SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Sic programmirueTSARY
X28HC256JIZ-90 Renesas Electronics America Inc X28HC256JIZ-90 39.4287
RFQ
ECAD 4138 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-LCC (J-Lead) X28HC256 Eeprom 4,5 n 5,5. 32-PLCC (11.43x13.97) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 30 NeleTUSHIй 256 90 млн Eeprom 32K x 8 Парлель 5 мс
CAT24C32ZD2GI Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C32ZD2GI -
RFQ
ECAD 9927 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o CAT24C32 Eeprom 1,7 В ~ 5,5. 8-tdfn (3x4,9) СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан Ear99 8542.32.0051 1 1 мг NeleTUSHIй 32 900 млн Eeprom 4K x 8 I²C 5 мс
CG8098AAT Infineon Technologies CG8098AAT -
RFQ
ECAD 4792 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 750
S29GL128S11FHBV23 Infineon Technologies S29GL128S11FHBV23 5.7400
RFQ
ECAD 3192 0,00000000 Infineon Technologies Гли-с Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 64-lbga S29GL128 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 64-FBGA (13x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1600 NeleTUSHIй 128 мб 110 млн В.С. 8m x 16 Парлель 60ns
CY62128EV30LL-45SXIT Infineon Technologies CY62128EV30LL-45SXIT 3.9500
RFQ
ECAD 900 0,00000000 Infineon Technologies Mobl® Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-SOIC (0,445 ", шIRINA 11,30 мм) Cy62128 SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 32-Soic СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 1 март 45 м Шram 128K x 8 Парлель 45NS
W631GG8NB-09 Winbond Electronics W631GG8NB-09 3.4137
RFQ
ECAD 8437 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-VFBGA W631GG8 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-VFBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W631GG8NB-09 Ear99 8542.32.0032 242 1 066 ГОГ Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 SSTL_15 15NS
S25HL02GTFABHV153 Infineon Technologies S25HL02GTFABHV153 21.9375
RFQ
ECAD 6104 0,00000000 Infineon Technologies * Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 448-S25HL02GTFABHV153TR 2000
GD25Q16ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETGR 0,6552
RFQ
ECAD 3651 0,00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Sop СКАХАТА 1970-GD25Q16ETGRTR 3000 133 мг NeleTUSHIй 16 марта 7 млн В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 140 мкс, 4 мс
W631GU6NB-15 Winbond Electronics W631GU6NB-15 3.2268
RFQ
ECAD 9214 0,00000000 Винбонд - Поднос Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-VFBGA W631GU6 SDRAM - DDR3L 1 283 $ 1,45, 1425 ЕГО ~ 1575 96-VFBGA (7,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 256-W631GU6NB-15 Ear99 8542.32.0032 198 667 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
W25Q128FWPIG Winbond Electronics W25Q128FWPIG -
RFQ
ECAD 7596 0,00000000 Винбонд Spiflash® Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o W25Q128 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 60 мкс, 5 мс
SST26VF040A-104I/MF Microchip Technology SST26VF040A-104I/MF 1.4600
RFQ
ECAD 686 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА SST26 SQI® Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o SST26VF040 В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 8-WDFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 98 104 мг NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O 1,5 мс
S99GL128P0120 Infineon Technologies S99GL128P0120 -
RFQ
ECAD 2022 0,00000000 Infineon Technologies Гли-п Поднос Управо - S99GL128 Flash - нет - - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1 NeleTUSHIй 128 мб В.С. 8m x 16 Парлель -
MT62F768M64D4EK-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AIT: B TR 43 5300
RFQ
ECAD 3305 0,00000000 Micron Technology Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C. Пефер 441-TFBGA MT62F768 SDRAM - Mobile LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023AIT: Btr 1500 3,2 -е Nestabilnый 48 Гит Ддрам 768M x 64 Парлель -
CG8295AA Infineon Technologies CG8295AA -
RFQ
ECAD 6154 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Пркрэно - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135
CY7C1353F-100ACT Cypress Semiconductor Corp CY7C1353F-100ACT 3.0100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP CY7C1353 SRAM - Synchronous, SDR 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-TQFP (14x20) СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан 3A991B2A 8542.32.0041 750 100 мг Nestabilnый 4,5 мб 8 млн Шram 256K x 18 Парлель -
7140SA70JI Renesas Electronics America Inc 7140SA70JI -
RFQ
ECAD 6181 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 52-LCC (J-Lead) 7140SA Sram - dvoйnoй port 4,5 n 5,5. 52-PLCC (19.13x19.13) - Rohs 3 (168 чASOW) Ear99 8542.32.0041 24 Nestabilnый 8 70 млн Шram 1k x 8 Парлель 70NS
71V3556S166PFG8 Renesas Electronics America Inc 71V3556S166PFG8 7.7822
RFQ
ECAD 8743 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3556 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 166 мг Nestabilnый 4,5 мб 3,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
CY7C1263XV18-600BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1263XV18-600BZXC 105 4400
RFQ
ECAD 120 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA CY7C1263 SRAM - Synchronous, QDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В. 165-FBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3A991B2A 8542.32.0041 3 600 мг Nestabilnый 36 мб Шram 2m x 18 Парлель - Nprovereno
CG7734AA Cypress Semiconductor Corp CG7734AA 1.0000
RFQ
ECAD 8645 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - МАССА Управо - Neprigodnnый 1 Nprovereno
A1213046-C ProLabs A1213046-C 17,5000
RFQ
ECAD 1512 0,00000000 Пролабс * Rrowзoniчnый pakeT Актифен - ROHS COMPRINT 4932-A1213046-C Ear99 8473.30.5100 1
71V3559S80PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S80PF -
RFQ
ECAD 5095 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP 71V3559 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4,5 мб 8 млн Шram 256K x 18 Парлель -
71T75602S166BGGI8 Renesas Electronics America Inc 71T75602S166BGGI8 45 5576
RFQ
ECAD 2104 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Прохл -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 119-BGA 71T75602 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) 2 375 $ 2625 119-pbga (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 166 мг Nestabilnый 18 марта 3,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
MEM-DR340L-HL02-ER10-C ProLabs MEM-DR340L-HL02-ER10-C 17,5000
RFQ
ECAD 3169 0,00000000 Пролабс * Rrowзoniчnый pakeT Актифен - ROHS COMPRINT 4932-MEM-DR340L-HL02-ER10-C Ear99 8473.30.5100 1
CY7C1019CV33-12VI Cypress Semiconductor Corp CY7C1019CV33-12VI -
RFQ
ECAD 7298 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) CY7C1019 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
CY14B101J2-SXI Cypress Semiconductor Corp CY14B101J2-SXI 7.9600
RFQ
ECAD 373 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) CY14B101 Nvsram (neleTUShyй Sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА 38 3,4 мг NeleTUSHIй 1 март NVSRAM 128K x 8 I²C - Nprovereno
IS25LP020E-JNLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLA3-TR 0,4537
RFQ
ECAD 1090 0,00000000 Issi, ина * Lenta и катахка (tr) Актифен - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP020E-JNLA3-TR 3000
MT28GU256AAA2EGC-0SIT Micron Technology Inc. MT28GU256AAA2EGC-0SIT -
RFQ
ECAD 5204 0,00000000 Micron Technology Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 64-TBGA MT28GU256 Flash - нет 1,7 В ~ 2 В. 64-TBGA (10x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1800 133 мг NeleTUSHIй 256 мб 96 м В.С. 32 м х 8 Парлель -
BR24G128F-3GTE2 Rohm Semiconductor BR24G128F-3GTE2 0,7700
RFQ
ECAD 4 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) BR24G128 Eeprom 1,6 В ~ 5,5 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.32.0051 2500 400 kgц NeleTUSHIй 128 Eeprom 16K x 8 I²C 5 мс
IDT6116SA45TPG Renesas Electronics America Inc IDT6116SA45TPG -
RFQ
ECAD 7406 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Чereз dыru 24-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IDT6116 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 24-Pdip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 6116SA45TPG Ear99 8542.32.0041 15 Nestabilnый 16 45 м Шram 2k x 8 Парлель 45NS
CY6146CV30LL-70BAIT Cypress Semiconductor Corp CY6146CV30LL-70BAIT 2.6400
RFQ
ECAD 16 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp * МАССА Актифен - Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан 0000.00.0000 2000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе