдский
- Кыргиз
- латинский
- Латвиан
- литовский
- Люксембу ..
- македонский
- Малагасийский
- малайский
- Малаялам
- Мальтийский
- маори
- Маратхи
- Монгольский
- Бирманский
- Непальский
- норвежский
- Пушту
- Персидский
- Пенджаби
- сербский
- Сезото
- Сингальский
- словацкий
- словенский
- Сомалийский
- Самоан
- Шотландцы гэльские
- Шона
- Синди
- Сунданец
- суахили
- Таджик
- Тамильский
- телугу
- Тайский
- Украинский
- Урду
- Узбек
- вьетнамский
- валлийский
- Xhosa
- идиш
- Йоруба
- Зулу
- Kinyarwanda
- Татар
- Ария
- туркменский
- Уйгур
СПАМАТА (70500)
| Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Упако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодадж | ТАКТОВА | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FM22L16-55-TG | 38.7800 |  | 1 | 0,00000000 | Infineon Technologies | F-Ram ™ | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | FM22L16 | Фрам (сэгнето -доктерский | 2,7 В ~ 3,6 В. | 44-TSOP II | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 135 | NeleTUSHIй | 4 марта | 110 млн | Фрам | 256K x 16 | Парлель | 110ns | |||
 | M29W640GL70ZA6E | - | | 7784 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-TFBGA | M29W640 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-TFBGA (6x8) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1122 | NeleTUSHIй | 64 марта | 70 млн | В.С. | 8m x 8, 4m x 16 | Парлель | 70NS | |||
 | MT53D4DANW-DC TR | - | | 5860 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | MT53D4 | - | 1 (neograniчennnый) | Управо | 0000.00.0000 | 1000 | ||||||||||||||||||
 | CY7C1523AV18-250BZC | - | | 4602 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 165-LBGA | CY7C1523 | SRAM - Synchronous, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В. | 165-FBGA (15x17) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 мг | Nestabilnый | 72 мб | Шram | 4m x 18 | Парлель | - | |||
 | IS42S32160B-75TLI | - | | 5177 | 0,00000000 | Issi, ина | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) | IS42S32160 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В. | 86-tsop II | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 мг | Nestabilnый | 512 мб | 5,5 млн | Ддрам | 16m x 32 | Парлель | - | ||
 | S25FL256SDSMFB010 | 10.0800 | | 4 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Автор, AEC-Q100, FL-S | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) | S25FL256 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 16 лейт | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 80 мг | NeleTUSHIй | 256 мб | В.С. | 32 м х 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
 | AT49F040-12VI | - | | 2695 | 0,00000000 | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Пефер | 32-TFSOP (0,488 ", шIRINA 12,40 ММ) | AT49F040 | В.С. | 4,5 n 5,5. | 32-VSOP | - | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | AT49F04012VI | Ear99 | 8542.32.0071 | 208 | NeleTUSHIй | 4 марта | 120 млн | В.С. | 512K x 8 | Парлель | 50 мкс | ||
| 7134SA70L48B | - | | 2329 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 48-LCC | 7134SA | Sram - dvoйnoй port | 4,5 n 5,5. | 48-LCC (14.22x14.22) | СКАХАТА | Rohs | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 34 | Nestabilnый | 32 | 70 млн | Шram | 4K x 8 | Парлель | 70NS | |||
 | DS2431P-A1+ | 3.6200 | | 4 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./maxim Integrated | Автомобиль, AEC-Q100 | Трубка | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 6-SMD, J-Lead | DS2431 | Eeprom | - | 6-так | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0051 | 120 | NeleTUSHIй | 1 кбит | 2 мкс | Eeprom | 256 x 4 | 1-wire® | - | |||
 | IS62WV1288BLL-55QLI-TR | 1.6819 | | 4779 | 0,00000000 | Issi, ина | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 32-SOIC (0,445 ", шIRINA 11,30 мм) | IS62WV1288 | SRAM - Асинров | 2,5 В ~ 3,6 В. | 32-Sop | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0041 | 1000 | Nestabilnый | 1 март | 55 м | Шram | 128K x 8 | Парлель | 55NS | |||
 | GS8321Z36AGD-250i | 46.9467 | | 3716 | 0,00000000 | GSI Technology Inc. | - | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Пефер | 165-LBGA | GS8321Z | Sram - Синроннн, ЗБТ | 2,3 n 2,7 В, 3 ~ 3,6 | 165-FPBGA (15x13) | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 2364-GS8321Z36AGD-250i | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 250 мг | Nestabilnый | 36 мб | Шram | 1m x 36 | Парлель | - | ||
| 5962-8866206XA | - | | 4799 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Трубка | Управо | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Чereз dыru | 28-CDIP (0,600 ", 15,24 ММ) | 5962-8866206 | SRAM - Синронн | 4,5 n 5,5. | 28-CDIP | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 800-5962-8866206XA | Управо | 13 | Nestabilnый | 256 | 25 млн | Шram | 32K x 8 | Парлель | 25NS | |||
 | S70GL04GS00FHCR20 | - | | 4916 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Поднос | Управо | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Управо | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | W989D2DBJX6I | 3.3234 | | 5436 | 0,00000000 | Винбонд | - | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 90-TFBGA | W989D2 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 В ~ 1,95 В. | 90-VFBGA (8x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 мг | Nestabilnый | 512 мб | 5 млн | Ддрам | 16m x 32 | Парлель | 15NS | ||
 | S29AL016J70BFA013 | 2.1383 | | 2881 | 0,00000000 | Infineon Technologies | Автомобиль, AEC-Q100, Al-J | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-VFBGA | S29AL016 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-FBGA (8.15x6.15) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0071 | 2500 | NeleTUSHIй | 16 марта | 70 млн | В.С. | 2m x 8, 1m x 16 | Парлель | 70NS | |||
 | MT29F2G16ABAEAWP-IT: E. | - | | 4693 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) | MT29F2G16 | Flash - nand | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-tsop i | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | NeleTUSHIй | 2 Гит | В.С. | 128m x 16 | Парлель | - | ||||
 | MT46V32M8P-6T IT: G. | - | | 5382 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) | MT46V32M8 | SDRAM - DDR | 2,3 В ~ 2,7 В. | 66-tsop | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0024 | 1000 | 167 мг | Nestabilnый | 256 мб | 700 с | Ддрам | 32 м х 8 | Парлель | 15NS | ||
 | CAT24C32C5ATR | 0,5190 | | 8173 | 0,00000000 | OnSemi | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 5-xFBGA, WLCSP | CAT24C32 | Eeprom | 1,7 В ~ 5,5. | 5-WLCSP (134x0,91) | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.32.0051 | 5000 | 1 мг | NeleTUSHIй | 32 | 400 млн | Eeprom | 4K x 8 | I²C | 5 мс | ||
 | IS62WV25616EALL-55TLI | 4.4684 | | 9715 | 0,00000000 | Issi, ина | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) | IS62WV25616 | SRAM - Асинров | 1,65, ~ 2,2 В. | 44-TSOP II | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Nestabilnый | 4 марта | 55 м | Шram | 256K x 16 | Парлель | 55NS | |||
 | 93LC76CT-I/MS | 0,5550 | | 2845 | 0,00000000 | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) | 93LC76 | Eeprom | 2,5 В ~ 5,5. | 8-марсоп | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 93LC76CT-I/MS-NDR | Ear99 | 8542.32.0051 | 2500 | 3 мг | NeleTUSHIй | 8 | Eeprom | 1k x 8, 512 x 16 | МИКРОПРЕЙХОВОД | 5 мс | ||
| W25Q64FWSSBQ | - | | 2457 | 0,00000000 | Винбонд | Spiflash® | Трубка | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) | W25Q64 | Flash - нет | 1,65 ЕГО ~ 1,95 | 8 лейт | - | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 256-W25Q64FWSSBQ | Управо | 1 | 104 мг | NeleTUSHIй | 64 марта | 6 м | В.С. | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 мкс, 5 мс | |||
| DE28F800F3T115 | 4.0000 | | 37 | 0,00000000 | Intel | - | МАССА | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Пефер | 56-Sop | Flash - Boot Block | 3 В ~ 3,6 В. | 56-Ssop | СКАХАТА | Neprigodnnый | 3 (168 чASOW) | Продан | Ear99 | 8542.32.0071 | 700 | NeleTUSHIй | 8 марта | 115 м | В.С. | 512K x 16 | Kuх | 200 мкс | ||||
 | AT28C010-12EM/883 | 506.6400 | | 8 | 0,00000000 | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | - | Трубка | Актифен | -55 ° C ~ 125 ° C (TC) | Пефер | 32-CLCC | AT28C010 | Eeprom | 4,5 n 5,5. | 32-LCC (11,43x13,97) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | AT28C01012EM883 | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 34 | NeleTUSHIй | 1 март | 120 млн | Eeprom | 128K x 8 | Парлель | 10 мс | ||
 | 70V9369L9PF8 | - | | 1991 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 100-LQFP | 70V9369 | Sram - dvoйnoй port, sinхroannnый | 3 В ~ 3,6 В. | 100-TQFP (14x14) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Nestabilnый | 288 | 9 млн | Шram | 16K x 18 | Парлель | - | |||
| 7008S25G | - | | 8008 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Чereз dыru | 84-BPGA | 7008S25 | Sram - dvoйnoй port | 4,5 n 5,5. | 84-PGA (27,94x27,94) | СКАХАТА | Rohs | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 3 | Nestabilnый | 512 | 25 млн | Шram | 64K x 8 | Парлель | 25NS | |||
| MT41K512M8V00HWC1-N001 | - | | 5235 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | МАССА | Управо | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1283 ЕГО 1,45 | - | - | 1 (neograniчennnый) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | Nestabilnый | 4 Гит | Ддрам | 512M x 8 | Парлель | - | ||||||
 | W25Q16CVSSJG TR | - | | 3288 | 0,00000000 | Винбонд | Spiflash® | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) | W25Q16 | Flash - нет | 2,7 В ~ 3,6 В. | 8 лейт | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | W25Q16CVSSJGTR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1000 | 104 мг | NeleTUSHIй | 16 марта | В.С. | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 мкс, 3 мс | ||
 | AT24C01A-10SI-2,5 | - | | 5509 | 0,00000000 | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | - | Трубка | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | AT24C01 | Eeprom | 2,5 В ~ 5,5. | 8 лейт | СКАХАТА | Rohs | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | AT24C01A10SI2.5 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kgц | NeleTUSHIй | 1 кбит | 900 млн | Eeprom | 128 x 8 | I²C | 5 мс | |
| GD25LQ64CVIGR | - | | 4094 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) | GD25LQ64 | Flash - нет | 1,65 -~ 2 В. | 8-VSOP | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3000 | 120 мг | NeleTUSHIй | 64 марта | В.С. | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 2,4 мс | |||
 | CY7C1320KV18-250BZC | - | | 1479 | 0,00000000 | Infineon Technologies | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 165-LBGA | CY7C1320 | SRAM - Synchronous, DDR II | 1,7 В ~ 1,9 В. | 165-FBGA (13x15) | СКАХАТА | Rohs | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 мг | Nestabilnый | 18 марта | Шram | 512K x 36 | Парлель | - |
2000+
Средний объем RFQ
30 000 000
Стандартный продукт
2800+
Мировые производители
15 000 м2
На складе
Список желаний (0 пунктов)