SIC
close

PFC (KORREKSHIVEROCHOэFFISHENTAMOщNOSTI) (1146)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ASTOTA - PREREKLючENEEEE Rerжim ТЕКУИГ - СТАРТАП
BD7694FJ-E2 Rohm Semiconductor BD7694FJ-E2 1.0100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) BD7694 10 В ~ 38 В. 8-Sop-J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - Neprerыvananaiping provovodymostath (ccm) 100 мк
ICE2PCS06GXUMA1 Infineon Technologies ICE2PCS06GXUMA1 1.5500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ICE2PCS06 11 В ~ 26 В. PG-DSO-8 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 58 кг ~ 70 кгц Neprerыvananaiping provovodymostath (ccm) 450 мка
R2A20132SP#W0 Renesas Electronics America Inc R2A20132SP#W0 4.7200
RFQ
 ECAD 7379 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° С ~ 150 ° С. Пефер 20 SOIC (0,216 дюйма, Ирина 5,50 мм) R2A20132 24 20-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991A2 8542.39.0001 2000 - Критистка Айпроводимосте (CRM)
MC33368D onsemi MC33368D -
RFQ
 ECAD 1330 0,00000000 OnSemi Greenline ™ Трубка Управо -25 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) MC33368 10 В ~ 16 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 48 - Критистка Айпроводимосте (CRM) 16 май
UC2854BDWTR Texas Instruments UC2854BDWTR 4.6100
RFQ
 ECAD 4598 0,00000000 Тел - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) UC2854 10 В ~ 20 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 80 kgц ~ 120 kgц Среднит 250 мк
NCP1601AP onsemi NCP1601AP -
RFQ
 ECAD 1466 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 125 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) NCP1601 12,5 В ~ 18 В. 8-Pdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 50 58 kgц Критистка Айпроводамосте (Crm), prerыvistый (pereхod) 17 Мка
ISL6730AFUZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6730AFUZ-T -
RFQ
 ECAD 5943 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 10-tfsop, 10-мав (0,118 ", ширина 3,00 мм) ISL6730 15 В ~ 20 10-марсоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 125 кг Neprerыvananaiping provovodymostath (ccm) 106 Мка
L4986ATR STMicroelectronics L4986ATR 1.5776
RFQ
 ECAD 7303 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 10-sop (0,154 ", Ирина 390 мк) 10 В ~ 24,5. 10-Ssop - Rohs3 DOSTISH 497-L4986ATR 2500 65 кг Neprerыvananaiping provovodymostath (ccm) 400 мк
LT8312MPMS#PBF Analog Devices Inc. LT8312MPMS#PBF 18.6300
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Analog Devices Inc. - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 16-tfsop (0,118 ", 3,00 мк) LT8312 10 В ~ 38 В. 16-марсоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 37 400 kgц Пррхвист А. 80 мка
L4985A STMicroelectronics L4985A 3.0400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) L4985 10 В ~ 24,5. 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 65 кг Neprerыvananaiping provovodymostath (ccm) 400 мк
MC33232P onsemi MC33232P -
RFQ
 ECAD 7564 0,00000000 OnSemi Smartmos® Трубка Управо -20 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MC33232 12 В ~ 25 В. 8-Pdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 50 - Критистка Айпроводимосте (CRM) 50 мк
MC33262D onsemi MC33262D -
RFQ
 ECAD 5992 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) MC33262 12 В ~ 28 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 98 - Критистка Айпроводимосте (CRM) 250 мк
FAN4810N onsemi FAN4810N -
RFQ
 ECAD 2687 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) FAN4810 11 В ~ 16,5 В. 16-pdip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 - Среднит 200 мк
L4985BTR STMicroelectronics L4985btr 1.4562
RFQ
 ECAD 8837 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 10 В ~ 24,5. 8 ТАКОГО - Rohs3 DOSTISH 497-L4985btr 2500 130 Neprerыvananaiping provovodymostath (ccm) 400 мк
NCP1616A2DR2G onsemi NCP1616A2DR2G 1.6100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 10-sop (0,154 ", Ирина 3,90 мм), 9 Свинов NCP1616 9,5 n8 28 В. 9 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 26 kgц КОНТРОЛИРЕМА АСПОТАТА 12 май
UCC29910APWR Texas Instruments UCC29910APWR 3.1800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Тел - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 14-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) UCC29910 3 В ~ 3,6 В. 14-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 94 кг ~ 106 кгц Среднит
AP1661MTR-E1 Diodes Incorporated AP1661MTR-E1 -
RFQ
 ECAD 6104 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) AP1661 14,5 В. 8 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 4000 - Поньяньяна Провроводимосте (BCM) 50 мк
MC33232PG onsemi MC33232PG -
RFQ
 ECAD 6518 0,00000000 OnSemi Smartmos® Трубка Управо -20 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) MC33232 12 В ~ 25 В. 8-Pdip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 50 - Критистка Айпроводимосте (CRM) 50 мк
UC2854DWTR Texas Instruments UC2854DWTR 1.9410
RFQ
 ECAD 5690 0,00000000 Тел - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) UC2854 14,5 n30. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 200 kgц Среднит 1,5 мая
UCC2818DWTR Texas Instruments UCC2818DWTR 2.1600
RFQ
 ECAD 2984 0,00000000 Тел - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) UCC2818 12 В ~ 17 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 6 kgц ~ 220 kgц Среднит 150 мк
UCC28501DW Texas Instruments UCC28501DW 5.6853
RFQ
 ECAD 3411 0,00000000 Тел - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 20 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) UCC28501 9,7 В. 20 лейт СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 80 kgц ~ 120 kgц Среднит 150 мк
UCC3818DWTR Texas Instruments UCC3818DWTR 3.4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Тел - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) UCC3818 12 В ~ 17 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 6 kgц ~ 220 kgц Среднит 150 мк
UCC28063D Texas Instruments UCC28063D 2.5700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Тел На том, что инингриовани ™ МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) UCC28063 14 В ~ 21 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 40 - Прреостет (Perreхod) 100 мк
FAN4800ASNY onsemi FAN4800ASNY -
RFQ
 ECAD 7702 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) FAN4800 11 В ~ 26 В. 16-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1500 240 kgц ~ 268 kgц Среднит 30 мк
RT7300BGS Richtek USA Inc. RT7300BGS -
RFQ
 ECAD 8442 0,00000000 Richtek USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) RT7300 12 В ~ 25 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 120 kgц Критистка Айпроводимосте (CRM) 20 мк
UCC2818ANG4 Texas Instruments UCC2818ANG4 -
RFQ
 ECAD 1583 0,00000000 Тел - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) UCC2818 12 В ~ 17 В. 16-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 25 6 kgц ~ 220 kgц Среднит 150 мк
LT8312MPMS#TRPBF Analog Devices Inc. LT8312MPMS#TRPBF 12.5550
RFQ
 ECAD 7157 0,00000000 Analog Devices Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 16-tfsop (0,118 ", 3,00 мк) LT8312 10 В ~ 38 В. 16-марсоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 400 kgц Пррхвист А. 80 мка
ML4800CP onsemi ML4800CP -
RFQ
 ECAD 4000 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ML4800 11 В ~ 16,5 В. 16-pdip СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 500 76 Среднит 200 мк
UCC28051DG4 Unitrode UCC28051DG4 -
RFQ
 ECAD 4063 0,00000000 Unitrode - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) UCC28051 12 В ~ 18 8 лейт СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 200 kgц Прреостет (Perreхod) 75 Мка
ML4800CSX onsemi ML4800CSX -
RFQ
 ECAD 3572 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C. Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ML4800 11 В ~ 16,5 В. 16 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 76 Среднит 200 мк
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть