SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta Тела Ток - Посткака На Втипа Sic programmirueTSARY Wshod Колист Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Файнкхия Степень Ток - ТИП ИСИЛИТЕЛ Poluhith Ток - На На На Nomer- /Водад О. Raзmer jadra Скороп Подклхейни Пефер -вусрост Raзmerpmayti programmы ТИПППАМАЙТИ ПРОГРАММА Eeprom raзmer Raзmer operativnoй papmayti На Прроуваали Дьянн ТИП ГЕЙНЕРАТОРА МАКСИМАЛАНСКА Имен Raзreheneee (biotы) Колист Сонсирн Кран Ssslca naprayaeneee Псевдоним Tykuщiй - pocoayщiй (iq) ТОК - Постка (МАКС) ТОПОЛОГЯ ASTOTA - PREREKLючENEEEE Фунеми ипра Vodnaver -koanfiguraцian Синронн ТОК - В.О. Naprayжeniee - nagruзca ТИП МОТОРИКИ - ШАСТЕР ТИП МОТОРА - AC, DC « Колиство.Конгролируэээм Naprayжeniee - porog Соберите На На На Колиш Otstupee napryanemane (mmaks) PSRR Особенносот Sic programmirueTSARY
BU4225FVE-TR Rohm Semiconductor BU4225FVE-TR 0,8000
RFQ
 ECAD 208 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SOT-665 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4225 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 5-VSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 2,5 В. Rerhuliruemый/vыbiraemый
ML62Q1365-NNNTBZ0BX Rohm Semiconductor ML62Q1365-NNNTBZ0BX 5.0000
RFQ
 ECAD 2855 0,00000000 ROHM Semiconductor ML621300 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 32-TQFP ML62Q1365 32-TQFP (7x7) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.31.0001 1000 28 NX-U16/100 16-бит 25 мг I²C, SSP, UART/USART Por, pwm, Wdt 32KB (32K x 8) В.С. 2k x 8 4K x 8 1,6 В ~ 5,5 В. A/D 8x10b; D/A 1x8b Внутронни
BU21029GUL-E2 Rohm Semiconductor BU21029GUL-E2 1.2780
RFQ
 ECAD 4828 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте -20 ° C ~ 85 ° C. Пефер 16-UFBGA, CSPBGA BU21029 800 мк 1,65, ~ 3,6 В. 16-VCSP50L2 (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 I²C 12б 4 Провод Внений
BD5351FVE-TR Rohm Semiconductor BD5351FVE-TR -
RFQ
 ECAD 3981 0,00000000 ROHM Semiconductor BD53XX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SOT-665 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BD5351 Nprovereno ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 5-VSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 5,1 В. -
BD5349G-TR Rohm Semiconductor BD5349G-TR 0,2551
RFQ
 ECAD 1904 0,00000000 ROHM Semiconductor BD53XX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BD5349 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 4,9 В. -
BU31TA2WHFV-TR Rohm Semiconductor BU31TA2WHFV-TR 0,7200
RFQ
 ECAD 2653 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SOT-665 BU31TA2 5,5 В. Зaikcyrovannnый 5-HVSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 95 мка ДАВАТ Poloshitelnый 200 май 3,1 В. - 1 0,66 В @ 200 Ма 65 дБ (1 кг) На
BU46K272G-TL Rohm Semiconductor BU46K272G-TL 0,6600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor BU46KXXX Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DETOCTOR BU46K272 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 3-Ssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 2,7 В. 120 мс Миними
BU4230F-TR Rohm Semiconductor BU4230F-TR 0,6800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-82 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4230 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 3В Rerhuliruemый/vыbiraemый
BD46405G-TR Rohm Semiconductor BD46405G-TR 0,8400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor BD46XXX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 DETOCTOR BD46405 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 4 45 мс Миними
BU4238G-TR Rohm Semiconductor BU4238G-TR 0,2202
RFQ
 ECAD 5416 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4238 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 3,8 В. Rerhuliruemый/vыbiraemый
BD5353FVE-TR Rohm Semiconductor BD5353FVE-TR 0,3105
RFQ
 ECAD 6173 0,00000000 ROHM Semiconductor BD53XX Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SOT-665 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BD5353 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 5-VSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 5,3 В. - Nprovereno
BD48K50G-TL Rohm Semiconductor BD48K50G-TL 0,4400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor BD48KXX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DETOCTOR BD48K50 Nprovereno Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 3-Ssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 5в -
BM2P161W-Z Rohm Semiconductor BM2P161W-Z 3.1100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 мм), 7 лиц. BM2P161 18.16v 7-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 50 1 БАК 65 кг Poloshitelnый Не 1,5 мая 8в
BU4934G-TR Rohm Semiconductor BU4934G-TR 0,2005
RFQ
 ECAD 5281 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4934 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH BU4934GTR Ear99 8542.39.0001 3000 Активн -веса/Активн внихки 1 3,4 В. -
BU4847F-TR Rohm Semiconductor BU4847f-tr 0,2336
RFQ
 ECAD 6275 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-82 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4847 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH BU4847FTR Ear99 8542.39.0001 3000 Активн -веса/Активн внихки 1 4,7 В. -
BD46412G-TR Rohm Semiconductor BD46412G-TR 0,3258
RFQ
 ECAD 5134 0,00000000 ROHM Semiconductor BD46XXX Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SC-74A, SOT-753 DETOCTOR BD46412 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 5-Ssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 4,1 В. 180 мс Миними
BM2P054 Rohm Semiconductor BM2P054 2.0500
RFQ
 ECAD 923 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Чereз dыru 8-Dip (0,300 ", 7,62 мм), 7 лиц. BM2P054 26 7-Dip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 50 1 LeTASHIй 65 кг Poloshitelnый Не 600 май 8,9 В.
BU4845F-TR Rohm Semiconductor BU4845F-tr 0,6000
RFQ
 ECAD 2089 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-82 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4845 Nprovereno Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн -веса/Активн внихки 1 4,5 В. -
BD87A29FVM-TR Rohm Semiconductor BD87A29FVM-TR 1.9100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-vssop, 8-марс (0,110 ", ширина 2,80 мм) СОЗОР BD87A29 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 8-марсоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 2,93 В. Rerhuliruemый/vыbiraemый
BD6237FM-E2 Rohm Semiconductor BD6237FM-E2 11.2000
RFQ
 ECAD 322 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Сэмпл Пефер 28-sop (0,295 ", ширина 7,50 мм) + 2 BD6237 Стюв 6 В ~ 32 В. 28-HSOP-M СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1500 Драгир - Порноф ВЫКЛ/OFF Половинамос (4) 2A 6 В ~ 32 В. - Позиил DC -
BD7004NUX-E2 Rohm Semiconductor BD7004NUX-E2 0,2582
RFQ
 ECAD 3085 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8-ufdfn otkrыtai-anpeщaudka BD7004 5,5 В. Rerhulyruemый VSON008X2020 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 4000 95 мка 95 мка ДАВАТ Poloshitelnый 300 май, 300 мая 1,2 В. 3,3 В. 2 0,36- 300 май, 0,36 вра 300 май 66 ДБ (100 ГГ) На
BD7956FS-BZE2 Rohm Semiconductor BD7956FS-BZE2 -
RFQ
 ECAD 4003 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо BD7956 - Rohs3 846-BD7956FS-BZE2TR Управо 0000.00.0000 2500
BD5451EFV-E2 Rohm Semiconductor BD5451EFV-E2 4.8060
RFQ
 ECAD 8716 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-vssop (0,173 д.Ма, ширина 4,40 мм). Клас d Depop, nemoй BD5451 2-канолан (Стеро) 10 В ~ 18 В. 28-HTSSOP-B СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH BD5451EFVE2 Ear99 8542.33.0001 2500 15 yt x 2 @ 8omm
BU4834F-TR Rohm Semiconductor BU4834F-tr 0,2336
RFQ
 ECAD 7103 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер SC-82 ProStoE -sbroas/sbroas omoщnosti BU4834 Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 4-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн -веса/Активн внихки 1 3,4 В. -
LM2904VQPWR Rohm Semiconductor LM2904VQPWR -
RFQ
 ECAD 9690 0,00000000 ROHM Semiconductor Трофе Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 125 ° C. Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) LM2904 1MA - 2 8-tssop-b СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH LM2904VQPWRRS Ear99 8542.33.0001 3000 0,3 В/мкс 40 май О том, как 700 kgц 20 NA 3 м 3 В 26
BA18BC0FP-E2 Rohm Semiconductor BA18BC0FP-E2 1.8100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C. Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 BA18BC0 16 Зaikcyrovannnый 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2000 0,5 мая 900 мк - Poloshitelnый 1A 1,8 В. - 1 - - На
BU7464F-E2 Rohm Semiconductor BU7464F-E2 0,4500
RFQ
 ECAD 5501 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 14 SOIC (0,173 », Ирина 4,40 мм) BU7464 600 мк - 4 14-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH BU7464FE2 Ear99 8542.33.0001 2500 1 В/мкс 12 май CMOS 1 мг 1 п 1 м 1,7 5,5 В.
BD4858FVE-TR Rohm Semiconductor Bd4858fve-tr -
RFQ
 ECAD 9821 0,00000000 ROHM Semiconductor BD48XXX Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер SOT-665 DETOCTOR BD4858 Nprovereno Otkrыtath drenaж или открыtый -колом 5-VSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 5,8 В. -
BH25NB1WHFV-TR Rohm Semiconductor BH25NB1WHFV-TR 0,3320
RFQ
 ECAD 7050 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер SOT-665 BH25NB1 5,5 В. Зaikcyrovannnый 5-HVSOF СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 100 мк ДАВАТ Poloshitelnый 150 май 2,5 В. - 1 0,45 -псы 100 май 80 дБ (1 к -хе) На
BD49L53G-TL Rohm Semiconductor BD49L53G-TL 0,4400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor BD49LXX Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DETOCTOR BD49L53 ТОЛГОК, ТОТЕМНЕП 3-Ssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 3000 Активн 1 5,3 В. -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть