SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta ТИПВ ЧastoTA В конце Втипа Sic programmirueTSARY Сооотвор - Вес: Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия Ток - На Имен Колист ТИП КАНАЛА Внутронни ТОПОЛОГЯ Зaщita ot neeprawnosteй На Vodnaver -koanfiguraцian Метод ТОГАНА ТОК - В.О. Rds nna (typ) Naprayжeniee - nagruзca ЕПРАНАЛЬНО Колиство ТИП Logeчeskoe anprayaeneeee - vil, vih Ток - ПикВода (Истошник, Раковина) Верна Ведокообооборот Pogruehenee На В конце ТИП Ток -
IXDF604SIA IXYS Integrated Circuits Division IXDF604SIA 2.2100
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IXDF604 Иртировани, nertingeng Nprovereno 4,5 В ~ 35 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH CLA359 Ear99 8542.39.0001 100 NeShavymymый В.яя Стер 2 Igbt, n-Kanalol, p-Kanalnый mosfet 0,8 В, 3 В 4а, 4а 9ns, 8ns
IXDD614YI IXYS Integrated Circuits Division Ixdd614yi 6.0900
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер TO-263-6, D²PAK (5 голов + TAB), TO-263BA - IXDD614 Nerting - 1: 1 263-5 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 50 Ne o. ВЫКЛ/OFF 1 - В.яя Стер - 4,5 В ~ 35 В. О том, как 4 а
IXDF604SIATR IXYS Integrated Circuits Division Ixdf604siatr 1.0605
RFQ
ECAD 4654 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IXDF604 Иртировани, nertingeng Nprovereno 4,5 В ~ 35 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 NeShavymymый В.яя Стер 2 Igbt, n-Kanalol, p-Kanalnый mosfet 0,8 В, 3 В 4а, 4а 9ns, 8ns
IXDN630CI IXYS Integrated Circuits Division Ixdn630ci 9.7600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-5 Ixdn630 Nerting Nprovereno 12,5 В ~ 35 В. 220-5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH CLA374 Ear99 8542.39.0001 50 Одинокий В.яя Стер 1 Igbt, n-Kanalol, p-Kanalnый mosfet 0,8 В, 3,5 В. 30 часов, 30 а. 11ns, 11ns
MXHV9910BE IXYS Integrated Circuits Division MXHV9910BE 2.5200
RFQ
ECAD 737 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Вес Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). AC DC Offline Switcherer MXHV9910 64 8 SOIC-EP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 100 - 1 Не UniversitteTTeTTeTTET (DOLLARR) 450 Шyr -
IXDD614D2TR IXYS Integrated Circuits Division IXDD614D2TR -
RFQ
ECAD 3014 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-6, D²PAK (5 голов + TAB), TO-263BA IXDD614 Nerting Nprovereno 4,5 В ~ 35 В. 263 (D²PAK) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 Одинокий В.яя Стер 1 Igbt, n-Kanalol, p-Kanalnый mosfet 0,8 В, 3 В 14a, 14a 25NS, 18NS
LDS8865002-T2-250 IXYS Integrated Circuits Division LDS8865002-T2-250 -
RFQ
ECAD 7457 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Подцетка Пефер 16-wfqfn otkrыtai-anploщadka DC DC -reghulor LDS8865 1,1 мг 16-TQFN (3x3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 32 май 6 В дар Pereklючennnnый koanneNsAtror (зAraOdnnый nasos) 5,5 В. Шyr 2,7 В.
MX884HTTR IXYS Integrated Circuits Division MX884HTTR -
RFQ
ECAD 8986 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MX884 3 В ~ 60 В. TSOT-23-6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 ТЕКУХИЙСМОНИТОР Вес - -
IXDI609SI IXYS Integrated Circuits Division Ixdi609si 3.2200
RFQ
ECAD 12 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). Ixdi609 Иртировани Nprovereno 4,5 В ~ 35 В. 8 SOIC-EP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 100 Одинокий В.яя Стер 1 Igbt, n-Kanalol, p-Kanalnый mosfet 0,8 В, 3 В 9А, 9А 22NS, 15NS
IX4428NTR IXYS Integrated Circuits Division IX4428NTR 1.2400
RFQ
ECAD 56 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IX4428 Иртировани, nertingeng Nprovereno 4,5 В ~ 30 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 NeShavymymый В.яя Стер 2 N-kanal, p-Kanalhnый mosfet 0,8 В, 2,4 В. 1,5а, 1,5а 10NS, 8NS
IXI858S1 IXYS Integrated Circuits Division Ixi858s1 -
RFQ
ECAD 9587 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Трубка Пркрэно -25 ° C ~ 125 ° C. КОНВЕР, МИККРОКОНТРОЛЕРС Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Ixi858 8,2 В ~ 17 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 100 1
IXDN609SIATR IXYS Integrated Circuits Division Ixdn609siatr 2.1300
RFQ
ECAD 30 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IXDN609 Nerting Nprovereno 4,5 В ~ 35 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 Одинокий В.яя Стер 1 Igbt, n-Kanalol, p-Kanalnый mosfet 0,8 В, 3 В 9А, 9А 22NS, 15NS
IX21844G IXYS Integrated Circuits Division IX21844G -
RFQ
ECAD 7589 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Трубка Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 14-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) IX21844 Nerting Nprovereno 10 В ~ 20 В. 14-Dip - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 50 Синжронно Полумос 2 Igbt, n-Kanalhnый mosfet 0,8 В, 2 В 1.4a, 1.8a 23ns, 14ns 600
IX4424N IXYS Integrated Circuits Division IX4424N -
RFQ
ECAD 6798 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IX4424 Nerting Nprovereno 4,5 В ~ 30 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH CLA397 Ear99 8542.39.0001 100 NeShavymymый В.яя Стер 2 N-kanal, p-Kanalhnый mosfet 0,8 В, 3 В 3а, 3а 18ns, 18ns
IXDN604SIA IXYS Integrated Circuits Division Ixdn604sia 2.1500
RFQ
ECAD 32 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IXDN604 Nerting Nprovereno 4,5 В ~ 35 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH CLA337 Ear99 8542.39.0001 100 NeShavymymый В.яя Стер 2 Igbt, n-Kanalol, p-Kanalnый mosfet 0,8 В, 3 В 4а, 4а 9ns, 8ns
CPC9909NTR IXYS Integrated Circuits Division CPC9909NTR 2.5100
RFQ
ECAD 6220 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Вес Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) AC DC Offline Switcherer CPC9909 30 kgц ~ 120 kgц 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 - 1 Не Шag (buck), ш ageverх (Boost) 550 Шyr -
IXDN614SI IXYS Integrated Circuits Division Ixdn614si 4.9300
RFQ
ECAD 21 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). Ixdn614 Nerting Nprovereno 4,5 В ~ 35 В. 8 SOIC-EP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 100 Одинокий В.яя Стер 1 Igbt, n-Kanalol, p-Kanalnый mosfet 0,8 В, 3 В 14a, 14a 25NS, 18NS
IXDD604SITR IXYS Integrated Circuits Division IXDD604SITR 3.6300
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Ixys Integrated Circuits Division - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). IXDD604 Nerting Nprovereno 4,5 В ~ 35 В. 8 SOIC-EP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 NeShavymymый В.яя Стер 2 Igbt, n-Kanalol, p-Kanalnый mosfet 0,8 В, 3 В 4а, 4а 9ns, 8ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе