SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Терпимость Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Ток - Посткака В конце На Втипа ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар СССЛОНГИП Tykuщiй - pocoayщiй (iq) Фунеми ипра Vodnaver -koanfiguraцian ТОК - В.О. На Шuem - oT 0,1 gцd 10 gц Шuem - ot 10 gцd 10 kgц ТОК - КАТОД На Колиш Otstupee napryanemane (mmaks) PSRR Особенносот
LDI559-3.3EN Diotec Semiconductor LDI559-3.3en -
RFQ
ECAD 6404 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен СКАХАТА ROHS COMPRINT 3 (168 чASOW) DOSTISH 2796-LDI559-3,3ENTR 8542.39.9000 3000
DI78L09UAB Diotec Semiconductor Di78l09uab 0,1252
RFQ
ECAD 6645 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 243а 30 Зaikcyrovannnый SOT-89 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-DI78L09UABTR 8542.39.9000 1000 6 май - Poloshitelnый 100 май - 1 - 44 дБ (120 ГГ) Nantemperouturoй, короксия
LDI1117-ADU Diotec Semiconductor LDI1117-Adu 0,0949
RFQ
ECAD 4943 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 243а 15 Rerhulyruemый SOT-89 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-LDI1117-Adutr 8542.39.9000 1000 10 май - Poloshitelnый 1,35а 1,25 13.65V 1 1,25 - @ 1a 75 дБ (120 ГГ) На
DI78L24UAB Diotec Semiconductor Di78l24uab 1.0128
RFQ
ECAD 1 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 243а 40 Зaikcyrovannnый SOT-89 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-DI78L24UABTR 8542.39.9000 250 6,5 мая - Poloshitelnый 100 май 24 25 В 1 1,7 37 ДБ (120 ГГ) Nantocom, wemperaturы, корок
DI79L09ZAB Diotec Semiconductor Di79l09zab 0,6560
RFQ
ECAD 8765 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА -30 Зaikcyrovannnый Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-DI79L09ZABTR 8542.39.9000 500 6 май - Ох 100 май -9V -9,4в. 1 1,7 - @ 40 мая 45 дБ (120 ГГ) Nantemperouturoй, короксия
LDI1117-05U Diotec Semiconductor LDI1117-05U 0,0949
RFQ
ECAD 5287 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 243а 15 Зaikcyrovannnый SOT-89 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-LDI1117-05UTR 8542.39.9000 1000 10 май - Poloshitelnый 1,35а - 1 1,25 - @ 1a 75 дБ (120 ГГ) На
DI78L15DAB Diotec Semiconductor Di78l15dab 0,1171
RFQ
ECAD 7035 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 35 Зaikcyrovannnый 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-DI78L15DABTR 8542.39.9000 4000 6,5 мая - Poloshitelnый 100 май 15 - 1 - 39 ДБ (120 ГГ) Nantemperouturoй, короксия
DI79L10DAB Diotec Semiconductor DI79L10DAB 0,1461
RFQ
ECAD 8470 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) -30 Зaikcyrovannnый 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-DI79L10DABTR 8542.39.9000 4000 6 май - Ох 100 май -10 - 1 - 44 дБ (120 ГГ) Nantemperouturoй, короксия
DI62063.0S1 Diotec Semiconductor DI62063.0S1 0,1252
RFQ
ECAD 9064 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Зaikcyrovannnый SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-DI62063.0S1TR 8542.39.9000 3000 - Poloshitelnый 200 май - 1 0,68 -5 -май 49 ДБ (120 ГОВО) На ТОКОМ
LDI1117-ADH Diotec Semiconductor LDI1117-ADH 0,0989
RFQ
ECAD 6142 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA 15 Rerhulyruemый SOT-223 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-LDI1117-ADHTR 8542.39.9000 2500 10 май - Poloshitelnый 1,35а 1,25 13.65V 1 1,25 - @ 1a 75 дБ (120 ГГ) На
LDI1117-1.8D Diotec Semiconductor LDI1117-1.8d 0,5261
RFQ
ECAD 7292 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 15 Зaikcyrovannnый 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-LDI1117-1.8dtr 8542.39.9000 1000 10 май ТОК Poloshitelnый 1,35а 1,8 В. 1818v 1 1,25 - @ 1a 75 дБ (120 ГГ) На
LDI1117-1.2D Diotec Semiconductor LDI1117-1.2d 0,5261
RFQ
ECAD 6002 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 15 Зaikcyrovannnый 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-LDI1117-1.2dtr 8542.39.9000 1000 10 май ТОК Poloshitelnый 1,35а 1,2 В. 1.224V 1 1,25 - @ 1a 75 дБ (120 ГГ) На
LDI1117-3.3U Diotec Semiconductor LDI1117-3.3U 0,0949
RFQ
ECAD 53 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 243а 15 Зaikcyrovannnый SOT-89 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-LDI1117-3,3UTR Ear99 8542.39.0001 1000 10 май - Poloshitelnый 1,35а 3,3 В. - 1 1,25 - @ 1a 75 дБ (120 ГГ) На
DI78L06UAB Diotec Semiconductor Di78l06uab 1.1351
RFQ
ECAD 3442 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 243а 30 Зaikcyrovannnый SOT-89 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-DI78L06UABTR 8542.39.9000 250 6 май - Poloshitelnый 100 май 6,24 В. 1 1,7 46 дБ (120 ГГ) Nantocom, wemperaturы, корок
DI79L24DAB Diotec Semiconductor DI79L24DAB 0,1461
RFQ
ECAD 6581 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) -39V Зaikcyrovannnый 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-DI79L24DABTR 8542.39.9000 4000 6,5 мая - Ох 100 май -24V - 1 - 33 ДБ (120 ГГ) Nantemperouturoй, короксия
DI62062.5S2 Diotec Semiconductor DI62062,5S2 0,1171
RFQ
ECAD 5988 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Зaikcyrovannnый SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-DI62062,5S2TR 8542.39.9000 3000 - Poloshitelnый 200 май 2,5 В. - 1 0,71 -пр. 100 май 49 ДБ (120 ГОВО) На ТОКОМ
DI78L24ZAB Diotec Semiconductor Di78l24zab 0,0837
RFQ
ECAD 6396 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 40 Зaikcyrovannnый Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-DI78L24ZABTR 8542.39.9000 2000 6,5 мая - Poloshitelnый 100 май 24 - 1 1,7 - @ 100 мая 37 ДБ (120 ГГ) Nantocom, wemperaturы, корок
LDI8233-3.3EN Diotec Semiconductor LDI8233-3.3en 0,3466
RFQ
ECAD 6121 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 40 SOT-23-5 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Продан 2796-LDI8233-3,3ENTR 8542.39.9000 3000 6 мка 100 май 3,27 0,58 -псы 100 май
DI78L05DAB Diotec Semiconductor Di78l05dab 0,1171
RFQ
ECAD 2606 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 30 Зaikcyrovannnый 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-DI78L05DABTR 8542.39.9000 4000 6 май - Poloshitelnый 100 май - 1 - 49 ДБ (120 ГОВО) Nantemperouturoй, короксия
MMTL431BR Diotec Semiconductor MMTL431BR 0,0694
RFQ
ECAD 7566 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 0,5% -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMTL431 - 2,49 Rerhulyruemый - SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан 2796-MMTL431BRTR 8541.10.0000 3000 ШUNT 100 май 2,49 - - 300 мк 36
MMTV4041 Diotec Semiconductor MMTV4041 0,6276
RFQ
ECAD 6329 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен ± 0,5% -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMTV4041 - 1,23 В. Зaikcyrovannnый - SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2721-MMTV4041TR 8541.10.0000 750 ШUNT 20 май 1,24 - - 100 мк 1,25
DI79L15ZAB Diotec Semiconductor Di79l15zab 0,1046
RFQ
ECAD 3644 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) -30 Зaikcyrovannnый Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-DI79L15ZABTR 8542.39.9000 2000 6,5 мая - Ох 100 май -15V - 1 1,7 - @ 100 мая 39 ДБ (120 ГГ) Nantocom, wemperaturы, корок
DI79L08UAB Diotec Semiconductor DI79L08UAB 0,1461
RFQ
ECAD 9475 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 243а -23V Зaikcyrovannnый SOT-89 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-DI79L08UABTR 8542.39.9000 1000 6 май - Ох 100 май -8V - 1 - 46 дБ (120 ГГ) Nantemperouturoй, короксия
DI62063.6S1 Diotec Semiconductor DI62063.6S1 0,1252
RFQ
ECAD 2491 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Зaikcyrovannnый SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-DI62063.6S1TR 8542.39.9000 3000 - Poloshitelnый 200 май 3,6 В. - 1 0,68 -5 -май 49 ДБ (120 ГОВО) На ТОКОМ
LDI559-3.6EN Diotec Semiconductor LDI559-3.6en -
RFQ
ECAD 6713 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан 2796-LDI559-3,6ENTR 8542.39.9000 3000
LDI1117-1.5D Diotec Semiconductor LDI1117-1.5d 0,1461
RFQ
ECAD 8361 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 15 Зaikcyrovannnый 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-LDI1117-1.5dtr 8542.39.9000 4000 10 май - Poloshitelnый 1,35а 1,5 В. - 1 1,25 - @ 1a 75 дБ (120 ГГ) На
LDI67-05EEN Diotec Semiconductor LDI67-05een -
RFQ
ECAD 1872 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 3 (168 чASOW) Продан 2796-LDI67-05EENTR 8542.39.9000 4000
LDI8233-05U Diotec Semiconductor LDI8233-05U 0,3409
RFQ
ECAD 7792 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 40 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) Продан 2796-LDI8233-05UTR 8542.39.9000 1000 6 мка 100 май 4,95 1,2 -псы 100 май
LDI8119-2.5EN Diotec Semiconductor LDI8119-2.5en -
RFQ
ECAD 7286 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен СКАХАТА ROHS COMPRINT 3 (168 чASOW) DOSTISH 2796-LDI8119-2.5Entr 8542.39.9000 3000
DI78L08DAB Diotec Semiconductor Di78l08dab 0,1171
RFQ
ECAD 8845 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 30 Зaikcyrovannnый 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 2796-DI78L08DABTR 8542.39.9000 4000 6 май - Poloshitelnый 100 май - 1 - 45 дБ (120 ГГ) Nantemperouturoй, короксия
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе