SIC
close

ЕПРЕЙНЕЕ ВЕРГЕТИКО (PMIC) (1138)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ На Втипа Sic programmirueTSARY Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Tykuщiй - pocoayщiй (iq) ТИП КАНАЛА Фунеми ипра Vodnaver -koanfiguraцian ТОК - В.О. ЕПРАНАЛЬНО Колиство ТИП Logeчeskoe anprayaeneeee - vil, vih Ток - ПикВода (Истошник, Раковина) Верна На На Колиш Otstupee napryanemane (mmaks) PSRR Особенносот
TCR2EN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN18, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 1,8 В. - 1 0,29- 300 май, 0,3 Вр. - На ТОКОМ
TCR2EN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN19, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 1,9 - 1 0,29- 300 май, 0,3 Вр. - На ТОКОМ
TCR3UM175A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A, LF (SE 0,4700
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-udfn otkrыtaiNeploщaudka 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-DFN (1x1) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 680 NA ТОК, ОГРАНЕ, ВСКЛИТ Poloshitelnый 300 май 1,75 В. - 1 0,573V @ 300 мая - На
TCR2LN095,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN095, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR2LN Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 2 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 0,95 В. - 1 1,46 В @ 150 - На ТОКОМ
TCR3DM25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM25, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-udfn otkrыtaiNeploщaudka 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-DFN (1x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 ДАВАТ Poloshitelnый 300 май 2,5 В. - 1 0,29 Е @ 300 Ма 70 дБ (1 кг) На
TCR2EN12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN12, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 1,2 В. - 1 0,55 -пр. 150 - На ТОКОМ
TCR2EN34,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN34, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 3,4 В. - 1 0,18- 150 - На ТОКОМ
TCR3UM08A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM08A, LF (SE 0,4700
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-udfn otkrыtaiNeploщaudka 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-DFN (1x1) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 580 NA ТОК, ОГРАНЕ, ВСКЛИТ Poloshitelnый 300 май 0,8 В. - 1 1.257V @ 300MA 70 дБ (1 кг) На
TCR2LN28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN28, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR2LN Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 2 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 2,8 В. - 1 0,36- 150 - На ТОКОМ
TCR3RM10A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A, LF (SE 0,4600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR3RM Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xdfn oTkrыTAIN ANPLOUSCA TCR3RM10 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-DFNC (1x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 12 Мка ТОК, ОГРАНЕ, ВСКЛИТ Poloshitelnый 300 май 1V - 1 - - На
TCR2EN13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN13, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 1,3 В. - 1 0,45 -прри 150 - На ТОКОМ
TCR3DM30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM30, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-udfn otkrыtaiNeploщaudka 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-DFN (1x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 ДАВАТ Poloshitelnый 300 май 3В - 1 0,25 Е @ 300 Ма - На
TCR3DM32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM32, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-udfn otkrыtaiNeploщaudka 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-DFN (1x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 ДАВАТ Poloshitelnый 300 май 3,2 В. - 1 0,23 В @ 300 мая - На
TCR3RM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM28A, LF (SE 0,4600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR3RM Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xdfn oTkrыTAIN ANPLOUSCA TCR3RM28 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-DFNC (1x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 12 Мка ТОК, ОГРАНЕ, ВСКЛИТ Poloshitelnый 300 май 2,8 В. - 1 0,15 В @ 300 мая 100 дБ ~ 68 дБ (1 кг ~ 1 мг) На
TCR2EN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN105, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca TCR2en105 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 1,05 - 1 0,75 -пр. 150 - На ТОКОМ
TCR2LN32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR2LN Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 2 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 3,2 В. - 1 0,28 -пр. 150 - На ТОКОМ
TCR3RM12A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM12A, LF (SE 0,4600
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR3RM Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xdfn oTkrыTAIN ANPLOUSCA TCR3RM12 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-DFNC (1x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 12 Мка ТОК, ОГРАНЕ, ВСКЛИТ Poloshitelnый 300 май 1,2 В. - 1 - - На
TCR3DM285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM285, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-udfn otkrыtaiNeploщaudka 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-DFN (1x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 ДАВАТ Poloshitelnый 300 май 2,85 В. - 1 0,25 Е @ 300 Ма - На
TCR2LN27,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN27, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR2LN Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 2 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 2,7 В. - 1 0,36- 150 - На ТОКОМ
TCR3DM10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM10, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-udfn otkrыtaiNeploщaudka 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-DFN (1x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 ДАВАТ Poloshitelnый 300 май 1V - 1 0,75 - @ 300 мая - На
TCR3RM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM18A, LF (SE 0,4600
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR3RM Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xdfn oTkrыTAIN ANPLOUSCA TCR3RM18 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-DFNC (1x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 12 Мка ТОК, ОГРАНЕ, ВСКЛИТ Poloshitelnый 300 май 1,8 В. - 1 0,22 В @ 300 мая - На
TCR2EN125,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 60 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 1,25 - 1 0,55 -пр. 150 - На ТОКОМ
TCR2LN10,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN10, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR2LN Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 2 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 1V - 1 1,38 Е @ 150 - На ТОКОМ
TCR2LN15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN15, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee TCR2LN Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-SDFN (0,8x0,8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 2 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 1,5 В. - 1 1.11V @ 150MA - На ТОКОМ
TCR3DM15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM15, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-udfn otkrыtaiNeploщaudka 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-DFN (1x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 ДАВАТ Poloshitelnый 300 май 1,5 В. - 1 0,45 В @ 300 мая - На
TCR3DM36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM36, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 68 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 4-udfn otkrыtaiNeploщaudka 5,5 В. Зaikcyrovannnый 4-DFN (1x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 10000 ДАВАТ Poloshitelnый 300 май 3,6 В. - 1 0,2- 300 мая - На
TCK424G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK424G, L3F 0,8500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-xFBGA, WLCSP TCK424 Nerting Nprovereno 2,7 В ~ 28 В. 6-wcspg (0,8x1,2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 264-TCK424GL3FCT Ear99 8542.39.0001 5000 Одинокий Вес 1 N-каненский мосфет 0,4 В, 1,2 В. - -
TCK423G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK423G, L3F 0,8500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-xFBGA, WLCSP TCK423 Nerting Nprovereno 2,7 В ~ 28 В. 6-wcspg (0,8x1,2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 5000 Одинокий Вес 1 N-каненский мосфет 0,4 В, 1,2 В. - -
TCK128AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK128AG, LF -
RFQ
 ECAD 2792 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен TCK128 - 264-TCK128AG, LFTR Ear99 8542.39.0001 1
TCK420G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK420G, L3F 0,8500
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 6-xFBGA, WLCSP TCK420 Nerting Nprovereno 2,7 В ~ 28 В. 6-wcspg (0,8x1,2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8542.39.0001 5000 Одинокий Вес 1 N-каненский мосфет 0,4 В, 1,2 В. - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть