Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Программируемый тип | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | АТ17Ф040А-30КУ | 9.6500 | ![]() | 52 | 0,00000000 | Атмел | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 8-ТДФН | 2,97 В ~ 3,63 В | 8-КРУГОВ (6х6) | скачать | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 32 | ВСПЫШКА | 4Мб | Не проверено | ||||||||||||||
![]() | ИДТ71В416ВЛ12Y8 | - | ![]() | 2184 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИДТ71В416 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В416ВЛ12И8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | Неустойчивый | 4 Мбит | 12 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 12нс | ||||
![]() | MEM-DR316L-CL02-ER16-C | 48.5000 | ![]() | 9683 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-MEM-DR316L-CL02-ER16-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
| ИС64ВВ20488БЛЛ-10КТЛА3 | 25.7125 | ![]() | 3213 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС64ВВ20488 | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Неустойчивый | 16Мбит | 10 нс | СРАМ | 2М х 8 | Параллельно | 10 нс | ||||||
![]() | CY62167DV20LL-5BVI | - | ![]() | 2072 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ2™ | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | CY62167 | SRAM — асинхронный | 1,65 В ~ 2,2 В | 48-ВФБГА (8х9,5) | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 16Мбит | 55 нс | СРАМ | 1М х 16 | Параллельно | 55нс | |||||
![]() | ИС43ТР16128ДЛ-125КБЛ-ТР | 3.3306 | ![]() | 9743 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | IS43TR16128 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-TWBGA (9x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-ИС43ТР16128ДЛ-125КБЛ-ТР | EAR99 | 8542.32.0036 | 1500 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15нс | |||
![]() | W25X40VSSIG | - | ![]() | 5153 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | W25X40 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 75 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ВСПЫШКА | 512К х 8 | СПИ | 3 мс | |||||
![]() | CY7C199C-12VXCT | - | ![]() | 3983 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | CY7C199 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 256Кбит | 12 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 12нс | |||||
![]() | NDB18PFB-4DIT ТР | 3,8250 | ![]() | 9402 | 0,00000000 | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | НДБ1Л | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 60-ФБГА (8х10) | - | 1982-NDB18PFB-4DITTR | 2000 г. | 400 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 450 пс | ДРАМ | 128М х 8 | SSTL_18 | 15нс | |||||||||
![]() | IS21ES04G-JQLI | - | ![]() | 4520 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-ЛБГА | IS21ES04 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 100-LFBGA (14x18) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-IS21ES04G-JQLI | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 98 | 200 МГц | Энергонезависимый | 32Гбит | ВСПЫШКА | 4G х 8 | eMMC | - | ||||
![]() | E32030110852 | - | ![]() | 3445 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Последняя покупка | - | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MT62F4G32D8DV-023 ИТ:Б ТР | 99,5250 | ![]() | 6240 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 95°С | - | - | SDRAM — мобильный LPDDR5 | - | - | - | 557-МТ62Ф4Г32Д8ДВ-023ИТ:БТР | 2000 г. | 4266 ГГц | Неустойчивый | 128Гбит | ДРАМ | 4G х 32 | Параллельно | - | ||||||||||
![]() | S99GL128P0173 | 4.0100 | ![]() | 127 | 0,00000000 | Расширение | ГЛ-П | Масса | Активный | - | S99GL128 | ВСПЫШКА – НО | - | - | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 1 | Энергонезависимый | 128 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 16 | Параллельно | - | |||||||||||
![]() | IS25LP080D-JKLE-TR | 0,7341 | ![]() | 8009 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | IS25LP080 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (6х5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 4500 | 133 МГц | Энергонезависимый | 8Мбит | ВСПЫШКА | 1М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 800 мкс | |||||
![]() | А3944761-С | 30.0000 | ![]() | 8459 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-А3944761-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 11LC020-E/SN | 0,3750 | ![]() | 7319 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 11LC020 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 100 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8 | Одиночный провод | 5 мс | |||||
| ИС64ЛВ25616АЛ-12ТЛА3-ТР | 9.0000 | ![]() | 8168 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС64ЛВ25616 | SRAM — асинхронный | 3,135 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 4 Мбит | 12 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 12нс | ||||||
![]() | CY7C1021B-12ZXC | - | ![]() | 3541 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1021 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 142 | Неустойчивый | 1 Мбит | 12 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 12нс | Не проверено | ||||||
![]() | ИС42С16100Х-7ТЛИ | 1,4600 | ![]() | 6973 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 50-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С16100 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 50-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 117 | 143 МГц | Неустойчивый | 16Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 1М х 16 | Параллельно | - | ||||
![]() | S99AL016J0263 | - | ![]() | 8365 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W972GG8JB25I ТР | - | ![]() | 4981 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | W972GG8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 60-ШБГА (11х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1500 | 200 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 400 пс | ДРАМ | 256М х 8 | Параллельно | 15нс | ||||
![]() | ИС43ЛД16640А-3БЛИ | - | ![]() | 6668 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 134-ТФБГА | ИС43ЛД16640 | SDRAM — мобильный LPDDR2 | 1,14 В ~ 1,95 В | 134-ТФБГА (10х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 171 | 333 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15нс | |||||
![]() | CG8414AAT | - | ![]() | 9708 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 750 | |||||||||||||||||||
![]() | N25Q512A11GSF40G | - | ![]() | 4690 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | N25Q512A11 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 16-СО | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1225 | 108 МГц | Энергонезависимый | 512 Мбит | ВСПЫШКА | 128М х 4 | СПИ | 8 мс, 5 мс | ||||||
| CAT25080YI-G | - | ![]() | 9734 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | КАТ25080 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | Энергонезависимый | 8Кбит | ЭСППЗУ | 1К х 8 | СПИ | 5 мс | |||||||
![]() | NLQ26PFS-8NAT ТР | 12.4700 | ![]() | 5179 | 0,00000000 | Инсигнис Технолоджи Корпорейшн | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В | 200-ФБГА (10х14,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 2000 г. | 1,2 ГГц | Неустойчивый | 2Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 128М х 16 | ЛВСТЛ | 18нс | ||||||||
![]() | M5M5256DFP-55XL#BM | 5.7800 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | * | Масса | Активный | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||||
| 70В3589С133ВС | 179.1575 | ![]() | 3235 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 256-ЛБГА | 70В3589 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 3,15 В ~ 3,45 В | 256-КАБГА (17х17) | скачать | не соответствует RoHS | 4 (72 часа) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 133 МГц | Неустойчивый | 2Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 64К х 36 | Параллельно | - | |||||
![]() | SFEM020GB1ED1TO-I-6F-11P-STD | 38,7000 | ![]() | 120 | 0,00000000 | Свиссбит | ЭМ-36 | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 153-ТФБГА | SFEM020 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 153-БГА (11,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | 200 МГц | Энергонезависимый | 160Гбит | ВСПЫШКА | 20 г х 8 | eMMC | - | |||||
| CAT24C01WGI-26723 | - | ![]() | 9966 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | КАТ24C01 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 кГц | Энергонезависимый | 1Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 5 мс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)