SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Программируемый тип Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
AT17F040A-30CU Atmel АТ17Ф040А-30КУ 9.6500
запросить цену
ECAD 52 0,00000000 Атмел - Масса Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 8-ТДФН 2,97 В ~ 3,63 В 8-КРУГОВ (6х6) скачать 3А991Б1А 8542.32.0071 32 ВСПЫШКА 4Мб Не проверено
IDT71V416VL12Y8 Renesas Electronics America Inc ИДТ71В416ВЛ12Y8 -
запросить цену
ECAD 2184 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИДТ71В416 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-СОЮ скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В416ВЛ12И8 3A991B2A 8542.32.0041 500 Неустойчивый 4 Мбит 12 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 12нс
MEM-DR316L-CL02-ER16-C ProLabs MEM-DR316L-CL02-ER16-C 48.5000
запросить цену
ECAD 9683 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-MEM-DR316L-CL02-ER16-C EAR99 8473.30.5100 1
IS64WV20488BLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС64ВВ20488БЛЛ-10КТЛА3 25.7125
запросить цену
ECAD 3213 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Трубка Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС64ВВ20488 SRAM — асинхронный 2,4 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 135 Неустойчивый 16Мбит 10 нс СРАМ 2М х 8 Параллельно 10 нс
CY62167DV20LL-5BVI Cypress Semiconductor Corp CY62167DV20LL-5BVI -
запросить цену
ECAD 2072 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МоБЛ2™ Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА CY62167 SRAM — асинхронный 1,65 В ~ 2,2 В 48-ВФБГА (8х9,5) скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2A 8542.32.0041 1 Неустойчивый 16Мбит 55 нс СРАМ 1М х 16 Параллельно 55нс
IS43TR16128DL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ТР16128ДЛ-125КБЛ-ТР 3.3306
запросить цену
ECAD 9743 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА IS43TR16128 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 96-TWBGA (9x13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 706-ИС43ТР16128ДЛ-125КБЛ-ТР EAR99 8542.32.0036 1500 800 МГц Неустойчивый 2Гбит 20 нс ДРАМ 128М х 16 Параллельно 15нс
W25X40VSSIG Winbond Electronics W25X40VSSIG -
запросить цену
ECAD 5153 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) W25X40 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 100 75 МГц Энергонезависимый 4 Мбит ВСПЫШКА 512К х 8 СПИ 3 мс
CY7C199C-12VXCT Infineon Technologies CY7C199C-12VXCT -
запросить цену
ECAD 3983 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) CY7C199 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 256Кбит 12 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 12нс
NDB18PFB-4DIT TR Insignis Technology Corporation NDB18PFB-4DIT ТР 3,8250
запросить цену
ECAD 9402 0,00000000 Инсигнис Технолоджи Корпорейшн НДБ1Л Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 60-ТФБГА SDRAM-DDR2 1,7 В ~ 1,9 В 60-ФБГА (8х10) - 1982-NDB18PFB-4DITTR 2000 г. 400 МГц Неустойчивый 1Гбит 450 пс ДРАМ 128М х 8 SSTL_18 15нс
IS21ES04G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES04G-JQLI -
запросить цену
ECAD 4520 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-ЛБГА IS21ES04 ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В 100-LFBGA (14x18) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 706-IS21ES04G-JQLI 3А991Б1А 8542.32.0071 98 200 МГц Энергонезависимый 32Гбит ВСПЫШКА 4G х 8 eMMC -
E32030110852 Infineon Technologies E32030110852 -
запросить цену
ECAD 3445 0,00000000 Инфинеон Технологии - Масса Последняя покупка - 1
MT62F4G32D8DV-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 ИТ:Б ТР 99,5250
запросить цену
ECAD 6240 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 95°С - - SDRAM — мобильный LPDDR5 - - - 557-МТ62Ф4Г32Д8ДВ-023ИТ:БТР 2000 г. 4266 ГГц Неустойчивый 128Гбит ДРАМ 4G х 32 Параллельно -
S99GL128P0173 Spansion S99GL128P0173 4.0100
запросить цену
ECAD 127 0,00000000 Расширение ГЛ-П Масса Активный - S99GL128 ВСПЫШКА – НО - - Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 1 Энергонезависимый 128 Мбит ВСПЫШКА 8М х 16 Параллельно -
IS25LP080D-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JKLE-TR 0,7341
запросить цену
ECAD 8009 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка IS25LP080 ВСПЫШКА – НО 2,3 В ~ 3,6 В 8-ВСОН (6х5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 4500 133 МГц Энергонезависимый 8Мбит ВСПЫШКА 1М х 8 SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR 800 мкс
A3944761-C ProLabs А3944761-С 30.0000
запросить цену
ECAD 8459 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-А3944761-С EAR99 8473.30.5100 1
11LC020-E/SN Microchip Technology 11LC020-E/SN 0,3750
запросить цену
ECAD 7319 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 11LC020 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 100 кГц Энергонезависимый 2Кбит ЭСППЗУ 256 х 8 Одиночный провод 5 мс
IS64LV25616AL-12TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС64ЛВ25616АЛ-12ТЛА3-ТР 9.0000
запросить цену
ECAD 8168 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС64ЛВ25616 SRAM — асинхронный 3,135 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 4 Мбит 12 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 12нс
CY7C1021B-12ZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1021B-12ZXC -
запросить цену
ECAD 3541 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY7C1021 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3A991B2B 8542.32.0041 142 Неустойчивый 1 Мбит 12 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 12нс Не проверено
IS42S16100H-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС42С16100Х-7ТЛИ 1,4600
запросить цену
ECAD 6973 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 50-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС42С16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 50-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0002 117 143 МГц Неустойчивый 16Мбит 5,5 нс ДРАМ 1М х 16 Параллельно -
S99AL016J0263 Infineon Technologies S99AL016J0263 -
запросить цену
ECAD 8365 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший - не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1
W972GG8JB25I TR Winbond Electronics W972GG8JB25I ТР -
запросить цену
ECAD 4981 0,00000000 Винбонд Электроникс - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 60-ТФБГА W972GG8 SDRAM-DDR2 1,7 В ~ 1,9 В 60-ШБГА (11х11,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1500 200 МГц Неустойчивый 2Гбит 400 пс ДРАМ 256М х 8 Параллельно 15нс
IS43LD16640A-3BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ЛД16640А-3БЛИ -
запросить цену
ECAD 6668 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 134-ТФБГА ИС43ЛД16640 SDRAM — мобильный LPDDR2 1,14 В ~ 1,95 В 134-ТФБГА (10х11,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0032 171 333 МГц Неустойчивый 1Гбит ДРАМ 64М х 16 Параллельно 15нс
CG8414AAT Infineon Technologies CG8414AAT -
запросить цену
ECAD 9708 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 750
N25Q512A11GSF40G Micron Technology Inc. N25Q512A11GSF40G -
запросить цену
ECAD 4690 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) N25Q512A11 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 16-СО - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1225 108 МГц Энергонезависимый 512 Мбит ВСПЫШКА 128М х 4 СПИ 8 мс, 5 мс
CAT25080YI-G Catalyst Semiconductor Inc. CAT25080YI-G -
запросить цену
ECAD 9734 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) КАТ25080 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0051 1 Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 1К х 8 СПИ 5 мс
NLQ26PFS-8NAT TR Insignis Technology Corporation NLQ26PFS-8NAT ТР 12.4700
запросить цену
ECAD 5179 0,00000000 Инсигнис Технолоджи Корпорейшн Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 105°C (TC) Поверхностный монтаж 200-ВФБГА SDRAM — мобильный LPDDR4 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В 200-ФБГА (10х14,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 2000 г. 1,2 ГГц Неустойчивый 2Гбит 3,5 нс ДРАМ 128М х 16 ЛВСТЛ 18нс
M5M5256DFP-55XL#BM Renesas Electronics America Inc M5M5256DFP-55XL#BM 5.7800
запросить цену
ECAD 8 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. * Масса Активный скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0041 1
70V3589S133BC Renesas Electronics America Inc 70В3589С133ВС 179.1575
запросить цену
ECAD 3235 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 256-ЛБГА 70В3589 SRAM — двухпортовый, синхронный 3,15 В ~ 3,45 В 256-КАБГА (17х17) скачать не соответствует RoHS 4 (72 часа) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 6 133 МГц Неустойчивый 2Мбит 4,2 нс СРАМ 64К х 36 Параллельно -
SFEM020GB1ED1TO-I-6F-11P-STD Swissbit SFEM020GB1ED1TO-I-6F-11P-STD 38,7000
запросить цену
ECAD 120 0,00000000 Свиссбит ЭМ-36 Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 153-ТФБГА SFEM020 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 153-БГА (11,5х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3А991Б1А 8542.32.0071 1 200 МГц Энергонезависимый 160Гбит ВСПЫШКА 20 г х 8 eMMC -
CAT24C01WGI-26723 Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C01WGI-26723 -
запросить цену
ECAD 9966 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) КАТ24C01 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0051 1 400 кГц Энергонезависимый 1Кбит 900 нс ЭСППЗУ 128 х 8 I²C 5 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе