Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-components.com
Ибрагейн | Nomerprodookta | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Ecad | Колист | Вер (К.) | Млн | В припании | Епако | Степень Продукта | Rraboч -yemperatura | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | Baзowый nomer prodikta | Тела | Ток - Посткака | На | Втипа | Sic programmirueTSARY | Колист | Napraheneee - posta | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Техниль | Статус Ройс | Вернояж | Доусейн Статуса | Дрогин ИНЕНА | Eccn | Htsus | Станодадж | Файнкхия | Степень | -3db polosa propupyskanya | Ток - | ТИП ИСИЛИТЕЛ | Ток - | На | На | На | Nomer- /Водад | О. | Raзmer jadra | Скороп | Подклхейни | Пефер -вусрост | Raзmerpmayti programmы | ТИПППАМАЙТИ ПРОГРАММА | Eeprom raзmer | Raзmer operativnoй papmayti | На | Прроуваали Дьянн | ТИП ГЕЙНЕРАТОРА | Колист | ТИП ПАМАТИ | Raзmerpmayti | Tykuщiй - pocoayщiй (iq) | Вернее | Формат пэмаи | Органихая | ИНЕРФЕРСП | Верный | ТОПОЛОГЯ | ASTOTA - PREREKLючENEEEE | Фунеми ипра | Vodnaver -koanfiguraцian | Веса | Raboshyй цikl (mmaks) | Синронн | Чasы sinхroniзajaip | Сэридж и | ТОК - В.О. | На | На | На | Колиш | Otstupee napryanemane (mmaks) | PSRR | Особенносот |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 5V49EE903-003PGGI | - | ![]() | 6904 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | МАССА | Управо | Nprovereno | - | 800-5V49EE903-003PGGI | Управо | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 7132LA35PDGI | - | ![]() | 1757 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | МАССА | Управо | - | 800-7132LA35PDGI | Управо | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL1557IRZS2774 | - | ![]() | 1714 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | МАССА | Управо | СКАХАТА | Rohs3 | DOSTISH | 20-ISL1557IRZS2774 | Управо | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL1571IRZ-T7S2711 | - | ![]() | 1562 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | МАССА | Управо | - | Rohs3 | DOSTISH | 20-ISL1571IRZ-T7S2711 | Управо | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL24826IRZ | - | ![]() | 3876 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | МАССА | Управо | - | Rohs3 | DOSTISH | 20-ISL24826IRZ | Управо | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL6115CBZA-TR5217 | - | ![]() | 6387 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | МАССА | Управо | ISL6115 | СКАХАТА | Rohs3 | DOSTISH | 20-ISL6115CBZA-TR5217 | Управо | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL24826IRZ-T13 | - | ![]() | 3034 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | МАССА | Управо | - | Rohs3 | DOSTISH | 20-ISL24826IRZ-T13 | Управо | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL24827IRZ-T13 | - | ![]() | 2397 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | МАССА | Управо | - | Rohs3 | DOSTISH | 20-ISL24827IRZ-T13 | Управо | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL98607EIAZ-TS2724 | - | ![]() | 4213 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | МАССА | Управо | - | Rohs3 | DOSTISH | 20-ISL98607EIAZ-TS2724 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F52315CDND#20 | 5.4500 | ![]() | 1932 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX200 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 64-wfqfn otkrыtai-an-ploщadca | R5F52315 | 64-HWQFN (9x9) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 559-R5F52315CDND#20 | 260 | 43 | RXV2 | 32-битвен | 54 мг | I²C, IRDA, SCI, SD/SDIO, SPI, SSI, USB OTG | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 128KB (128K x 8) | В.С. | 8K x 8 | 32K x 8 | 1,8 В ~ 5,5 В. | A/D 12x12b; D/A 2x12b | Внутронни | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F51303Adne#20 | 3.6100 | ![]() | 8586 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX100 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-WFQFN PAD | R5F51303 | 48-HWQFN (7x7) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 559-R5F51303Adne#20 | 416 | 38 | Rx | 32-битвен | 32 мг | I²C, Linbus, Sci, Spi | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 64 кб (64K x 8) | В.С. | 8K x 8 | 10K x 8 | 1,8 В ~ 5,5 В. | A/D 10x12b | Внутронни | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F52306Adnd#20 | 5.7400 | ![]() | 1191 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX200 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 64-wfqfn otkrыtai-an-ploщadca | R5F52306 | 64-HWQFN (9x9) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 559-R5F52306Adnd#20 | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 260 | 47 | RXV2 | 32-битвен | 54 мг | Canbus, Ebi/emi, I²C, Irda, Sci, SD/SDIO, SPI, SSI, USB OTG | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 256 кб (256 л. С. х 8) | В.С. | 8K x 8 | 32K x 8 | 1,8 В ~ 5,5 В. | A/D 12x12b; D/A 2x12b | Внутронни | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F52315Adne#20 | 5.6600 | ![]() | 8192 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX200 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-WFQFN PAD | R5F52315 | 48-HWQFN (7x7) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 559-R5F52315Adne#20 | 416 | 30 | RXV2 | 32-битвен | 54 мг | Canbus, I²C, IRDA, SCI, SD/SDIO, SPI, SSI, USB OTG | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 128KB (128K x 8) | В.С. | 8K x 8 | 32K x 8 | 1,8 В ~ 5,5 В. | A/D 8x12b | Внутронни | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F52318BDNE#20 | 8.0400 | ![]() | 9331 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX200 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-WFQFN PAD | R5F52318 | 48-HWQFN (7x7) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 559-R5F52318BDNE#20 | 416 | 30 | RXV2 | 32-битвен | 54 мг | Canbus, I²C, IRDA, SCI, SD/SDIO, SPI, SSI, USB OTG | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 512KB (512K x 8) | В.С. | 8K x 8 | 64K x 8 | 1,8 В ~ 5,5 В. | A/D 8x12b | Внутронни | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F5111111ADNF#2A | 3.0500 | ![]() | 6141 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX111 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 40-wfqfn otkrыtaiNeplo-o | R5F51111 | 40-HWQFN (6x6) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 559-R5F51111111DNF#2A | 490 | 24 | Rx | 32-битвен | 32 мг | I²C, SCI, SPI, USB | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 32KB (32K x 8) | В.С. | 8K x 8 | 10K x 8 | 1,8 В ~ 3,6 В. | A/D 8x12b | Внутронни | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F51115Adne#2A | 3.4400 | ![]() | 3203 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX111 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-WFQFN PAD | R5F51115 | 48-HWQFN (7x7) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 559-R5F51115ADNE#2A | 416 | 30 | Rx | 32-битвен | 32 мг | I²C, SCI, SPI, USB | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 128KB (128K x 8) | В.С. | 8K x 8 | 16K x 8 | 1,8 В ~ 3,6 В. | A/D 10x12b | Внутронни | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F52315CDNE#20 | 5.2200 | ![]() | 5823 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX200 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-WFQFN PAD | R5F52315 | 48-HWQFN (7x7) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 559-R5F52315CDNE#20 | 416 | 30 | RXV2 | 32-битвен | 54 мг | Canbus, Ebi/emi, I²C, Irda, Sci, SD/SDIO, SPI, SSI, USB OTG | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 128KB (128K x 8) | В.С. | 8K x 8 | 32K x 8 | 1,8 В ~ 5,5 В. | A/D 8x12b | Внутронни | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F52305ADNE#20 | 4.9300 | ![]() | 1427 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RX200 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 48-WFQFN PAD | R5F52305 | 48-HWQFN (7x7) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 559-R5F52305ADNE#20 | 416 | 34 | RXV2 | 32-битвен | 54 мг | I²C, Irda, Sci, Spi, SSI | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 128KB (128K x 8) | В.С. | 8K x 8 | 32K x 8 | 1,8 В ~ 5,5 В. | A/D 8x12b | Внутронни | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R7FA6M5BF2CBG#AC0 | 15.9600 | ![]() | 255 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RA6M5 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 176-LFBGA | R7FA6M5 | 176-LFBGA (13x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 5A992C | 8542.31.0001 | 25 | 133 | ARM® Cortex®-M33 | 32-битвен | 200 мг | Canbus, Ethernet, I²C, MMC/SD, SCI, SPI, QSPI, UART/USART, USB | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 1 мар (1 м х 8) | В.С. | 8K x 8 | 512K x 8 | 2,7 В ~ 3,6 В. | A/D 29x12b SAR; D/A 2x12b | VneShoniй, Внутронни | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R7FA6M5BG3CFC#AA0 | 16.6100 | ![]() | 1998 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RA6M5 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 176-LQFP | R7FA6M5 | 176-lfqfp (24x24) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 5A992C | 8542.31.0001 | 25 | 133 | ARM® Cortex®-M33 | 32-битвен | 200 мг | Canbus, Ethernet, I²C, MMC/SD, SCI, SPI, QSPI, UART/USART, USB | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 1,5 мБ (1,5 м х 8) | В.С. | 8K x 8 | 512K x 8 | 2,7 В ~ 3,6 В. | A/D 29x12b SAR; D/A 2x12b | VneShoniй, Внутронни | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R7FA6M5AH2CBG#AC0 | 16.6100 | ![]() | 40 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RA6M5 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 176-LFBGA | R7FA6M5 | 176-LFBGA (13x13) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 5A992C | 8542.31.0001 | 25 | 133 | ARM® Cortex®-M33 | 32-битвен | 200 мг | Canbus, Ethernet, I²C, MMC/SD, SCI, SPI, QSPI, UART/USART, USB | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 2 марта (2 м х 8) | В.С. | 8K x 8 | 512K x 8 | 2,7 В ~ 3,6 В. | A/D 29x12b SAR; D/A 2x12b | VneShoniй, Внутронни | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R7FA6M5AH3CFC#AA0 | 16.6100 | ![]() | 9145 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RA6M5 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 176-LQFP | R7FA6M5 | 176-lfqfp (24x24) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 5A992C | 8542.31.0001 | 25 | 133 | ARM® Cortex®-M33 | 32-битвен | 200 мг | Canbus, Ethernet, I²C, MMC/SD, SCI, SPI, QSPI, UART/USART, USB | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 2 марта (2 м х 8) | В.С. | 8K x 8 | 512K x 8 | 2,7 В ~ 3,6 В. | A/D 29x12b SAR; D/A 2x12b | VneShoniй, Внутронни | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R7FA2L1A93CNE#AA0 | 3.8800 | ![]() | 631 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | RA2L1 | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Пефер | 48-WFQFN PAD | R7FA2L1 | 48-HWQFN (7x7) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 5A992C | 8542.31.0001 | 416 | 37 | ARM® Cortex®-M23 | 32-битвен | 48 мг | Canbus, I²C, SCI, SPI, Smart Card, UART/USART | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 128KB (128K x 8) | В.С. | 8K x 8 | 32K x 8 | 1,6 В ~ 5,5 В. | A/D 13x12b SAR; D/A 1x12b | Внений | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RAA2116514GNP#HA0 | 5.0600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Пефер | 28-vfqfn otkrыtai-anploщadka | 60 | Rerhulyruemый | 28-QFN (4x5) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 20-RAA2116514GNP#HA0TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 6000 | Vniз | 1 | БАК | 565 кг | Poloshitelnый | В дар | 5A | 0,8 В. | 60 | 4,5 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RAA2144014GP3#NA0 | - | ![]() | 1928 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Lenta и катахка (tr) | Управо | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Пефер | Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 | 40 | Зaikcyrovannnый | SOT-23-3 | СКАХАТА | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | 6,1 мка | - | Poloshitelnый | 150 май | 3,3 В. | - | 1 | 1,6 В @ 150 | 77 Дб ~ 42 дб (10 г -г в ~ 10 кг) | Nantocom, wemperaturы, корок | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RAA2116504GNP#HA0 | 5.0600 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Lenta и катахка (tr) | Актифен | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Пефер | 28-vfqfn otkrыtai-anploщadka | 60 | Rerhulyruemый | 28-QFN (4x5) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | Ear99 | 8542.39.0001 | 6000 | Vniз | 1 | БАК | 500 kgц, 200 kgц ~ 2,5 мг. | Poloshitelnый | В дар | 5A | 0,8 В. | 60 | 4,5 В. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R5F51403ADFK#10 | 1.6016 | ![]() | 3381 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Поднос | Актифен | R5F51403 | - | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 559-R5F51403ADFK#10 | 720 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M3032316035NX0IBCY | 125,3400 | ![]() | 129 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Поднос | Актифен | -40 ° C ~ 85 ° C. | Пефер | 48-LFBGA | M3032316035 | MRAM (MMAGNITORESHT | 2,7 В ~ 3,6 В. | 48-FBGA (10x10) | СКАХАТА | Rohs3 | 3 (168 чASOW) | DOSTISH | 800-M3032316035NX0IBCY | Ear99 | 8542.32.0071 | 168 | NeleTUSHIй | 32 мб | 35 м | Барен | 2m x 16 | Парлель | 35NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EL5364IUZA-T7S2490S | - | ![]() | 6310 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | EL5364 | Поднос | Управо | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Пефер | 16-ssop (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) | 3,5 мая (x3 Канала) | - | 3 | 16-QSOP | - | Rohs3 | 1 (neograniчennnый) | DOSTISH | 20 EL536444IUZA-T7S2490S | Ear99 | 8542.33.0001 | 1 | 4200 В/мкс | 600 мг | 140 май | Техник обр. Ая | 2 мка | 1,5 м | 5в | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISL6306CRZ-TS2701 | - | ![]() | 8551 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Поднос | Управо | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Пефер | 40-vfqfn otkrыtai-anploщadka | ISL6306 | ШIM Сигнал | 40-qfn (6x6) | - | Rohs3 | DOSTISH | 20-ISL6306CRZ-TS2701 | Управо | 1 | Vniз | 4,75 -5,25. | 4 | БАК | 80 kgц ~ 1 mmgц | Klючitth, уплатель | Poloshitelnый | 4 | 66,7% | В дар | Не | - |
Средний объем RFQ
Стандартный продукт
Мировые производители
На складе